The invention relates to a method for rapid assessment of the base of insulated gate bipolar transistor performance, which is characterized by comprising a high temperature resistant insulating rigid frame, in the high temperature insulation gate metal wire embedded hard fixed frame frame, metal lead frame collector and emitter metal lead frame, to maintain a certain distance between the gate metal lead frame, metal collector lead frame and emitter metal lead frame, high temperature resistance and hard insulating part of the surface of the fixed frame as a planar patch of insulated gate bipolar transistor chip; the gate metal lead frame, metal lead frame collector and emitter metal lead frame part exposed to high temperature resistant insulating rigid fixed frame, forming a gate pin, collector pin gate and emitter pins, pins, pins and Collector Emitter pins formed The plane is parallel to the patch plane. The invention can directly evaluate the static and dynamic performance of the insulated gate bipolar transistor chip, patch and wire.
【技术实现步骤摘要】
用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座
本专利技术涉及一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座,属于半导体
技术介绍
绝缘栅双极晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)是近年来问世的新型半导体功率器件,具有驱动功耗小、饱和压降低、开关速度快、正向电流大、反向耐压大、体积小、安装简便等优点。目前绝缘栅双极晶体管开发时参数评估需要对绝缘栅双极晶体管芯片进行封装,常见的封装形式有单管和模块。由于模块封装成本高且评估测试时需要特定的夹具,因此绝缘栅双极晶体管开发时对开发样品常采用单管封装形式。单管封装无法对面积较大绝缘栅双极晶体管芯片进行封装,且少量的开发样品封装所需的周期较长且封装费用较高,严重影响了绝缘栅双极晶体管的开发周期和开发成本。绝缘栅双极晶体管的静态和动态性能评估时,只需将绝缘栅双极晶体管芯片固定在框架上就能进行测试评估,目前单管的金属框架各管脚之间在贴片和打线之后为短路的,需要完成整个封装工序后才能将各管脚开路固定。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术中存在的不足,提供一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座,通过该基座可以对绝缘栅双极晶体管芯片贴片和打线后直接进行静态和动态性能评估。按照本专利技术提供的技术方案,所述用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座,其特征是:包括耐高温硬质绝缘固定框架,在耐高温硬质绝缘固定框架中嵌入一个栅极金属引线框架、一个集电极金属引线框架和一个发射极金属引线框架,栅极金属引线框架、集电极金属引线框架和发射极金属引线框架从左到右依次排列;所述栅极金属引线框架、集电 ...
【技术保护点】
一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座,其特征是:包括耐高温硬质绝缘固定框架(4),在耐高温硬质绝缘固定框架(4)中嵌入一个栅极金属引线框架(1)、一个集电极金属引线框架(2)和一个发射极金属引线框架(3),栅极金属引线框架(1)、集电极金属引线框架(2)和发射极金属引线框架(3)从左到右依次排列;所述栅极金属引线框架(1)、集电极金属引线框架(2)和发射极金属引线框架(3)之间保持一定的距离;所述栅极金属引线框架(1)的部分表面、集电极金属引线框架(2)的部分表面和发射极金属引线框架(3)的部分表面与耐高温硬质绝缘固定框架(4)的部分表面位于同一平面上,该平面为绝缘栅双极晶体管芯片的贴片平面;所述栅极金属引线框架(1)、集电极金属引线框架(2)和发射极金属引线框架(3)各有部分露出于耐高温硬质绝缘固定框架(4)之外,分别形成栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚,栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚之间相互平行,栅极管脚、集电极管脚和发射极管脚所形成的平行平面与贴片平面平行。
【技术特征摘要】
1.一种用于快速评估绝缘栅双极晶体管性能的基座,其特征是:包括耐高温硬质绝缘固定框架(4),在耐高温硬质绝缘固定框架(4)中嵌入一个栅极金属引线框架(1)、一个集电极金属引线框架(2)和一个发射极金属引线框架(3),栅极金属引线框架(1)、集电极金属引线框架(2)和发射极金属引线框架(3)从左到右依次排列;所述栅极金属引线框架(1)、集电极金属引线框架(2)和发射极金属引线框架(3)之间保持一定的距离;所述栅极金属引线框架(1)的部分表面、集电极金属引线框架(2)的部分表面和发射极金属引线框架(3)的部分表面与耐高温硬质绝缘固定框架(4)的部分表面位于同一平面上,该平面为绝缘栅双极晶体管芯片的贴...
【专利技术属性】
技术研发人员:程炜涛,许生根,王海军,叶甜春,
申请(专利权)人:江苏中科君芯科技有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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