晶圆铜膜厚度的绘图方法及系统技术方案

本发明专利技术提出一种晶圆铜膜厚度的绘图方法及系统，其中方法包括以下步骤：获取晶圆铜膜厚度的测量数据；根据测量数据的测量模式确定测量点的坐标分布，并将测量数据和各个测量点坐标一一对应；根据测量点坐标分布和测量数据绘制晶圆铜膜厚度的视图。根据本发明专利技术实施例的绘图方法，通过测量模式确定多个测量点分布，并根据每个测量点的坐标和其铜膜厚度绘制晶圆铜膜厚度的视图，该方法满足了用户的绘图功能需求，降低了绘图功能的开发难度，同时使用方便灵活。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提出一种晶圆铜膜厚度的绘图方法及系统，其中方法包括以下步骤：获取晶圆铜膜厚度的测量数据；根据测量数据的测量模式确定测量点的坐标分布，并将测量数据和各个测量点坐标一一对应；根据测量点坐标分布和测量数据绘制晶圆铜膜厚度的视图。根据本专利技术实施例的绘图方法，通过测量模式确定多个测量点分布，并根据每个测量点的坐标和其铜膜厚度绘制晶圆铜膜厚度的视图，该方法满足了用户的绘图功能需求，降低了绘图功能的开发难度，同时使用方便灵活。【专利说明】晶圆铜膜厚度的绘图方法及系统
本专利技术涉及化学机械抛光
，特别涉及一种晶圆铜膜厚度的绘图方法及系统。
技术介绍
化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing,简称CMP)技术是集成电路制造中制备多层铜互连结构的关键技术之一。作为目前最有效的全局平坦化方法，CMP技术可以有效兼顾晶圆局部和全局平坦度。目前，CMP技术已经发展成为以化学机械抛光设备为主体，集终点检测、离线测量、清洗和干燥等技术于一体的化学机械平坦化技术，是晶圆直径向更大过渡、提高生产率、降低制造成本以及衬底全局平坦化所必需的工艺技术。在CMP工艺后，利用离线测量子系统可对晶圆表面的剩余铜膜厚度进行准确有效的测量。作为离线测量控制系统的重要组成部分，晶圆铜膜厚度绘图系统为工艺人员提供了操作方便的高级绘图功能，在保证测量数据被客观表示的同时，使得工艺人员对抛光结果有更加直观的认识。本CMP控制系统软件采用Qt开发，但是Qt不善于高性能的绘图操作，不能很好地满足离线测量子系统绘图功能的开发需求。因此，对于绘图系统的开发，需借助其他工具实现。
技术实现思路
本专利技术的目的旨在至少解决上述的技术缺陷之一。为此，本专利技术一方面提供一种晶圆铜膜厚度的绘图方法。本专利技术的另一方面提出一种晶圆铜膜厚度的绘图系统。有鉴于此，本专利技术的实施例提出一种晶圆铜膜厚度的绘图方法，包括以下步骤:获取晶圆铜膜厚度的测量数据；根据所述测量数据的测量模式确定K个测量点的坐标分布，所述测量数据和所述K个测量点坐标一一对应；以及根据每个测量点的坐标和对应的测量数据绘制所述晶圆铜膜厚度的视图。根据本专利技术实施例的绘图方法，通过测量模式确定多个测量点分布，并根据每个测量点的坐标和其铜膜厚度绘制晶圆铜膜厚度的视图，该方法满足了用户的绘图功能需求，降低了绘图功能的开发难度，同时使用方便灵活。在本专利技术的一个实施例中，所述测量模式包括XY模式和全局模式，所述XY模式中，所述K个测量点分布于所述晶圆的两条垂直直径上，所述全局模式中，所述K个测量点分布于以所述晶圆圆心为圆心的同心圆上。在本专利技术的一个实施例中，所述全局模式中，所述K个测量点分布于以所述晶圆圆心为圆心的一组同心圆上，且所述一组同心圆为的圈数为6个、7个、8个、9个或10个的同心圆，其对应的测量点总数分别为121点、169点、225点、289点和361点。有鉴于此，本专利技术的实施例另一方面提出一种晶圆铜膜厚度的绘图系统，包括:数据获取单元，利用函数load读取指定的晶圆铜膜厚度的数据文件，以获得所述数据文件的测量数据，其中，所述测量数据文件的格式为.txt ;生成单元，根据所述测量数据的模式因数生成对应的测量点坐标分布；以及绘图单元，将每个所述测量数据与对应的坐标一一对应以生成所述晶圆铜膜的视图。