The invention relates to a system and method for controlling the thickness profile of a wafer, and a chemical mechanical planarization machine, which is a chemical mechanical planarization process by using closed loop control to improve uniformity in wafers. For example, closed loop control may be used to determine the control mode of this chemical planarization process, and to achieve a more uniform and consistent ideal change in the semiconductor wafer.
【技术实现步骤摘要】
控制晶圆的厚度轮廓的系统、方法及化学机械平坦化机台
本专利技术涉及化学机械研磨(CMP)工艺，特别是涉及一种使用量测技术及封闭回路控制(CLC)以改善晶圆内的金属薄膜厚度均匀性的装置、系统及方法。
技术介绍
因为电脑技术持续地演进，因此需要朝向产生更小且更先进的电子装置，例如是电脑装置、通讯装置或是记忆装置等。为了减少这些装置的尺寸而同时又能够维持或改善其各自的表现，在这些装置内的元件尺寸也必须随着缩小。这些电子装置内的许多元件是由半导体材料构成，其在某些情况下是经由称为半导体晶圆的结构所提供。在最近几年，有着许多与改善半导体装置工艺能力的演进开发出来以使得这些半导体装置具有更小的尺寸。半导体装置尺寸的缩减可以提供更高的密度及改善其集成电路的表现。在许多使用集成电路的电子装置中，集成电路中可以包括成千上万个例如是晶体管、电阻或电容器的离散元件，其在单一晶圆内非常紧密地制造在一起。在某些情况下，这些非常接近的元件会产生一些不欲见的效应，例如寄生电容或是其他会导致效能降低的情况。因此，在一半导体装置的一共同基板内元件间的电性隔离就变成工艺中一个十分重要的考量。...
【技术保护点】
一种控制一晶圆的厚度轮廓的系统，其特征在于其包含：一控制模块；一化学机械平坦化机台；至少一厚度量测器；以及其中该控制模块接收由该至少一厚度量测器所量测到的该晶圆的该厚度轮廓而决定该化学机械平坦化机台的一控制模式。
【技术特征摘要】
2012.07.12 US 13/547,3331.一种控制一晶圆的厚度轮廓的系统，其特征在于其包含: 一控制模块； 一化学机械平坦化机台； 至少一厚度量测器；以及 其中该控制模块接收由该至少一厚度量测器所量测到的该晶圆的该厚度轮廓而决定该化学机械平坦化机台的一控制模式。2.根据权利要求1所述的控制一晶圆厚度轮廓的系统，其特征在于其中所述的控制模块包含该化学机械平坦化机台的一研磨头的多个控制变数。3.根据权利要求3所述的控制一晶圆的厚度轮廓的系统，其特征在于其中所述的多个控制变数包含施加至该研磨头中一系列点上的多个压力。4.根据权利要求2所述的控制一晶圆的厚度轮廓的系统，其特征在于其中所述的多个控制变数包含施加至该研磨头中一系列点上的多个温控装置。5.根据权利要求1所述的控制一晶圆的厚度轮廓的系统，其特征在于其中所述的化学机械平坦化机台是金属化学机械平坦化机台，且该厚度轮廓是一金属厚度轮廓。6.一种化学机械平坦化机台，其特征在于其包含一研磨头，其具有施加至该研磨头中一系列点上的多个温控装置，其中该施加至该研磨头中一系列点上的温控装置是被控制用以达成在使用该化学机械平坦化机台进行研磨的一晶圆的理想厚度轮廓。7.根据权利要求6所述 的化学机械平坦化机台，其特征在于其中该施加至该研磨头中一系列点上的多个温控装置决定一理想温度分布，以达到厚度轮廓的目标值。8.根据权利要求6所述的化学机械平坦化机台，其特征在于其还包含施加至该研磨头中一系列点上的多个压力，其中该施加至该研磨头中一系列点上的该多个温控装置及该多个压力决定该理想厚度轮廓。9.一种控制一晶圆的厚度轮廓的方法，其特征在于其包括以下步骤: 特定...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈璟昆，陈俊甫，苏金达，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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