工艺腔室及半导体工艺设备制造技术

本发明专利技术提供了一种工艺腔室及半导体工艺设备，通过在腔体上相对设置第一进气口和第二进气口，再利用第一进气口和第二进气口向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体，从而在工艺腔室内产生对流，加快对工艺腔室的清洁，缩短工艺腔室的清洁时间。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路
，具体涉及一种工艺腔室，以及一种半导体工艺设备。
技术介绍
半导体工艺设备是半导体制造领域的重要设备，其可以用于光刻、刻蚀、清洗等工艺。通常，半导体工艺设备在进行工艺之前会进行抽真空，在工艺完成之后会泄气，由于工艺结束后工艺腔室内会不可避免地产生颗粒等污染，通常在泄气之后需要对工艺腔室进行清洁，以确保后续的工艺不受到污染。然而，传统的半导体工艺设备采用抽真空方式来抽出工艺腔室内的颗粒以及污染气体，从而达到清洁工艺腔室的目的，然而这抽真空方式需要很长的时间，才能使工艺腔室恢复干净。
技术实现思路
为了克服以上问题，本专利技术旨在一种工艺腔室，提高对工艺腔室的清洁效率。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种工艺腔室，工艺腔室的腔体上具有第一进气口和第二进气口，第一进气口和第二进气口分别设置在工艺腔室的腔体相对面上，通过第一进气口和第二进气口向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体。优选地，所述第一进气口与所述第二进气口上下相对分别设置于工艺腔室的腔体的顶部和底部，和/或所述第一进气口与所述第二进气口分别相对设置于工艺腔室的腔体的两个相对侧面通过第一进气口和第二进气口向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体上。优选地，所述第一进气口和所述第二进气口分别设置于工艺腔室的腔体的顶部和底部且相互错开，和/或所述第一进气口与所述第二进气口分别设置于工艺腔室的腔体的两个相对侧面上且分别错开。优选地，所述第一进气口与所述第二进气口上下相对分别设置于工艺腔室的腔体的顶部和底部，和所述第一进气口与所述第二进气口分别设置于工艺腔室的腔体的两个相对侧面上且分别错开。优选地，所述第一进气口和所述第二进气口分别设置于工艺腔室的腔体的顶部和底部且相互错开，和所述第一进气口与所述第二进气口分别相对设置于工艺腔室的腔体的两个相对侧面上。优选地，在所述工艺腔室的腔体内嵌设有第一进气管路和第二进气管路，分别连接于第一进气口和第二进气口。优选地，所述工艺腔室的腔体的顶部是可开合的，所述第一进气管路嵌设于所述可开合的腔体的顶部。优选地，所述第一进气口和所述第二进气口所输送的气体为惰性气体。优选地，所述工艺腔室还具有抽气口，用于将工艺腔室内的气体抽出。为了达到上述目的，本专利技术还提供了一种半导体工艺设备，其具有上述任意一项所述的工艺腔室。本专利技术的工艺腔室，通过在腔体上相对设置第一进气口和第二进气口，再利用第一进气口和第二进气口向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体，从而在工艺腔室内产生对流，加快对工艺腔室的清洁，缩短工艺腔室的清洁时间。附图说明图1为本专利技术的一个较佳实施例的工艺腔室的截面结构示意图图2为本专利技术的一个较佳实施例的工艺腔室的截面结构示意图图3为本专利技术的一个较佳实施例的工艺腔室的截面结构示意图图4为本专利技术的一个较佳实施例的工艺腔室的截面结构示意图图5为本专利技术的一个较佳实施例的工艺腔室的截面结构示意图图6为本专利技术的另一个较佳实施例的工艺腔室的截面结构示意图图7为本专利技术的一个较佳实施例的工艺腔室的截面结构示意图图8为本专利技术的另一个较佳实施例的工艺腔室的截面结构示意图具体实施方式为使本专利技术的内容更加清楚易懂，以下结合说明书附图，对本专利技术的内容作进一步说明。当然本专利技术并不局限于该具体实施例，本领域内的技术人员所熟知的一般替换也涵盖在本专利技术的保护范围内。以下结合附图1～8和具体实施例对本专利技术作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式、使用非精准的比例，且仅用以方便、清晰地达到辅助说明本实施例的目的。本实施例的工艺腔室的腔体上具有第一进气口和第二进气口，第一进气口和第二进气口分别相对设置在工艺腔室的腔体相对面上，通过第一进气口和第二进气口向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体。