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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64085项专利
磁体组件及包括其的电子装置制造方法及图纸
根据本公开的实施方式,可以提供一种电子装置(101)。电子装置可以包括磁体组件,该磁体组件包括:壳体,其包括第一表面、面向与第一表面的方向相反的方向的第二表面、围绕形成在第一表面和第二表面之间的空间的侧表面、以及形成在侧表面中的第一通孔...
用于管理传入呼叫的方法、设备和系统技术方案
本公开公开了一种用于通过发送可操作通知来管理传入呼叫的方法和系统。该方法包括从第一设备接收对第二设备的第一呼叫。该方法包括在多个设备中检测第三设备以传送第一呼叫的可操作通知。该方法包括通过来自第三设备的针对关于可操作通知的动作的确认进行...
除湿器及和用于控制除湿器的方法技术
根据本公开的除湿器包括:环境传感器,用于测量空气的温度和湿度并且生成相应的传感器数据;水箱,配置为存储由除湿器的除湿操作产生的水;水位传感器,配置为检测水箱的水位已经达到预定水位;以及至少一个处理器。至少一个处理器可以:基于从环境传感器...
半导体器件制造技术
一种半导体器件可以包括:沟道层;阻挡层,位于沟道层上并且包括具有与沟道层不同的能带隙的材料;位于阻挡层上的栅电极;位于阻挡层和栅电极之间的栅极半导体层;保护层,位于阻挡层上并且覆盖栅电极;以及源电极和漏电极,位于栅电极的相反侧上并且电连...
用于通过使用从供电设备输入的电力对电池充电的电子设备制造技术
该电子设备包括:连接器,包括电源端和数据端;通信电路,连接到所述数据端;电力转换电路,配置为将从供电设备通过电源端输入的电力信号的电压降低到1/N并将其电流增加到N倍以输出降低的电压和增加的电流;电池,连接到电力转换电路;以及控制电路,...
半导体装置制造方法及图纸
一种半导体装置包括:第一标准单元和第二标准单元,在与半导体基底的上表面平行的第一方向和第二方向中的至少一个上在不同位置处,第一方向和第二方向彼此相交;信号互连件,将第一标准单元和第二标准单元连接;以及监控互连件,在与半导体基底的上表面垂...
无线通信系统中用于接收具有唤醒接收器的终端的PEI的方法及装置制造方法及图纸
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。更具体地,根据本公开的各种实施例,一种由无线通信系统中的终端执行的方法可包括以下步骤:从基站接收指示多个终端的第一子组的唤醒信号(WUS);从所述基站接收指示多个终端的第二子组的寻...
控制信息接收的确认报告制造技术
本公开涉及一种用于将支持超过第四代(4G)系统的更高数据速率的第五代(5G)通信系统与物联网(IoT)技术相融合的通信方法和系统。该方法包括确定接收PDCCH的优先次序,以及基于该优先次序接收PDCCH。第一搜索空间集(SSS)的PDC...
使用多模态软标签的增强的基于视觉的生命体征监测制造技术
一种由至少一个处理器执行的方法包括:获得对象的图像;对对象的图像进行预处理;将预处理的图像输入到根据第一频率分布训练的机器学习模型中,其中,第一频率分布对应于从对一个或多个测试对象执行生命体征测量的一个或多个传感器获得的第一真值;以及从...
半导体封装制造技术
一种半导体封装包括:基板、基板上的逻辑管芯、逻辑管芯的侧表面和上表面上的基础绝缘层、在逻辑管芯的一侧处延伸穿过基础绝缘层的绝缘层贯穿通路、在基础绝缘层的上表面上的高带宽存储器、在基础绝缘层的上表面上的至少一个光学结构以及包括光纤的至少一...
半导体装置制造方法及图纸
提供一种半导体装置,该半导体装置包括:至少部分地重叠的第一沟道图案和第二沟道图案;第一栅极图案,其位于第一沟道图案和第二沟道图案之间,并且与第一沟道图案和第二沟道图案至少部分地重叠;在第一方向上彼此间隔开的第一连接导电图案和第二连接导电...
用于物联网(IoT)非地面网络(NTN)中的闭环时间校正的方法和装置制造方法及图纸
一种用于管理非地面网络中的用户设备(UE)处的全球导航卫星系统(GNSS)位置信息的方法,该非地面网络包括UE和向UE提供覆盖的网络节点(例如,eNB)。一种由无线通信系统中的用户设备(UE)执行的方法,该方法包括:从基站接收关于与处于...
波导偏振器、包括波导偏振器的非接触式信号传输系统和天线装置制造方法及图纸
提供了一种用于通过旋转接头进行非接触式信号传输的系统,包括:发射器和接收器,其中,发射器在旋转接头的第一部件上,接收器在旋转接头的第二部件上,第一部件和第二部件相对并且由气隙隔开,彼此面对的第一部件的表面和第二部件的表面垂直于旋转接头的...
非易失性存储器装置和存储器系统制造方法及图纸
提供非易失性存储器装置和存储器系统。第一组FIFO寄存器分别连接到页缓冲器电路。第二组FIFO寄存器连接到第一组FIFO寄存器。复用器选择从第二组FIFO寄存器输出的多个子数据中的一个。控制电路响应于第一读取命令,通过感测存储在第一存储...
半导体器件和包括半导体器件的数据存储系统技术方案
提供了半导体器件和包括该半导体器件的数据存储系统。一种半导体器件包括:堆叠结构,包括栅电极,其中堆叠结构包括第一区域、第二区域以及其间的第三区域;绝缘层,在堆叠结构上;沟道结构,在第一区域中延伸到堆叠结构中;第一接触插塞,延伸到绝缘层中...
基于多栅极竖直场效应晶体管的单元架构制造技术
提供了一种单元架构。可以提供一种单元架构,其包括竖直场效应晶体管,竖直场效应晶体管具有:用作竖直沟道的至少两个鳍;栅极,其包括围绕第一鳍的第一栅极部分、围绕第二鳍的第二栅极部分、以及提供其间的连接的第三栅极部分;以及顶部源极/漏极,其包...
用户设备(UE)以及UE发起的波束报告的方法技术
公开了一种用户设备(UE)以及UE发起的波束报告的方法。所述UE包括无线电和处理电路,并且所述处理电路被配置为:执行UE发起的波束报告过程,其中,所述波束报告过程包括:经由所述无线电在第一信道中发送波束报告指示消息以发起波束报告;和经由...
聚合物、包括其的抗蚀剂组合物、和使用所述抗蚀剂组合物的图案形成方法技术
提供聚合物、包括其的抗蚀剂组合物、和使用所述抗蚀剂组合物的图案形成方法,所述聚合物包括:包括由式1表示的第一重复单元的第一链、包括由式2表示的第二重复单元的第二链、以及连接所述第一链和所述第二链的由式9表示的交联单元,式1、2和9中的L...
组合物、通过使用其处理含金属的层的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法技术
提供组合物、通过使用其处理含金属的层的方法、和通过使用其制造半导体器件的方法,所述组合物包括氧化剂、基于铵的缓冲剂、和蚀刻控制剂,其中所述蚀刻控制剂包括由式1表示的化合物。式1的描述提供于说明书中。
存储器装置、存储器控制器和高速缓存锁存器初始化方法制造方法及图纸
公开存储器装置、存储器控制器和高速缓存锁存器初始化方法。所述存储器装置包括:存储器单元阵列,包括第一平面和第二平面;页缓冲器电路,包括第一高速缓存锁存器和第二高速缓存锁存器,第一高速缓存锁存器用于存储将被存储在第一平面中的数据,第二高速...
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