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三星电子株式会社专利技术
三星电子株式会社共有64085项专利
具有浮置电极结构的半导体器件制造技术
提供了一种半导体器件。该半导体器件包括:衬底;漂移区和主体区,在衬底的上部;场氧化层,在衬底的漂移区上;栅电极,与漂移区的一部分和主体区的一部分竖直地重叠,栅电极包括场氧化层上的第一延伸部;在栅电极的在衬底的主体区中的第一侧上的源区;在...
传感器组件和包括该传感器组件的电子装置制造方法及图纸
根据本公开的一个实施例,可以提供一种电子装置。该电子装置可以包括:显示器,其包括显示面板;传感器组件,其被设置为面向显示面板的后表面;以及至少一个处理器,其电连接到显示器和传感器组件。显示面板可以包括多条扫描线,该多条扫描线包括在第一方...
电子装置及其控制方法制造方法及图纸
本电子装置包括:图像投影单元;第一传感器;第二传感器;存储器,存储一条或多条指令;以及至少一个处理器,包括处理电路,并与图像投影单元、第一传感器、第二传感器和存储器操作地连接。至少一个处理器被配置为单独地和/或共同地执行一条或多条指令以...
用于闭环管理的方法和系统技术方案
本公开涉及用于支持更高数据传输速率的5G或6G通信系统。一种保障闭环控制环路(ACCL)提供者从消费者接收对动态保障闭环控制环路触发(DynamicACCLTrigger)信息对象类(IOC)的第一请求,在接收到第一请求后对Dynami...
基于生成式AI的视频纵横比增强制造技术
一种方法包括:使用电子设备的至少一个处理设备获得第一纵横比的包括多个场景的视频。所述方法还包括:使用所述至少一个处理设备对所述多个场景中的每一个执行后向光流估计和前向光流估计,以选择具有最大缺失区域的图像帧。该方法还包括:使用所述至少一...
包括堆叠晶体管的集成电路器件及其制造方法技术
提供了集成电路器件及其形成方法。集成电路器件可以包括:衬底;在衬底的上表面上的绝缘体;在衬底和绝缘体之间的晶体管,晶体管包括:沟道层,在垂直于衬底的上表面的第一方向上彼此间隔开;以及在沟道层和绝缘体上的栅极结构,其中绝缘体在与衬底的上表...
在时分双工系统中使用保护时段的自适应提前传输的方法和设备技术方案
本公开涉及用于支持比诸如LTE的4G通信系统更高的数据传输速率的5G或6G通信系统。根据本公开的实施例的用于在无线通信系统中操作用户设备(UE)的方法可以包括以下步骤:从基站接收包括用于自适应提前传输的上行链路资源信息的控制消息;从基站...
多业务中继传输制造技术
用于多业务中继传输的方法和装置。一种由无线设备执行的无线通信的方法,该方法包括:从源节点接收对用于多业务传输的中继能力的指示;从源节点接收指示消息用于中继操作的消息;以及将消息中继到目的地节点。
半导体封装及制造半导体封装的方法技术
一种半导体封装包括:第一半导体芯片;第二半导体芯片,贴附到第一半导体芯片的上表面;硅散热体,热连接到第一半导体芯片和第二半导体芯片中的至少一个;以及模制构件,被配置为围绕第一半导体芯片和第二半导体芯片并暴露硅散热体的上表面。
半导体器件、电子设备和制造半导体器件的方法技术
半导体器件包括包含二维半导体材料的沟道、分别电连接到沟道的两端的源极电极和漏极电极、沟道上的二维材料氧化物层、二维材料氧化物层上的偶极子氧化物层、偶极子氧化物层上的介电层以及介电层上的栅极电极。
流处理的方法和装置制造方法及图纸
提供了流处理的方法和装置。在一个或多个示例中,所述方法包括:接收包括请求报头和输入数据流的存储器事务请求;确定请求报头指示基于输入数据流执行的功能;基于请求报头的位置指示符确定执行功能的位置,位置指示符指示输入数据流的源装置、输出数据流...
用于执行功率控制的电子装置及其操作方法制造方法及图纸
根据本公开的实施例,一种电子装置(101)包括:图形处理单元(GPU)(213)和多媒体块(215)中的至少一个;处理器(120、200、211);以及存储器(130),用于存储指令,其中该指令在由处理器执行时使电子装置:检测处理器的处...
用于沉浸式画面的显示装置及其控制方法制造方法及图纸
公开了一种显示装置。该显示装置包括:通信接口;显示器;存储器,用于存储一个或多个指令;以及一个或多个处理器,其中,一个或多个处理器执行一个或多个指令以控制显示器,使得:基于从源装置接收到的内容来显示图像;当用于与外部装置进行通信的网络状...
耦合器和包括耦合器的芯片制造技术
公开了耦合器和包括耦合器的芯片。所述耦合器包括:第一单元电路,连接在第一差分线对与单端线之间;第二单元电路,连接在第二差分线对与单端线之间;多条传输线,包括连接在第一差分线对与交叉差分线对之间的第一组传输线、以及连接在第二差分线对与交叉...
用于相位管理的电路和方法技术
在此的实施例公开了一种用于相位管理的电路和方法。所述用于相位管理的电路包括多个电流模式逻辑(CML)IQ分频器、多个相位插值器和检测器电路,其中,检测器电路确定来自所述多个CML IQ分频器的多个时钟信号之间的相位关系,并且基于确定的相...
用于大块卷存储的高效元数据管理的方法和设备技术
提供了用于大块卷存储的高效元数据管理的方法和设备,其中卷管理器接收具有对应的卷逻辑块地址(vLBA)集的命令;卷管理器基于对应的vLBA集来确定用于存储设备中的块卷存储的可变粒度卷映射(VVM)的桶;VVM的条目被划分为桶,并且条目包括...
基于共封装的装置和系统以及用于共封装的方法制造方法及图纸
提供了基于共封装的装置和系统以及用于共封装的方法。所述装置可包括具有第一附接位置和第二附接位置的基底,第一光子集成电路可安装在第一附接位置内,并且桥可安装在第二附接位置内。第一计算装置可安装在基底上并且至少部分地在第一附接位置和第二附接...
用于感测用户的生物特征信息的可穿戴装置制造方法及图纸
根据实施例的可穿戴装置可以包括壳体,该壳体包括第一表面,该第一表面被配置为在可穿戴装置被穿戴在用户的第一身体部分的状态下接触该第一身体部分,与第一表面相对的第二表面,以及从第二表面朝向第一表面凹陷的凹槽。可穿戴装置可以包括在壳体中的第一...
包括栅电极的半导体装置制造方法及图纸
提供了一种半导体装置。该装置包括:有源层,其在第一水平方向上延伸,有源层包括沿第一水平方向顺序地布置的第一源极/漏极区、沟道区和第二源极/漏极区;位线,其在竖直方向上延伸并连接到第二源极/漏极区;信息存储结构,其连接到第一源极/漏极区;...
半导体器件制造技术
一种半导体器件包括:沟道层;阻挡层,所述阻挡层位于所述沟道层上;栅电极层,所述栅电极层位于所述阻挡层上;栅极半导体层,所述栅极半导体层位于所述阻挡层与所述栅电极层之间;源电极和漏电极,所述源电极和所述漏电极连接到所述沟道层;场分散层,所...
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