本发明提供一种半导体器件以及包括该半导体器件的数据存储系统。该半导体器件可以包括：半导体基板；在半导体基板上的外围电路结构；板图案，在外围电路结构上并具有间隙；以及堆叠结构，在板图案上并包括第一堆叠区域和第二堆叠区域。第一堆叠区域可以包...

提供了半静态配置增强，具体地，公开了一种系统和方法，用于提供对半静态调度(SPS)的增强以匹配业务，同时还提供与业务和SPS配置相关的功率节省、资源利用和HARQ增强。SPS配置可包括无线网络的物理下行链路共享信道(PDSCH)中的用于...

提供了包括通路的集成电路器件及形成该集成电路器件的方法。该方法可以包括在基板上形成导电线结构。导电线结构可以包括第一绝缘层和在第一绝缘层中的导电线堆叠，并且导电线堆叠可以包括堆叠在基板上的导电线和掩模层。该方法还可以包括：通过去除掩模层...

一种半导体装置，包括：衬底；在衬底上的栅电极；在衬底和栅电极之间的沟道层，沟道层包括非晶氧化物半导体，并且栅电极的宽度大于沟道层的宽度；连接到沟道层的第一侧表面的第一导电电极；以及连接到沟道层的第二侧表面的第二导电电极。二导电电极。二导...

本公开提供了半导体器件以及包括其的数据存储系统。一种半导体器件包括：具有第一区域和第二区域的基板；栅电极，在垂直于基板的上表面的第一方向上彼此间隔开，在第二方向上延伸，并在第二区域上具有不同的长度；沟道结构，穿透栅电极，在第一方向上延伸...

一种图像传感器包括：衬底，其包括第一区和包围第一区的第二区；衬底中的感光元件；感光元件上的平坦化层；包括滤色器的滤色器阵列层，其在衬底的第一区上的平坦化层上；光阻挡金属图案，其在衬底的第二区上的平坦化层上；伪滤色器层，其在第二区的邻近于...

一种多桥沟道场效应晶体管及制造其的方法，该多桥沟道场效应晶体管包括：基板、在基板上的第一源极/漏极图案、在基板上沿第一方向与第一源极/漏极图案分开的第二源极/漏极图案、在第一源极/漏极图案和第二源极/漏极图案之间的第一沟道层和第二沟道层...

一种半导体器件和包括该半导体器件的电子装置，该半导体器件包括：第一源极/漏极结构，包括第一半导体区域和与第一半导体区域电接触的第一电极；第二源极/漏极结构，包括第二半导体区域和与第二半导体区域电接触的第二电极；在第一半导体区域和第二半导...

本申请提供了存储器控制器和包括其的存储器系统。该存储器控制器包括故障预测器、纠错码(ECC)管理器和多个ECC引擎，所述故障预测器预测引起发生在存储器件中的错误的故障，所述纠错码(ECC)管理器基于预测出的故障对所述故障的类型进行分类，...

发明构思涉及一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：基底，包括NMOS区域和PMOS区域；第一栅极图案，设置在基底的NMOS区域上；以及第二栅极图案，设置在基底的PMOS区域上。第一栅极图案包括顺序地堆叠在基底上的第一高k层、扩...

公开了用于估计移动对象的位置的方法和电子装置。为了估计移动对象的位置，所述电子装置：从周围图像生成基于地标的概率图的二维(2D)特征点信息；从HD地图数据获得基于地标的三维(3D)特征点信息；将周围图像的2D特征点信息转换到3D或将HD...

可提供一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列；外围电路元件，被配置为控制基底上的存储器单元阵列的操作；以及布线结构，在外围电路元件上包括彼此间隔开的第一布线结构和第二布线结构，第一电压和不同于第一电压的第二电压被...

公开了一种半导体器件和制造其的方法。该半导体器件可以包括在其中具有在第一方向上延伸的凹槽的衬底、在凹槽中的栅极绝缘层、在凹槽中并且在栅极绝缘层上的第一导电图案、以及在凹槽中并且在第一导电图案上的字线盖图案。第一导电图案可以包括第一材料，...

一种半导体存储器件包括：堆叠结构，该堆叠结构包括交替重复地堆叠在半导体衬底上的字线和层间介电图案；半导体图案，分别设置在竖直相邻的字线之间；位线，从半导体衬底竖直延伸并接触半导体图案；封盖绝缘图案，设置在位线与字线之间，并覆盖层间介电图...

一种半导体器件和包括其的电子系统，该半导体器件包括：第一晶体管，在基板上并包括第一栅电极；第二晶体管，在基板上并包括与第一栅电极相邻的第二栅电极；电极结构，包括垂直堆叠在第一晶体管和第二晶体管上的电极，并包括在第一方向上彼此相邻的第一焊...

提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：封装基底；中介体，包括下保护层；导电连接器，将封装基底连接到中介体；半导体芯片，布置在封装基底与中介体之间；以及冷却片，布置在半导体芯片与中介体之间，并且具有圆柱形状；其中，冷却片中的每个包...

公开了半导体存储器装置和存储器系统。所述半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；以及控制逻辑电路，被配置为控制所述半导体存储器装置。控制逻辑电路包括：模式寄存器；以及剩余寿命计算装置，被配置为基于以下中的一个或多个来对...

一种制造半导体器件的方法及由此制造的器件，所述方法包括：在衬底上顺序地堆叠层间绝缘层、多孔电介质层、第一掩膜层和第二掩膜层；蚀刻所述第二掩膜层以形成初步掩膜图案；蚀刻所述初步掩膜图案以形成第二掩膜图案；使用所述第二掩膜图案作为蚀刻掩膜来...

提供了一种垂直沟道单元阵列晶体管结构和包括其的动态随机存取存储器(DRAM)器件。该垂直沟道单元阵列晶体管结构包括：半导体基板；多个沟道，在半导体基板上布置成阵列并且每个从半导体基板垂直地延伸；在所述多个沟道上的栅极绝缘层；多条字线，在...

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：沟道；栅极结构，位于沟道上；第一源/漏极，布置在沟道的第一端处并包括金属；第一可调带隙层，布置在沟道与第一源/漏极之间，并且具有根据应力而变化的带隙；第一电致伸缩层，位于栅极结构与第一可调带隙层...