三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有42395项专利

  • 公开了一种通信技术,用于将支持比4G系统更高的数据速率的5G通信系统与IoT技术融合;及其系统。本公开可以应用于基于5G通信技术和IoT相关技术的智能服务(例如智能家庭、智能建筑、智能城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售、...
  • 本公开涉及一种通信方法和系统,该通信方法和系统用于融合用于支持超过第四代(4G)系统的更高的数据速率的第五代(5G)通信系统和物联网(IoT)技术。本公开可以应用于基于5G通信技术和与物联网相关的技术的智能服务,诸如智能家居、智能建筑、...
  • 提供一种用户设备UE的用于双连接的上行链路传输的方法,该方法包括:识别关于从UE到第一小区组的传输的第一传输功率和从UE到第二小区组的传输的第二传输功率的信息;基于该信息向第一小区组和第二小区组中的至少一个进行传输,其中,第一传输功率由...
  • 本公开涉及被提供用于支持超越诸如长期演进的第四代通信系统的更高数据速率的第5代通信系统。提供一种在无线通信系统中由用户设备获取系统信息SI的方法。所述方法包括:从基站接收包括第一信息和第二信息的系统信息,其中第一信息与一个或多个前导码相...
  • 提供一种用于发送分组的发送实体,所述发送实体包括:收发器;和耦合到收发器的至少一个处理器,其中,至少一个处理器被配置为:生成包括报头和有效载荷的分组,该分组包括资产传递特性ADC消息,所述ADC消息包括对于ADC的信息,并且发送所述分组...
  • 提供一种发送设备及其交织方法。所述发送设备包括:编码器,被配置为通过基于奇偶校验矩阵进行低密度奇偶校验(LDPC)编码来产生LDPC码字;交织器,被配置为对LDPC码字进行交织;调制器,被配置为将经过交织的LDPC码字映射到调制符号上,...
  • 提供一种发送设备及其交织方法。所述发送设备包括:编码器,被配置为通过基于奇偶校验矩阵进行低密度奇偶校验(LDPC)编码来产生LDPC码字;交织器,被配置为对LDPC码字进行交织;调制器,被配置为将经过交织的LDPC码字映射到调制符号上,...
  • 提供了一种传输设备。所述传输设备包括:编码器,配置成通过基于包括信息字位和奇偶校验位的奇偶校验矩阵对输入位进行低密度奇偶校验(LDPC)编码来生成LDPC码字,所述LDPC码字包括多个位组,所述多个位组中的每个位组包括多个位;交织器,配...
  • 提供了一种传输设备。所述传输设备包括:编码器,所述编码器配置成使用奇偶校验矩阵在输入位上执行低密度奇偶校验(LDPC)编码,从而生成包括信息字位和奇偶校验位的LDPC码字;交织器,所述交织器配置成将所述LDPC码字交织;以及调制器,所述...
  • 本发明提供一种天线模块,所述天线模块包括:天线基板,包括天线图案;半导体封装件,设置在所述天线基板的下表面上,电连接到所述天线基板,并具有嵌入在所述半导体封装件中的至少一个半导体芯片;以及电子组件,设置在所述天线基板的所述下表面上或侧表...
  • 发光器件、其制造方法和包括其的显示设备,所述发光器件包括:彼此面对的第一电极和第二电极;设置在所述第一电极和所述第二电极之间的发射层,所述发射层包括量子点;以及设置在所述发射层和所述第二电极之间的电子辅助层,所述电子辅助层包括纳米颗粒和...
  • 本公开提供一种发光装置封装件,包括:单元阵列,其具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,并且在第一表面的水平延伸线的一部分上包括半导体发光单元,半导体发光单元中的每一个包括第一导电类型半导体层以及顺序地位于包括第一导电类型半导体层的侧壁...
  • 提供了三维半导体装置,所述三维半导体装置包括:外围电路结构,设置在下基底上并且包括内部外围垫部;上基底,设置在外围电路结构上;堆叠结构,设置在上基底上并且包括栅极水平图案;竖直沟道结构,在上基底上的第一区中穿过堆叠结构;第一竖直支撑结构...
  • 一种三维(3D)半导体存储器件可以包括:堆叠结构,包括顺序地堆叠在衬底上的栅电极;以及穿透堆叠结构的垂直沟道。栅电极可以包括顺序地堆叠在衬底上的地选择栅电极、单元栅电极、串选择栅电极和擦除栅电极。
  • 提供了一种可变电阻非易失性存储器装置,其包括:半导体基底;第一导线,均在半导体基底上沿与半导体基体垂直的第一方向延伸,并在第二方向上间隔开。第二导线在第一导线的第一侧上沿与半导体基底平行的第二方向延伸,第三导线在第一导线的与第一侧相对的...
  • 一种半导体存储器件包括:衬底,包括其上设置存储单元的单元区域和其上设置导电图案的连接区域,导电图案电连接到存储单元;第一字线堆叠,包括堆叠在单元区域中的衬底上并延伸到连接区域的多个第一字线;第二字线堆叠,包括堆叠在单元区域中的衬底上并延...
  • 一种半导体器件包括:包括有源图案的衬底;跨越有源图案的栅电极;源极/漏极图案,与栅电极的一侧相邻并且在有源图案的上部;电连接到源极/漏极图案的有源接触;以及在源极/漏极图案与有源接触之间的硅化物层,源极/漏极图案包括包含多个半导体图案的...
  • 提供了一种半导体封装件和一种半导体器件。半导体封装件包括:封装衬底;第一半导体器件,在封装衬底的上表面上;第二半导体器件,在第一半导体器件的上表面上;第一连接凸块,附接到封装衬底的下表面;第二连接凸块,置于封装衬底与第一半导体器件之间并...
  • 一种半导体器件可以包括:在包括第一区域和第二区域在内的衬底的第一区域上的栅电极结构;覆盖栅电极结构的上表面的封盖结构,封盖结构包括封盖图案以及覆盖封盖图案的下表面和侧壁的第一蚀刻停止图案;在衬底的第二区域上的对准标记,对准标记包括绝缘材...
  • 公开了制造半导体装置的方法。所述方法包括:在基底上交替地堆叠多个介电层和多个第一半导体层以形成模结构;形成穿透模结构的孔;在基底上形成填充孔的第二半导体层;以及将激光照射到第二半导体层上。
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