一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法技术

本发明专利技术提供了一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，应用于控制器，晶圆测量机构包括测量仪固定架；与测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪，第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处，第二测量仪的第二测头位于承片台外环上，该方法包括：在承片台上空载时，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值；当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时，根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及参考校零值，获取晶圆的磨削厚度值。本发明专利技术在晶圆减薄加工的过程中可有效控制晶圆的厚度，提高了晶圆磨削加工的精度。

Method for measuring wafer thickness by wafer measuring mechanism

The invention provides a method for the measurement of wafer thickness of the wafer measuring mechanism, applied to the controller, wafer measuring mechanism comprises a fixed frame measuring instrument and a measuring instrument; the fixing frame is connected to the first and second meter measuring instrument, the first measuring instrument measuring head is located in the first stage at the center position, second meter second the measuring head is located in the plate on the outer ring, the method includes: in the stage when the load bearing plate, the thickness of the receiving position of the center of the first probe measured value, second thickness of the wafer stage outer ring of the head of the measured values, and determine a reference zero when installing the investigation; on the stage of the wafer grinding in the state, according to the first probe measured plate center thickness and wafer thickness, and second thickness of the wafer stage outer ring head measured value and reference zero calibration value, obtaining wafer grinding thickness Degree value. The invention can effectively control the thickness of the wafer in the process of wafer thinning processing, and improves the grinding precision of the wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法
本专利技术涉及测量
，尤其涉及一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法。
技术介绍
在晶圆减薄加工过程中，晶圆的实时厚度对晶圆的生成质量有着至关重要的影响，是反映晶圆加工质量的重要指标，实时检测晶圆厚度可以对晶圆磨削过程中的各项工艺参数进行实时调整，保证最终磨削厚度以及控制磨削流程，从而使晶圆在减薄加工过程中始终保持高效优质状态。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，可以在晶圆减薄加工过程中有效控制晶圆最终厚度，提高晶圆磨削加工的精度。本专利技术实施例提供一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，应用于控制器，所述晶圆测量机构包括测量仪固定架；与所述测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪，所述第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处，所述第二测量仪的第二测头位于承片台外环上，所述方法包括：在承片台上空载时，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值；当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时，根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与所述晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及所述参考校零值，获取所述晶圆的磨削厚度值。其中，在获取所述晶圆的磨削厚度值之后，所述方法还包括：在预设时长内检测所述晶圆的磨削厚度值是否发生变化；当在预设时长内所述晶圆的磨削厚度值未发生变化时，保存获取的所述晶圆的磨削厚度值。其中，在接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值之前，所述方法还包括：对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准。其中，所述对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准的步骤包括：获取第一测头未吸附标准测量块时的第一测量值以及第二测头未吸附标准测量块时的第二测量值；获取第一测头吸附标准测量块时的第三测量值以及第二测头吸附标准测量块时的第四测量值；根据所述第一测量值和所述第三测量值对第一测头进行校准；根据所述第二测量值和所述第四测量值对第二测头进行校准。其中，所述根据所述第一测量值和所述第三测量值对第一测头进行校准的步骤包括：计算所述第三测量值与所述第一测量值之差，获取第一差值；将所述第一差值与所述标准测量块的厚度值进行比较；当所述第一差值与所述标准测量块的厚度值之差小于预设值时，校准完成；当所述第一差值与所述标准测量块的厚度值之差大于或者等于预设值时，由第一测头的放大器继续对第一测头进行校准。其中，所述根据所述第二测量值和所述第四测量值对第二测头进行校准的步骤包括：计算所述第四测量值与所述第二测量值之差，获取第二差值；将所述第二差值与所述标准测量块的厚度值进行比较；当所述第二差值与所述标准测量块的厚度值之差小于预设值时，校准完成；当所述第二差值与所述标准测量块的厚度值之差大于或者等于预设值时，由第二测头的放大器继续对第二测头进行校准。其中，所述第一测量仪包括与第一测头连接的第一处理器；所述第二测量仪包括与第二测头连接的第二处理器；在对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准之后，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值之前，所述方法还包括：向所述第一处理器发送第一指令，使得所述第一处理器内的第一接收元件根据所述第一指令控制第一测头运动，与承片台中心位置接触；向所述第二处理器发送第二指令，使得所述第二处理器内的第二接收元件根据所述第二指令控制第二测头运动，与承片台外环接触。其中，所述第一测量仪包括与第一测头连接的第一处理器；所述第二测量仪包括与第二测头连接的第二处理器；所述接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值的步骤包括：接收第一测头测量的、通过第一处理器发送的承片台中心位置的厚度值；接收第二测头测量的、通过第二处理器发送的承片台外环的厚度值；计算承片台中心位置的厚度值与承片台外环的厚度值之差，获取所述参考校零值。其中，所述根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与所述晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及所述参考校零值，获取所述晶圆的磨削厚度值的步骤包括：获取承片台中心位置的厚度与所述晶圆的厚度之和，作为第一标准值；计算所述第一标准值与承片台外环的厚度值的差值，获取第二标准值；计算所述第二标准值与所述参考校零值之差，获取所述晶圆的磨削厚度值。本专利技术实施例技术方案的有益效果至少包括：本专利技术技术方案，通过晶圆测量机构，在承片台上空载时获取第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值；在承片台上安装的晶圆处于磨削状态时，根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及参考校零值，获取晶圆的磨削厚度值。本专利技术可实现晶圆减薄加工过程中晶圆厚度的在线测量，并对实时在线测量值进行分析，修正工艺参数以控制晶圆最终磨削厚度，提高晶圆磨削加工的精度。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1表示本专利技术实施例晶圆测量机构与承片台配合示意图；图2表示本专利技术实施例一提供的采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法示意图；图3表示本专利技术实施例二提供的采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例一本专利技术实施例一提供一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，应用于控制器，其中如图1所示，晶圆测量机构包括测量仪固定架10，测量仪固定架10位于承片台13的上方；与测量仪固定架10连接的第一测量仪11和第二测量仪12，第一测量仪11的第一测头111位于承片台中心位置处，第二测量仪12的第二测头121位于承片台外环上，如图2所示，该方法包括：步骤201、在承片台上空载时，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值。具体的，晶圆测量机构的测量仪固定架位于承片台的上方，在测量仪固定架上固定有第一测量仪和第二测量仪，第一测量仪的第一测头位于承片台安装晶圆的中心位置处，在使用第一测头进行测量时，控制器首先控制第一测头与承片台中心位置接触，然后利用第一测头进行测量。第二测量仪的第二测头位于承片台外环上，在使用第二测头进行测量时，控制器首先控制第二测头与承片台外环接触，然后利用第二测头进行测量。其中，承片台外环即为承片台的外边缘位置。在利用晶圆测量机构进行测量时，需要先测量承片台空载时，承片台中心位置的厚度值以及承片台外环的厚度值。具体为：在承片台空载时，控制器控制第一测头与承片台中心位置接触，接收第一测头测量的承片台中心位置的厚度。同时控制器控制第二测头与承片台外环接触，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，应用于控制器，其特征在于，所述晶圆测量机构包括测量仪固定架；与所述测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪，所述第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处，所述第二测量仪的第二测头位于承片台外环上，所述方法包括：在承片台上空载时，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值；当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时，根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与所述晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及所述参考校零值，获取所述晶圆的磨削厚度值。

