一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法技术

本发明专利技术公开了一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，针对于栅极刻蚀，包括以下步骤：在碳化硅衬底上涂布电子束光刻胶层，所述电子束光刻胶层采用ZEP520A‑7；降低电子束光刻胶层厚度，使得图形的光刻胶层的厚度于关键尺寸小于3:1；在光刻胶层上蒸镀导电金层；在电子束系统的载台上增加垫片后，将蒸镀有导电金层的碳化硅衬底放在所述垫片上进行电子束曝光；利用碘化钾刻蚀导电金层；利用显影液ZED‑N50进行显影，形成图形。本发明专利技术采用ZEP520A‑7做为抗蚀剂即光刻胶层，并且在碘化钾刻蚀黄金，可以过刻，因为光刻胶ZEP520A‑7不受碘化钾影响。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及晶圆制备领域，尤其涉及一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法。

技术介绍

1、目前365纳米波长光刻机(步进式，扫描式)光刻极限400纳米，难以直接做到100纳米以下的图形，缩胶工艺可以将cd控制到200纳米，依然不满足100纳米的需求。193纳米以及更先进的光刻技术，需要的配套设施较多(涂胶显影设备、涂胶材料、特制光罩板)，成本极高，而且受国外限制。传统光刻局限性大。

2、而对于电子束曝光碳化硅优势在于：成本较低；图形可自由控制，设计简单；关键尺寸可以不断缩小；操作方便；关键尺寸均匀性较好。电子束曝光在世界范围内主要作用在小尺寸领域，满足碳化硅科研实验和小批量生产要求。其中，涂胶和显影与传统光刻流程一致，工艺成熟可控。而现有技术的难点主要在于：(1)电子束曝光中晶圆导电性难以控制，即碳化硅拥有高阻抗，电阻通常在1010ω.cm以上，电子束曝光的同时，由于碳化硅高阻抗特性，电荷会积累在光刻胶表面，对后续入射电子有排斥作用，导致版图图形变形；(2)难点二在于制备碳化硅衬底难度较大，碳化硅通常厚度小于500um，而电子束对准平面在700本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，针对于栅极刻蚀，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，其特征在于：降低电子束光刻胶层厚度降低至200～300nm。

3.根据权利要求1所述的一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，其特征在于：所述导电金层的厚度为10nm。

4.根据权利要求1所述的一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，其特征在于：所述碳化硅衬底的厚度为400um～500um，所述垫片的厚度与碳化硅衬底的厚度匹配，对应为300um～200um。

5.根据权利要求1所述的一种在碳化硅衬底...

【技术特征摘要】

1.一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，针对于栅极刻蚀，其特征在于：包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，其特征在于：降低电子束光刻胶层厚度降低至200～300nm。

3.根据权利要求1所述的一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，其特征在于：所述导电金层的厚度为10nm。

4.根据权利要求1所述的一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，其特征在于：所述碳化硅衬底的厚度为4...

【专利技术属性】
技术研发人员：程鑫怡，高雅楠，腾明亮，
申请(专利权)人：成都海威华芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：