半导体工艺及其结构制造技术

本发明专利技术是有关于一种半导体工艺，其包含下列步骤：提供硅基板，该硅基板具有导接垫及保护层；形成第一种子层，该第一种子层具有第一区段及第二区段；形成第一光阻层；形成第一缓冲层,该第一缓冲层具有接合部及包埋部；移除该第一光阻层；移除该第一种子层的该第二区段以形成第一凸块下金属层；形成支撑层于该保护层及该第一缓冲层，该第一凸块下金属层具有第一环壁，该第一缓冲层具有第二环壁，该支撑层包覆该第一环壁、该第二环壁及该包埋部；以及形成导接部且覆盖该第一缓冲层的该接合部。

Semiconductor technology and its structure

The invention relates to a semiconductor process, comprising the following steps: providing a silicon substrate, the silicon substrate has a conductive pad and a protective layer; forming a first seed layer, the first layer has a first section and two seed segments; forming a first photoresist layer; forming a first buffer layer, the buffer layer has a first engagement portion and the embedding part; removing the first photoresist layer; the second section to remove the first seed layer to form a first metal layer under the convex block; forming a support layer on the protection layer and the first buffer layer, the first metal layer under the convex block has a first ring wall, the first buffer layer has a second wall. The support layer covers the first ring wall and the second wall and the embedding part; and the formation of conductive part and the joint part covers the first buffer layer.