【技术特征摘要】
1.一种采用晶圆测量机构测量晶圆厚度的方法，应用于控制器，其特征在于，所述晶圆测量机构包括测量仪固定架；与所述测量仪固定架连接的第一测量仪和第二测量仪，所述第一测量仪的第一测头位于承片台中心位置处，所述第二测量仪的第二测头位于承片台外环上，所述方法包括：在承片台上空载时，接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值，并确定一参考校零值；当承片台上安装的晶圆处于磨削状态时，根据第一测头测得的承片台中心位置厚度与所述晶圆厚度之和、第二测头测得的承片台外环的厚度值以及所述参考校零值，获取所述晶圆的磨削厚度值。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在获取所述晶圆的磨削厚度值之后，所述方法还包括：在预设时长内检测所述晶圆的磨削厚度值是否发生变化；当在预设时长内所述晶圆的磨削厚度值未发生变化时，保存获取的所述晶圆的磨削厚度值。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在接收第一测头测得的承片台中心位置的厚度值、第二测头测得的承片台外环的厚度值之前，所述方法还包括：对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述对第一测量仪的第一测头和第二测量仪的第二测头进行校准的步骤包括：获取第一测头未吸附标准测量块时的第一测量值以及第二测头未吸附标准测量块时的第二测量值；获取第一测头吸附标准测量块时的第三测量值以及第二测头吸附标准测量块时的第四测量值；根据所述第一测量值和所述第三测量值对第一测头进行校准；根据所述第二测量值和所述第四测量值对第二测头进行校准。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述根据所述第一测量值和所述第三测量值对第一测头进行校准的步骤包括：计算所述第三测量值与所述第一测量值之差，获取第一差值；将所述第一差值与所述标准测量块的厚度值进行比较；当所述第一差值与所述标准测量块的厚度值之差小于预设值时，校准完成；当所述第一差值与所述标准测量块的厚度值之差大于或者等于预设值时，由第一测头的放大器继续对第一测头进行校准。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：刘国敬，张文斌，衣忠波，王仲康，孙莉莉，黄佳鑫，
申请(专利权)人：北京中电科电子装备有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11