绝缘栅双极性晶体管制造技术

本发明专利技术提供一种绝缘栅双极性晶体管。在利用沟槽栅电极的绝缘栅双极性晶体管的情况下，当采用分割为多个元件分区的格子状沟槽时空穴的蓄积效果将增大从而导通电压降低，另一方面击穿耐量容易降低。在元件外分区(18)内也形成发射区(14)。在元件外分区(18)内没有发射区(14)的情况下，元件外分区(18)内的空穴向元件分区(6)内移动并从元件分区(6)排出到发射极。此时会产生空穴的集中现象从而使击穿耐量降低。当在元件外分区(18)中也形成发射区(14)时，空穴从元件外分区(18)向元件分区(6)移动的现象被抑制，从而能够防止击穿耐量的降低。

【技术实现步骤摘要】

本说明书中公开一种IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor：绝缘栅双极性晶体管)。
技术介绍
已知一种使用沟槽栅电极的纵型IGBT。纵型IGBT在半导体基板的表面上形成发射极(将形成有发射极的一侧称为表面)，并且在半导体基板的背面上形成集电极(将形成有集电极的一侧称为背面)，且形成从半导体基板的表面朝向背面延伸的沟槽，并将栅电极收纳于该沟槽内。已知一种在对半导体基板进行俯视观察时沟槽纵横延伸而呈格子状，并通过该格子状沟槽而将半导体基板的表面划分为多个分区的技术。在该技术中，在被格子状沟槽所围绕的每一个元件分区内形成发射区和体接触区。当使用围绕元件分区的格子状沟槽时，元件分区内的载流子的蓄积效果将提高，从而导通电压降低。该技术的一个示例被公开在专利文献1中。在先技术文献专利文献专利文献1：日本特开2013-150000号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题虽然利用通过格子状沟槽而分割为多个元件分区的技术使导通电压得到改善，但存在击穿耐量降低的情况。对其原因进行了研究的结果为，明确了如下内容。图4表示被在俯视观察时以格子状延伸的沟槽4所围绕的元件分区6与本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，具备半导体基板、被形成在该半导体基板的表面上的发射极和被形成在该半导体基板的背面上的集电极，在所述半导体基板内形成有与所述发射极导通的第一导电型的发射区、与所述集电极导通的第二导电型的集电区、通过所述集电区而与所述集电极分离的第一导电型的漂移区、将所述发射区和所述漂移区分离的第二导电型的体区，并且，在所述半导体基板上形成有从所述半导体基板的表面起到达至所述漂移区的沟槽，在俯视观察所述半导体基板时，所述沟槽将所述半导体基板的表面分割为多个分区，当将通过所述沟槽而被分割为预定面积以下的分区设为元件分区，并将元件分区以外的区域设为元件外分区时，在所述元件分区与所述...

【技术特征摘要】
2015.08.07 JP 2015-1573271.一种绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，具备半导体基板、被形成在该半导体基板的表面上的发射极和被形成在该半导体基板的背面上的集电极，在所述半导体基板内形成有与所述发射极导通的第一导电型的发射区、与所述集电极导通的第二导电型的集电区、通过所述集电区而与所述集电极分离的第一导电型的漂移区、将所述发射区和所述漂移区分离的第二导电型的体区，并且，在所述半导体基板上形成有从所述半导体基板的表面起到达至所述漂移区的沟槽，在俯视观察所述半导体基板时，所述沟槽将所述半导体基板的表面分割为多个分区，当将通过所述沟槽而被分割为预定面积以下的分区设为元件分区，并将元件分区以外的区域设为元件外分区时，在所述元件分区与所述元件外分区双方内均形成有所述集电区、所述漂移区、所述体区和所述发射区，在俯视观察所述半导体基板时，所述元件分区内的发射区的合计面积与所述元件外分区内的发射区的合计面积相比较大。2.如权利要求1所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，在俯视观察所述半导体基板时，所述元件分区的合计面积与所述元件外分区的合计面积相比较大。3.如权利要求1或2所述的绝缘栅双极性晶体管，其特征在于，在俯视观察所述半导体基板时，在各...

【专利技术属性】
技术研发人员：平林康弘，妹尾贤，
申请(专利权)人：丰田自动车株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP