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本发明公开了一种在碳化硅衬底上做小尺寸图形的方法，针对于栅极刻蚀，包括以下步骤：在碳化硅衬底上涂布电子束光刻胶层，所述电子束光刻胶层采用ZEP520A‑7；降低电子束光刻胶层厚度，使得图形的光刻胶层的厚度于关键尺寸小于3:1；在光刻胶层上蒸...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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