具体的，请参阅图1，在工艺腔室的腔体00内嵌设有第一进气管路和第二进气管路，分别连接于第一进气口01和第二进气口02；工艺腔室的腔体00的顶部是可开合的，第一进气管路嵌设于可开合的腔体00的顶部；第一进气口01和第二进气口02所输送的气体为惰性气体；工艺腔室还具有抽气口，用于将工艺腔室内的气体抽出，可以采用一真空泵，利用真空泵通过一管道连接抽气口，抽气口可以设置于工艺腔室的腔体00底部。关于第一进气口和第二进气口的设置可以采用以下方式：第一个方式，如图1所示，第一进气口01与第二进气口02上下相对分别设置于工艺腔室的腔体00的顶部和底部，通过第一进气口01和第二进气口02向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体上；此外，如图2所示，第一进气口03与第二进气口04分别相对设置于工艺腔室的腔体00的两个相对侧面，通过第一进气口03和第二进气口03向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体上。本专利技术的其它实施例中，请参阅图3，此时具有四个进气口，第一进气口01和03以及第二进气口02和04均设置于腔体00上；具体的，第一进气口01与第二进气口02上下相对分别设置于工艺腔室的腔体00的顶部和底部，并且第一进气口03与第二进气口04分别相对设置于工艺腔室的腔体00的两个相对侧面。第二个方式，请参阅图4，第一进气口01和第二进气口02分别设置于工艺腔室的腔体00的顶部和底部且相互错开。此外，请参阅图5，第一进气口03与第二进气口04分别设置于工艺腔室的腔体00的两个相对侧面上且分别错开。本专利技术的其它实施例中，请参阅图6，此时具有四个进气口，第一进气口01和03以及第二进气口02和04均设置于腔体00上；第一进气口01和第二进气口02分别设置于工艺腔室的腔体00的顶部和底部且相互错开，并且第一进气口03与第二进气口04分别设置于工艺腔室的腔体00的两个相对侧面上且分别错开。第三个方式，请参阅图7，第一进气口01和第二进气口02分别设置于工艺腔室的腔体00的顶部和底部且相互错开；并且，第一进气口03与第二进气口04分别相对设置于工艺腔室的腔体00的两个相对侧面上。第四个方式，请参阅图8，第一进气口01与第二进气口02上下相对分别设置于工艺腔室的腔体00的顶部和底部；并且第一进气口03与第二进气口04分别设置于工艺腔室的腔体00的两个相对侧面上且分别错开。此外，本专利技术还提供了一种半导体工艺设备，其具有上述实施例所采用的工艺腔室。虽然本专利技术已以较佳实施例揭示如上，然实施例仅为了便于说明而举例而已，并非用以限定本专利技术，本领域的技术人员在不脱离本专利技术精神和范围的前提下可作若干的更动与润饰，本专利技术所主张的保护范围应以权利要求书为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种工艺腔室，其特征在于，工艺腔室的腔体上具有第一进气口和第二进气口，第一进气口和第二进气口分别设置在工艺腔室的腔体相对面上，通过第一进气口和第二进气口向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体。

【技术特征摘要】
1.一种工艺腔室，其特征在于，工艺腔室的腔体上具有第一进气口和第二进气口，第一进气口和第二进气口分别设置在工艺腔室的腔体相对面上，通过第一进气口和第二进气口向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体。2.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一进气口与所述第二进气口上下相对分别设置于工艺腔室的腔体的顶部和底部，和/或所述第一进气口与所述第二进气口分别相对设置于工艺腔室的腔体的两个相对侧面通过第一进气口和第二进气口向工艺腔室内以相向方式向工艺腔室内吹扫气体上。3.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一进气口和所述第二进气口分别设置于工艺腔室的腔体的顶部和底部且相互错开，和/或所述第一进气口与所述第二进气口分别设置于工艺腔室的腔体的两个相对侧面上且分别错开。4.根据权利要求1所述的工艺腔室，其特征在于，所述第一进气口与所述第二进气口上下相对分别设置于工艺腔室的腔体的顶部和底部，和所述第一进气口...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐春晖，万成，陈伟，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31