三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有42913项专利

  • 提供了一种用于管理电路交换信令连接释放的方法和用户设备。所述方法包括通过向核心网(CN)发送连接管理(CM)服务请求消息来启动电路交换(CS)连接建立过程。响应于未能在一时间段内接收到CM服务接受消息,移动性管理(MM)连接建立被中止。...
  • 提供了一种用于在电子装置中显示服务信息的电子装置和方法。所述电子装置包括:短距离通信单元,被配置为将电子装置连接到外部装置;控制器,被配置为如果电子装置经由短距离通信单元连接到外部装置,则从用于与外部装置连接的信息消息提取由提供外部装置...
  • 提供一种支持LED闪烁减轻以减少运动模糊的HDR图像传感器及其操作方法。时序控制器电路生成控制图像传感器的操作的至少一个控制信号。分裂光电二极管(PD)像素包括可以独立地曝光于来自光源的一个或多个光突发的至少两个或更多个光电二极管。两个...
  • 提供一种提供“语音‑消息”呼叫服务的系统和方法。一种与外部移动装置执行呼叫的移动装置包括:控制单元,被配置为在移动装置与外部移动装置之间的呼叫期间获得从在移动装置与外部移动装置之间交换的语音数据转换的文本,并获得输入到移动装置的输入文本...
  • 提供了一种发送设备及其交织方法。该发送设备包括:编码器,被配置为通过基于奇偶校验矩阵进行低密度奇偶校验(LDPC)编码来产生LDPC码字;交织器,被配置为对LDPC码字进行交织;调制器,被配置为将交织后的LDPC码字映射到调制符号上,其...
  • 提供了一种磁阻随机存取存储(MRAM)器件及其制造方法。根据实施例,MRAM器件可以包括:在包括单元区域和外围区域的衬底上的第一层间绝缘层、延伸穿过单元区域的第一层间绝缘层的下电极接触部、在每个下电极接触部上的第一结构以及在单元区域和外...
  • 本公开提供了具有栅极绝缘层的半导体器件。一种半导体器件包括:栅极沟槽;上栅极绝缘层,在栅极沟槽的上部区域的内表面上;下栅极绝缘层,在栅极沟槽的下部区域的内表面和下表面上并且连接到上栅极绝缘层;第一栅极阻挡层,在下栅极绝缘层的内侧上;栅电...
  • 一种半导体器件包括:在衬底上的有源鳍;在衬底上的第一隔离图案;所述第一隔离图案在每个有源鳍的下侧壁上延伸;第三隔离图案,包括延伸到第一隔离图案中的上部和延伸到衬底的上部中的下部,该下部与第三隔离图案的上部接触,并且该下部的下表面的宽度大...
  • 提供了一种三维半导体存储器装置。该装置可以包括在包括单元阵列区和连接区的基底上的第一堆叠结构、在第一堆叠结构上的第二堆叠结构、在单元阵列区上并且穿透第一堆叠结构并使基底和第二堆叠结构的底表面暴露的第一竖直沟道孔、在单元阵列区上并且穿透第...
  • 公开了一种半导体装置。所述半导体装置包括在基底上的堆叠结构。堆叠结构包括阶梯区域和位于阶梯区域之间的中心区域,上绝缘层位于堆叠结构上,覆盖绝缘层位于堆叠结构的阶梯区域上。覆盖绝缘层包括与上绝缘层相邻的第一上端部分和第二上端部分。上绝缘层...
  • 本发明公开一种集成电路器件,其包括:下电极、上电极以及在下电极和上电极之间的电介质层结构,该电介质层结构包括面对下电极的第一表面和面对上电极的第二表面。该电介质层结构包括:第一电介质层,包括由第一电介质材料形成并且从第一表面延伸到第二表...
  • 提供了一种半导体器件及其制造方法,所述制造半导体器件的方法包括:形成第一电极;在第一电极上形成初始介电层;在初始介电层上形成第二电极;以及使初始介电层至少部分地相变以形成介电层。第一电极与介电层之间的界面能可以小于第一电极与初始介电层之...
  • 本公开提供了集成电路器件及其制造方法。在集成电路器件的电容器中,电介质结构包括通过氧化电极的表面获得的结晶诱导膜以及形成在结晶诱导膜上的电介质膜,以减少电介质膜中产生的缺陷密度,改善泄漏电流,并减小等效氧化物厚度。
  • 一种半导体器件包括具有单元区域和与单元区域相邻的连接区域的衬底。下堆叠结构和上堆叠结构设置在衬底上。沟道结构设置为穿过上堆叠结构和下堆叠结构。多个下互连层中最上面的下互连层中包括的下延伸线部分和多个上互连层中最下面的上互连层中包括的上延...
  • 本发明提供一种半导体装置及制造半导体装置的方法,所述半导体装置包括:衬底,包括有源图案;第一层间介电层,位于所述衬底上,所述第一层间介电层在其上部部分上包括凹槽;以及下部连接线,位于所述第一层间介电层中,所述下部连接线电连接到所述有源图...
  • 本公开提供了半导体装置和包括其的半导体封装件。半导体装置包括第一电介质层上的第一缓冲电介质层;按次序布置在第一缓冲电介质层上的第二电介质层和第二缓冲电介质层,第二缓冲电介质层与第一缓冲电介质层接触;以及焊盘互连结构,其穿过第一缓冲电介质...
  • 提供了一种半导体器件。半导体器件可以包括:第一布线图案,在衬底上沿第一方向延伸;以及第二布线图案,在所述第一布线图案上。第二布线图案可以与第一布线图案间隔开并沿第一方向延伸。半导体器件还可以包括:第一栅极结构,至少部分地围绕所述第一布线...
  • 一种用于制造半导体器件的方法包括:提供第一晶片,第一晶片包括基体衬底和元件区域,基体衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面,元件区域设置在基体衬底的所述第一表面上,其中,第一晶片包括彼此相邻的第一半导体芯片区域和第二半导体芯片区域,第一半...
  • 公开了一种衬底接合设备和一种衬底接合方法。所述衬底接合设备包括:下卡盘,其承接下衬底;以及上卡盘,其布置在下卡盘上方。上衬底固定于上卡盘。上卡盘和下卡盘将上衬底与下衬底接合。上卡盘具有朝向下卡盘的上凸表面。上凸表面包括沿方位角方向交替布...
  • 提供一种非易失性存储器和一种竖直NAND闪存。所述非易失性存储器包括:存储器单元区域,包括靠近存储器单元区域的第一端的外部区域和通过外部区域与第一端分开的内部区域;第一位线和第二位线;外部存储器单元串,包括连接到延伸通过外部区域的外部柱...
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