本发明公开了一种IGBT器件结构。包括：N‑衬底，N‑衬底的上表面为第一主面，N‑衬底的下表面为第二主面，第二主面一侧设置有FS层，FS层远离N‑衬底的一端设置有P+层与N+层，第一主面一侧设置有元胞，元胞包括与N‑衬底连接的P型体区、...