【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术是关于一种半导体组合结构及半导体工艺。该半导体组合结构包括一基板、至少一导体、一挡墙部及一第一芯片。该基板具有至少一电性连接处。该导体位于该电性连接处上。该挡墙部用以顶抵该导体。该第一芯片具有至少一凸块。该第一芯片大致垂直该基板，且该凸块接触该导体。藉此，该凸块与该导体间的接合可靠度可提高，以确保该第一芯片与该基板间的电性连接。【专利说明】半导体组合结构及半导体工艺
本专利技术是关于一种半导体组合结构及半导体工艺。详言之，本专利技术是关于一种包含垂直式接合芯片的半导体组合结构及半导体工艺。
技术介绍
已知包含垂直式接合芯片的半导体组合结构的制造方法是将一垂直式芯片接合至一基板，其中该垂直式芯片的第一表面垂直该基板的一第一表面，且该垂直式芯片的第一表面具有芯片接垫，该基板的一第一表面具有基板接垫。该芯片接垫垂直该基板接垫，且二者十分靠近。接着，利用一焊料同时接触该芯片接垫及该基板接垫，以电性连接该芯片接垫及该基板接垫。此方式的缺点为可靠度低，因为该芯片接垫的位置必须非常靠近该垂直式芯片的下缘，才能使该焊料同时接触到该芯片接垫及该基板接垫...
【技术保护点】
一种半导体组合结构，包括：一基板，具有一上表面及至少一电性连接处，该电性连接处位于该上表面上；至少一导体，位于该电性连接处上；一挡墙部，邻近于该基板，且用以顶抵该导体；及一第一芯片，具有一第一表面及至少一凸块，该凸块位于该第一芯片的该第一表面，该第一芯片的该第一表面是大致垂直该基板的该上表面，该凸块接触该导体，且该凸块的材质与该导体的材质不同。
【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：萧友享，杨秉丰，叶勇谊，皮敦庆，陈银发，叶昶麟，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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