三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有41680项专利

  • 本公开涉及用于将5G通信系统与IoT技术集成以实现高于4G系统的数据速率的通信技术和系统。本公开适用于基于5G通信技术和IoT技术的智能服务(例如,智能家居、智能建筑、智能城市、智能汽车或联网汽车、医疗保健、数字教育、零售业务以及安全防...
  • 提供了一种用户设备(UE)接收物理下行链路控制信道(PDCCH)的方法。该UE接收对于包括时域中的一定数量的符号和频域中的一定数量的资源块(RB)的第一控制资源集合的配置信息,该配置信息指示第一数量Nbundle,1的频率连续的RB,以...
  • 本公开涉及将提供的用于支持超越第4代(4G)通信系统(诸如长期演进(LTE))的更高数据速率的准第5代(pre‑5G)或5G通信系统。为此提供了一种用于基站的波束管理的方法和装置。所述方法包含:接收关于终端的波束对应(BC)是否建立的信...
  • 一种电子设备包括从电池向电子组件供电的电源管理电路、控制电池与电源管理电路之间的连接的电池管理电路、形成在电子设备的一部分上的物理键、控制物理键与电池管理电路之间的连接的键控制电路、以及连接到电源管理电路的处理器。处理器被配置为向电源管...
  • 一种用于获得图像的装置包括:投影仪,被配置为将具有预设图案的光投射到对象;第一相机,被配置为感测被对象反射和反馈的光以获得深度图像;第二相机,被配置为获得对象的彩色图像;运动传感器,被配置为感测装置的运动。所述装置还包括:处理器,被配置...
  • 本发明提供一种电子灰尘收集装置。所述电子灰尘收集装置包括充电器和安装在充电器下游的灰尘收集器,其中灰尘收集器包括灰尘收集片,该灰尘收集片包括交替布置在其中的多个第一电极和多个第二电极以及弯曲成之字形使得多个第一电极和多个第二电极彼此面对...
  • 餐具清洗机包括:门,贴附有门识别码;主体,在内部配备有洗涤槽,所述洗涤槽的前方开口通过门而开闭;篮筐,设置为能够出入于洗涤槽内部,并收纳餐具且贴附有篮筐识别码;感测部,感测篮筐识别码和门识别码;多个喷嘴,喷射洗涤水;叶片,在洗涤槽内部反...
  • 本发明的公开关于一种用于在小区内载波聚合系统中发送控制信道的方法和装置。该方法包括:通过采用了时分双工(TDD)方案的主小区(P小区)和采用了频分双工(FDD)方案的次小区(S小区)连接至基站;在根据所述P小区的TDD上行链路‑下行链路...
  • 提供了射频(RF)集成电路、接收器和控制接收器的方法。所述接收器包括支持载波聚合(CA)的放大电路。放大电路包括第一放大器电路,第一放大电路被配置为在块节点处接收来自外部源的射频(RF)输入信号,放大RF输入信号,并将放大后的RF输入信...
  • 本申请提供了时钟信号生成器、锁相环电路及操作方法和无线通信设备,该时钟信号生成器被配置为基于参考时钟信号生成目标输出时钟信号。该时钟信号生成器包括:数字时间转换器(DTC),该数字时间转换器被配置为基于输入代码延迟参考时钟信号,以生成延...
  • 提供了一种半导体装置。所述半导体装置包括:第一鳍型图案和第二鳍型图案,从基底突出并且彼此间隔开以在第一方向上延伸;虚设鳍型图案,从基底突出,并位于第一鳍型图案与第二鳍型图案之间;第一栅极结构,在与第一方向交叉的第二方向上延伸,位于第一鳍...
  • 提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括:多个光检测元件,布置为与多个像素区域对应;滤色器层,在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器;以及光电二极管器件部分,在滤色器层上。光...
  • 提供了一种发光二极管显示装置。所述发光二极管显示装置包括:显示板,包括多个单元像素;驱动电路板,包括与所述多个单元像素对应的多个驱动电路区域;以及多个凸块,置于所述多个单元像素与所述多个驱动电路区域之间。所述多个单元像素包括包含第一P电...
  • 提供一种图像传感器和制造图像传感器的方法。图像传感器包括:阻挡层,包括吸收层和透明层;透镜元件位于阻挡层的下面;感测元件被布置为面向透镜元件。
  • 公开了一种半导体存储器件,包括:位于第一衬底上的外围电路结构;位于所述外围电路结构上的第二衬底;位于所述第二衬底上并且包括多个栅电极的堆叠结构;穿透所述堆叠结构和所述第二衬底的贯穿电介质图案;以及位于所述第二衬底的顶表面上的垂直支撑件,...
  • 本发明公开一种半导体器件,该半导体器件包括在衬底上的在基本上垂直于衬底的顶表面的第一方向上的下栅电极、在第一方向上在下栅电极上的上栅电极、以及在第一方向上延伸通过下栅电极和上栅电极的沟道结构。每个沟道结构包括下沟道结构、上沟道结构以及互...
  • 本发明提供了一种三维半导体存储器件及其制造方法。所述三维半导体存储器件包括:多个电极结构,所述多个电极结构设置在衬底上并在一个方向上彼此平行地延伸,多个电极结构中的每一个电极结构包括在所述衬底上交替堆叠的电极和绝缘层;多个垂直结构,所述...
  • 提供了一种三维半导体存储器件,可以包括具有单元阵列区域、外围电路区域以及位于所述单元阵列区域与所述外围电路区域之间的连接区域的衬底。所述存储器件可以包括:从所述单元阵列区域朝向所述连接区域延伸并且包括堆叠在所述衬底上的多个电极的电极结构...
  • 提供了一种半导体装置,所述半导体装置包括:基底;层间介电层,位于基底上,并具有第一开口和第二开口;第一栅极图案,位于第一开口中,并包括堆叠的第一逸出功图案、第一导电阻挡图案、第一阻挡图案和导电图案;第二栅极图案,位于第二开口中。第二栅极...
  • 提供了半导体器件及制造其的方法。一种半导体器件包括:衬底;n型晶体管,其包括置于衬底上的第一结区域、置于第一结区域上的第一沟道区域、置于第一沟道区域上的第二结区域、以及至少部分地围绕第一沟道区域的第一栅极堆叠;以及p型晶体管,其包括置于...
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