【技术实现步骤摘要】
半导体工艺及其结构
本专利技术是有关于一种半导体工艺，特别是有关于一种可加强结构强度的半导体工艺。
技术介绍
如图1所示，现有习知半导体结构200包含有硅基板210、凸块下金属层220及焊球230，该硅基板210具有铝垫211及保护层212，该凸块下金属层220电性连接该铝垫211且该焊球230形成于该凸块下金属层220上。当该半导体结构200进行推力测试时，由于该焊球230、该凸块下金属层220与该铝垫211的材质不同，因此会存在明显的结合接口而形成结构强度最脆弱之处，导致该凸块下金属层220容易由该铝垫211剥离甚至损伤该铝垫211而使得该半导体结构200良率下降。由此可见，上述现有的半导体在产品结构、制造方法与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。因此如何能创设一种新的半导体工艺及其结构，亦成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的半导体存在的缺陷，本专利技术人基于从事此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积极加以研究创新，以期创设一种新的半导体工艺及其结构，能够改进一般现有的半导体，使其更具有实用性。经过不断的研究、设计,并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本专利技术。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于，克服现有的半导体存在的缺陷，而提供一种新的半导体工艺及其结构，所要解决的技术问题是使其形成一支撑层于该保护层及该第一缓冲层，该第一凸块下金属层具有一第一环壁，该第一缓冲层具有一第二环壁，该支撑层包覆该第一环壁、该第二环壁及该包埋部；以及形成一导接部且覆盖该第一缓冲层之该接合部，非常适于实用。本专利技术的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本专利技术提出的一种半导体工艺，其中包含：提供硅基板，该硅基板具有表面、导接垫及保护层，该导接垫形成于该表面，该保护层形成于该表面且覆盖该导接垫，该保护层具有第一开口，该第一开口显露该导接垫；形成第一种子层于该保护层及该导接垫，该第一种子层具有第一区段及位于该第一区段外侧的第二区段；形成第一光阻层于该第一种子层，该第一光阻层形成有第一开槽以显露该第一区段；形成第一缓冲层于该第一开槽，该第一缓冲层覆盖该第种子层的该第一区段，该第一缓冲层具有接合部及包埋部；移除该第一光阻层以显露该第一种子层的该第二区段；移除该第一种子层的该第二区段以使该第一区段形成第一凸块下金属层；形成支撑层于该保护层及该第一缓冲层，该支撑层具有第二开口且该第二开口显露该第一缓冲层的该接合部，其中该第一凸块下金属层具有第一环壁，该第一缓冲层具有第二环壁,该支撑层包覆该第一凸块下金属层之该第一环壁、该第一缓冲层的该第二环壁及该包埋部；以及形成导接部于该第二开口且覆盖该第一缓冲层的该接合部。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体工艺,其特征在于该导接部包含有第二凸块下金属层、第二缓冲层及焊料层,该第二凸块下金属层覆盖该第一缓冲层之该接合部，该第二缓冲层覆盖该第二凸块下金属层，该焊料层覆盖该第二缓冲层。前述的半导体工艺，其特征在于该支撑层具有顶面，该第二凸块下金属层覆盖该顶面。前述的半导体工艺,其特征在于形成该导接部的工艺包含下列步骤：形成第二种子层于该支撑层并覆盖该第一缓冲层，该第二种子层具有第三区段及位于该第三区段外侧的第四区段；形成第二光阻层于该第二种子层,该第二光阻层形成有第二开槽以显露该第三区段；形成该第二缓冲层于该第二开槽,该第二缓冲层覆盖该第二种子层之该第三区段；形成该焊料层于该第二缓冲层；移除该第二光阻层以显露该第二种子层的该第四区段；及移除该第二种子层的该第四区段以使该第三区段形成该第二凸块下金属层。前述的半导体工艺，其特征在于在移除该第二种子层的该第四区段的步骤后，另包含有回焊该焊料层的步骤。前述的半导体工艺，其特征在于该第一种子层的材质选自于钛铜合金或钛钨铜合金其中之一。前述的半导体工艺，其特征在于该支撑层的材质选自于聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚对苯撑苯并二嗯唑（Poly-p-phenylenebenzo-bisoxazazole,PBO）或苯环丁烯(Benezocy-clobutene,BCB)其中之一。前述的半导体工艺，其特征在于该第二种子层的材质选自于钛铜合金或钛钨铜合金其中之一。前述的半导体工艺，其特征在于该第一缓冲层的材质选自于铜或镍其中之一。前述的半导体工艺，其特征在于该第二缓冲层的材质选自于铜、镍或铜镍合金其中之一。前述的半导体工艺，其特征在于该第一缓冲层的该接合部具有一接合面，该第二凸块下金属层具有抵接边，该抵接边接触该接合面。本专利技术的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本专利技术提出的一种半导体结构，其中包含：硅基板，其具有表面、导接垫及保护层，该导接垫形成于该表面，该保护层形成于该表面且覆盖该导接垫，该保护层具有第一开口，该第一开口显露该导接垫；第一凸块下金属层，其覆盖该保护层及该导接垫，该第一凸块下金属层具有第一环壁；第一缓冲层，其形成于该第一凸块下金属层，该第一缓冲层具有接合部、包埋部及第二环壁；支撑层，其形成于该保护层、该第一凸块下金属层及该第一缓冲层，该支撑层具有第二开口且该第二开口显露该第一缓冲层之该接合部，该支撑层包覆该第一凸块下金属层之该第一环壁、该第一缓冲层的该第二环壁及该包埋部；以及导接部，其形成于该第二开口且覆盖该第一缓冲层的该接合部。本专利技术的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。前述的半导体结构,其特征在于该导接部包含有第二凸块下金属层、第二缓冲层及焊料层，该第二凸块下金属层形成于该第二开口，且覆盖该第一缓冲层的该接合部，该第二缓冲层覆盖该第二凸块下金属层，该焊料层覆盖该第二缓冲层。前述的半导体结构，其特征在于该支撑层具有顶面，该第二凸块下金属层覆盖该顶面。前述的半导体结构，其特征在于该第一凸块下金属层的材质选自于钛铜合金或钛钨铜合金其中之一。前述的半导体结构，其特征在于该支撑层的材质选自于聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚对苯撑苯并二嗯唑（Poly-p-phenylenebenzo-bisoxazazole,PBO）或苯环丁烯(Benezocy-clobutene,BCB)其中之一。前述的半导体结构，其特征在于该第二凸块下金属层的材质选自于钛铜合金或钛钨铜合金其中之一。前述的半导体结构，其特征在于该第一缓冲层的材质选自于铜或镍其中之一。前述的半导体结构，其特征在于该第二缓冲层的材质选自于铜、镍或铜镍合金其中之一。前述的半导体结构，其特征在于该第一缓冲层的该接合部具有一接合面，该第二凸块下金属层具有一抵接边，该抵接边接触该接合面。本专利技术与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知,本专利技术的主要
技术实现思路
如下：提供一种半导体工艺，其包含下列步骤：提供硅基板，该硅基板具有表面、导接垫及保护层，该导接垫形成于该表面，该保护层形成于该表面且覆盖该导接垫，该保护层具有第一开口，该第一开口显露该导接垫；形成第一种子层于该保护层及该导接垫，该第一种子层具有第一区段及位于该第一区段外侧的第二区段；形成第一光阻层于该第一种子层，该第一光阻层形成有第一开槽以显露该第一区段；形成第一缓冲层于该第一开槽，该第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体工艺，其特征在于包含：提供硅基板，该硅基板具有表面、导接垫及保护层，该导接垫形成于该表面，该保护层形成于该表面且覆盖该导接垫，该保护层具有第一开口，该第一开口显露该导接垫；形成第一种子层于该保护层及该导接垫，该第一种子层具有第一区段及位于该第一区段外侧的第二区段；形成第一光阻层于该第一种子层，该第一光阻层形成有第一开槽以显露该第一区段；形成第一缓冲层于该第一开槽，该第一缓冲层覆盖该第一种子层的该第一区段，该第一缓冲层具有接合部及包埋部；移除该第一光阻层以显露该第一种子层的该第二区段；移除该第一种子层的该第二区段,在该第一区段形成第一凸块下金属层；形成支撑层于该保护层及该第一缓冲层，该支撑层具有第二开口且该第二开口显露该第一缓冲层的该接合部，其中该第一凸块下金属层具有第一环壁，该第一缓冲层具有第二环壁，该支撑层包覆该第一凸块下金属层的该第一环壁、该第一缓冲层的该第二环壁及该包埋部；以及形成导接部于该第二开口且覆盖该第一缓冲层的该接合部。

