公开化合物、光电器件、光吸收传感器、传感器嵌入式显示面板和电子设备。所述化合物由化学式1表示。在化学式1中，G、R1、R2、R3、X1、Ar1和Ar2各自与说明书中相同。[化学式1]各自与说明书中相同。[化学式1]各自与说明书中相同。[...

公开了一种用于减少可微分架构搜索的计算的方法。通过对神经网络架构的标准单元的中间节点的通道输出进行平均，形成具有标准单元的通道维度的四分之一的通道维度的输出节点。使用1x1卷积对输出节点进行预处理，以形成神经网络架构中的单元的下一层的输...

提供有机金属化合物和包括其的有机发光器件。所述有机金属化合物由式1表示，其中，M1为过渡金属，X

本公开涉及由无线通信系统中的装置执行的方法和装置。提供了一种由无线通信系统中的终端执行的方法。该方法包括：从基站接收包括关于物理下行链路控制信道(PDCCH)跳过时长的信息的无线资源控制(RRC)消息，从基站接收指示用于小区组的服务小区...

公开了一种半导体装置。该半导体装置包括：基底，具有有源区；第一绝缘层，在基底上；第二绝缘层，在第一绝缘层上；蚀刻停止层，在第一绝缘层与第二绝缘层之间；过孔触点，在第一绝缘层中，并且电连接到有源区；互连电极，在第二绝缘层中，并且电连接到过...

一种图像传感器包括双垂直栅极。双垂直栅极包括在第一方向上彼此间隔开并且在与第一方向垂直的第二方向上垂直地延伸到衬底中的两个垂直延伸部分，以及将两个垂直延伸部分彼此连接的连接部分。元件隔离层在第一方向上与垂直延伸部分的侧表面相邻设置。两个...

一种沉积设备包括其中具有至少一个第一进气口的腔室。固定卡盘安装在腔室中，并且静电卡盘安装在固定卡盘上。边缘环设置在静电卡盘的边缘上。喷头设置在边缘环上方。挡板设置在喷头上方，并且上电极设置在挡板上方。气体引导构件设置在上电极上方，使得设...

提供了存储设备、存储系统操作方法和计算系统。所述存储设备包括非易失性存储器和存储器控制器，其中，所述存储器控制器对明文进行加密以生成具有不同级别的同态密文当中的具有第一级别的同态密文，将所述具有第一级别的同态密文存储在所述非易失性存储器...

提供了存储模块、包括其的系统以及存储模块的操作方法。所述存储模块包括设备存储器以及控制器，所述设备存储器被配置为存储数据，并且包括第一存储区域和第二存储区域，所述控制器包括加速器电路。所述控制器被配置为：控制所述设备存储器；响应于模式改...

公开了一种由受训者穿戴以便输出扭矩的穿戴式装置。一个实施例包括：电机；电机驱动器电路；通信电路，用于从服务器或电子装置接收关于第一用户的移动信息；框架，连接到所述电机，并且被穿戴在第二用户的下身上以支撑所述下身；传感器；以及处理器，用于...

根据各种实施方式，一种电子装置包括：第一壳体；第二壳体；铰链器件，连接第一壳体和第二壳体以便可折叠；显示面板，其是柔性显示器，布置成通过铰链器件由第二壳体从第一壳体支撑，并且包括窗口层和设置在窗口层下方以对应于第二壳体并至少部分地向外延...

一种电子装置包括多个第一天线、第二天线和至少一个处理器。所述至少一个处理器使用所述多个第一天线或所述第二天线中的一者发射第一定位信号；使用所述多个第一天线中的至少一个接收第一接收信号；当所述第一接收信号的强度小于阈值时，使用所述多个第一...

根据各种实施例，可以提供一种电子装置，所述装置包括：壳体；第一显示器，其可以通过所述壳体滑动并且具有通过所述壳体暴露于外部的至少一部分，其中所述第一显示器的暴露于外部的区域可基于通过所述壳体的滑动而改变；第二显示器，其与所述第一显示器的...

一种存储设备，包括次电源、充电电路、保护电路和主系统。次电源包括多个电容器，基于充电电压被充电，以及产生内部电源电压。充电电路基于外部电源电压来产生充电电压。保护电路监控多个电容器中的至少一个电容器是否有缺陷，并阻断至少一个有缺陷的电容...

一种非易失性存储器件，包括存储器单元阵列、电压发生器、电压路径电路和字线缺陷检测电路。存储器单元阵列包括存储器单元和连接到存储器单元的字线。电压发生器生成施加到字线的字线电压。电压发生器和存储器单元阵列之间的电压路径电路向字线传送字线电...

一种半导体存储设备，包括源极层、沟道结构、在源极层上且在沟道结构的侧壁上间隔开的栅电极，以及公共源极线。栅电极包括第一字线组和第二字线组，第一字线组包括第一栅电极和第二栅电极，第二字线组包括第三栅电极和第四栅电极。响应于公共源极线的电压...

公开了一种用于形成布线的方法和用于制造半导体装置的方法。在形成布线的方法中，在衬底上形成包括低k电介质材料的层间绝缘层。在层间绝缘层上形成第一蚀刻掩模。使用第一蚀刻掩模执行第一蚀刻工艺以形成穿过层间绝缘层的第一开口。去除第一蚀刻掩模。在...

公开有机金属化合物、包括其的有机发光器件、和包括所述有机发光器件的电子设备。所述有机金属化合物由式1表示，其中，在式1中，M1为过渡金属，Ln1为由式1A表示的配体，Ln2为由式1B表示的配体，n1为1或2，并且n2为1或2，其中式1A...

提供了一种半导体存储器件。该半导体存储器件包括：基板；设置在基板之上的晶体管，该晶体管具有限定内部空间的沟道区；以及电容器，在该内部空间中在垂直方向上穿过该晶体管。在该内部空间中在垂直方向上穿过该晶体管。在该内部空间中在垂直方向上穿过该...

提供电容器、包括其的电子器件、和制造其的方法，所述电容器包括：第一薄膜电极层；第二薄膜电极层；在所述第一薄膜电极层和所述第二薄膜电极层之间的介电层；以及在所述第一薄膜电极层或所述第二薄膜电极层的至少一个和所述介电层之间的中间层，所述中间...