根据本专利技术实施例的绘图方法，通过测量模式确定多个测量点，并根据每个测量点的坐标和其铜膜厚度绘制晶圆铜膜厚度的视图，该方法满足了用户的绘图功能需求，降低了绘图功能的开发难度，同时使用方便灵活。在本专利技术的一个实施例中，所述绘图系统通过Matlab编译环境进行编译生成，且所述绘图系统运行在上位机IPC中。在本专利技术的一个实施例中，主控制系统通过OPC数据访问方式获取所述晶圆铜膜厚度的测量数据。在本专利技术的一个实施例中，所述主控制系统通过Qt的Signal/Slot机制为所述绘图系统的调用保留槽函数，以启动绘图功能。本专利技术附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本专利技术的实践了解到。【专利附图】【附图说明】本专利技术上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中:图1为根据本专利技术一个实施例的晶圆铜膜厚度的绘图方法的流程图；图2为根据本专利技术一个实施例的361点测量点分布示意图；图3为根据本专利技术一个实施例的晶圆铜膜厚度的绘图系统的结构框图；6图4为根据本专利技术一个实施例的数据预处理的主要内容；以及图5为根据本专利技术一个实施例的主控系统与绘图系统调用关系的示意图。【具体实施方式】下面详细描述本专利技术的实施例，实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本专利技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本专利技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。在本专利技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。图1为根据本专利技术一个实施例的晶圆铜膜厚度的绘图方法的流程图。如图1所示，根据本专利技术实施例的晶圆铜膜厚度的绘图方法，包括以下步骤:获取晶圆铜膜厚度的测量数据；根据测量数据的测量模式确定K个测量点的坐标分布，测量数据和K个测量点坐标一一对应；以及根据每个测量点的坐标和对应的测量数据绘制晶圆铜膜厚度的视图。在本专利技术的一个实施例中，测量模式包括XY模式和全局模式，XY模式中，K个测量点分布于晶圆的两条垂直直径上，全局模式中，K个测量点分布于以晶圆圆心为圆心的一组同心圆上。全局模式根据测量点总数的不同，可进一步分为不同的子模式，具体地说，在全局模式下，K个测量点依据8系列点分布，分布于以晶圆圆心为圆心的一组同心圆上。同心圆的个数可取6个、7个、8个、9个或10个，对应的测量点总数分别为121点、169点、225点、289点和361点。根据需要，同心圆个数和测量点总数还可适当增加。361点的分布如图2所示。全局模式中测量点分布如表1所示。【权利要求】1.一种晶圆铜膜厚度的绘图方法，其特征在于，包括以下步骤: 获取晶圆铜膜厚度的测量数据； 根据所述测量数据的测量模式确定K个测量点的坐标分布，所述测量数据和所述K个测量点坐标--对应； 根据测量点坐标分布和对应的测量数据绘制所述晶圆铜膜厚度的视图。2.如权利要求1所述的晶圆铜膜厚度的绘图方法，其特征在于，所述测量模式包括XY模本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶圆铜膜厚度的绘图方法，其特征在于，包括以下步骤：获取晶圆铜膜厚度的测量数据；根据所述测量数据的测量模式确定K个测量点的坐标分布，所述测量数据和所述K个测量点坐标一一对应；根据测量点坐标分布和对应的测量数据绘制所述晶圆铜膜厚度的视图。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：路新春，李弘恺，赵德文，余强，赵乾，何永勇，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：北京;11