The utility model relates to the field of semiconductor manufacturing technology, especially relates to a double heterostructure barrier GaN HEMT structure, followed by the bottom comprises: a substrate, SiN/AlN nucleation layer and AlGaN buffer layer, GaN channel layer and GaN buffer layer and AlGaN barrier layer and GaN cap layer, can effectively to solve the common AlGaN/GaN HEMT buffer layer leakage current is too large to advance device breakdown problem.
【技术实现步骤摘要】
一种双异质结结构的背势垒GaNHEMT结构
本技术涉及半导体制造
,尤其涉及一种双异质结结构的背势垒GaNHEMT结构。
技术介绍
硅基芯片经历几十年发展,随着Si基CMOS尺寸不断缩小,其频率性能也不断提高,预计特征尺寸达到25nm时,其fT可达490GHz。但Si材料的Johnson优值仅为0.5THzV,尺寸的缩小SiCMOS器件的击穿电压将远小于1V,这极大地限制了硅基芯片在超高速数字领域的应用。近年来,人们不断地寻找其替代品,由于宽禁带半导体氮化镓(GaN)材料具有超高的Johnson优值(5THzV),其器件沟道尺寸达到10nm量级时,击穿电压仍能保持10V左右,已逐渐的引起了国内外广泛的重视。在要求高转换效率和精确阈值控制、宽带、大动态范围的电路(如超宽带ADC、DAC)数字电子领域具有广阔和特殊的应用前景,支持国防通信、机载和空间系统。GaN基数字逻辑器件成为近几年超高速半导体领域研究的热点,正成为SiCMOS高速电路在数模和射频电路领域的后续发展中的有力竞争者,是国家重点支持的尖端技术,堪称信息产业的“心脏”。目前,基于GaNHEMT的逻辑器件的加工尺度已进入了GaN纳电子的范畴,fT已达到190GHz,正向fT为300GHz到500GHz进军,成为第三代半导体发展中的一个新的机遇,在超高速领域具有非常广阔的发展潜力。但是,对于这些传统器件结构本身而言,其中大栅漏电流是阻碍器件性能提高和实际应用的主要瓶颈,普通AlGaN/GaNHEMT器件缓冲层内泄漏电流过大导致器件提前击穿的问题目前一直没有得到解决。
技术实现思路
本技术实施例通过提供一 ...
【技术保护点】
一种双异质结结构的背势垒GaN HEMT结构,其特征在于,由下至上依次包括:衬底、SiN/AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN 帽层。
【技术特征摘要】
1.一种双异质结结构的背势垒GaNHEMT结构,其特征在于,由下至上依次包括:衬底、SiN/AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、GaN缓冲层、AlGaN势垒层、GaN帽层。2.根据权利要求1所述的双异质结结构的背势垒GaNHEMT结构,其特征在于,还包括:在所述GaN帽层上,采用光刻和蒸发Ti/Al/Ni/Au中任意一种金属形成源漏电极金属。3.根据权利要求1所述的双异质结结构的背势垒GaNHEMT结构,其特征在于,还包括:在所述GaN帽层上,光刻和采用Cl2进行ICP干法刻蚀隔离,刻蚀GaN帽层和AlGaN势垒层,直到GaN缓冲层,形成一个台面隔离区。4.根据权利要求3所述的双异质结结构的背势垒GaNHEMT结构,其特征在于,还...
【专利技术属性】
技术研发人员:黎明,
申请(专利权)人:成都海威华芯科技有限公司,
类型:新型
国别省市:四川,51
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