【技术特征摘要】
2012.12.10 TW 1011464751.一种半导体工艺，其特征在于包含：提供硅基板，该硅基板具有表面、导接垫及保护层，该导接垫形成于该表面，该保护层形成于该表面且覆盖该导接垫，该保护层具有第一开口，该第一开口显露该导接垫；形成第一种子层于该保护层及该导接垫，该第一种子层具有第一区段及位于该第一区段外侧的第二区段；形成第一光阻层于该第一种子层，该第一光阻层形成有第一开槽以显露该第一区段；形成第一缓冲层于该第一开槽，该第一缓冲层覆盖该第一种子层的该第一区段，该第一缓冲层具有接合部及包埋部；移除该第一光阻层以显露该第一种子层的该第二区段；移除该第一种子层的该第二区段,在该第一区段形成第一凸块下金属层；形成支撑层于该保护层及该第一缓冲层，该支撑层具有第二开口且该第二开口显露该第一缓冲层的该接合部，其中该第一凸块下金属层具有第一环壁，该第一缓冲层具有第二环壁，该支撑层包覆该第一凸块下金属层的该第一环壁、该第一缓冲层的该第二环壁及该包埋部；以及形成导接部于该第二开口且覆盖该第一缓冲层的该接合部。2.如权利要求1所述的半导体工艺，其特征在于该导接部包含有第二凸块下金属层、第二缓冲层及焊料层，该第二凸块下金属层覆盖该第一缓冲层的该接合部，该第二缓冲层覆盖该第二凸块下金属层，该焊料层覆盖该第二缓冲层。3.如权利要求2所述的半导体工艺，其特征在于该支撑层具有顶面，该第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：施政宏，谢永伟，王凯亿，
申请(专利权)人：颀邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71