The present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device and the manufacturing method includes providing a substrate, which has alternately arranged a plurality of first isolation structure and a plurality of second isolation structure; an insulating protrusion formed in each of the second isolation structure of the substrate; in each insulation protruding two opposite side walls of the Department respectively, forming a conductive spacer to expose each first isolation structure; an insulating layer is formed on each of the first isolation structure with the. According to the invention, the silicon oxide layer mask pattern layer covering only corresponding to the second isolation structure, the insulating layer in the opening depth to width ratio is reduced, thereby reducing the opening at the bottom of the necking or etching caused by incomplete, bridging problems occur in etching process and therefore reduces the possibility of subsequent contact plug formed defects the.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本专利技术是有关于一种半导体技术,特别是有关于一种具有小尺寸接触插塞的半导体装置的制造方法。
技术介绍
在纳米半导体工艺中,随着集成电路迈向高密度及体积小的演进,关键尺寸(CriticalDimension)的要求愈来愈小,而使相对的开口深宽比(HighAspectRatio)要求愈来愈高,因此对于刻蚀工艺的技术挑战也就愈来愈大。然而,在小关键尺寸及高深宽比的开口刻蚀工艺中,由于时常因为内层介电(interlayerdielectric,ILD)层或金属层间介电(inter-metaldielectric,IMD)层中的开口底部缩口或是刻蚀不完全造成邻近开口底部的介电层发生桥接,使得后续形成的接触插塞出现接触不良或电性开路等缺陷,因而导致装置的电性及良率产生问题。传统上,通常是通过调整刻蚀气体比例、刻蚀时间、工艺功率、或工艺压力等参数,以达到较好的刻蚀轮廓。然而,在小关键尺寸的刻蚀工艺中,虽然通过上述方式可以大致减少底部缩口的情况,但是仍然容易发生底部刻蚀不完全而导致桥接的问题。因此,有必要寻求一种新颖的半导体装置的制造方法,其能够解决或改善上述的问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种半导体装置的制造方法,以解决现有技术中存在的容易发生底部刻蚀不完全而导致桥接的问题。本专利技术实施例提供一种半导体装置的制造方法,包括提供一基底,其具有交替排列的多个第一隔离结构及多个第二隔离结构。在基底的每一第二隔离结构上形成一绝缘突出部。在每一绝缘突出部的两相对侧壁上分别形成一导电间隙壁,以露出每一第一隔离结构。在露出的每一第一隔离结构上形成一绝缘层。 ...
【技术保护点】
一种半导体装置的制造方法,其特征在于,所述半导体装置的制造方法包括:提供一基底,所述基底具有交替排列的多个第一隔离结构及多个第二隔离结构;在所述基底的每一所述多个第二隔离结构上形成一绝缘突出部,包括:在所述基底上形成一氧化硅层;在所述氧化层上形成一掩膜图案层,以覆盖对应于每一所述多个第二隔离结构的所述氧化硅层;以及对所述掩膜图案层下方的所述氧化硅层进行一刻蚀工艺,以露出所述多个第一隔离结构及形成所述绝缘突出部;在每一所述绝缘突出部的两相对侧壁上分别形成一导电间隙壁,以露出每一所述多个第一隔离结构;以及在露出的每一所述多个第一隔离结构上形成一绝缘层。
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,所述半导体装置的制造方法包括:提供一基底,所述基底具有交替排列的多个第一隔离结构及多个第二隔离结构;在所述基底的每一所述多个第二隔离结构上形成一绝缘突出部,包括:在所述基底上形成一氧化硅层;在所述氧化层上形成一掩膜图案层,以覆盖对应于每一所述多个第二隔离结构的所述氧化硅层;以及对所述掩膜图案层下方的所述氧化硅层进行一刻蚀工艺,以露出所述多个第一隔离结构及形成所述绝缘突出部;在每一所述绝缘突出部的两相对侧壁上分别形成一导电间隙壁,以露出每一所述多个第一隔离结构;以及在露出的每一所述多个第一隔离结构上形成一绝缘层。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述掩膜图案层由光刻胶所构成。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,每一所述导电间隙壁包括一上部导电间隙壁及一下部导电间隙壁。4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述上部导电间隙壁由钛或氮化钛所构成。5.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,所述下部导电间隙壁由多晶硅所构成。6.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,其特征在于,在每一所述绝缘突出部的所述两相对侧壁上分别形成所述导电间隙壁的步骤,包括:在所述基底及所述绝缘突出部上形成一第一导电层;去除...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴承颖,欧阳自明,
申请(专利权)人:华邦电子股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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