三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有52393项专利

  • 提供一种时钟信号延迟路径单元和包括其的半导体存储器件。时钟信号延迟路径单元包括:第一延迟单元,包括:用于延迟并传输时钟信号的第一路由信号线、用于无信号衰减地传输通过第一路由信号线传输的时钟信号的第一中继器、以及用于延迟并传输从第一中继器...
  • 公开了半导体装置和制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括:位于基底上的逻辑单元和位于逻辑单元上的第一金属层。第一金属层包括第一电力线和第二电力线以及在第一电力线与第二电力线之间的第一布线轨道至第三布线轨道上的第一下线至第三下线。第一...
  • 提供一种乘法器累加器和由乘法器累加器执行的计算方法。所述乘法器累加器包括:多个异或非(XNOR)门,沿着一条或多条输入线被设置,并且被配置为:接收与对应于所述一条或多条输入线中的每条输入线的权重位序列和输入位序列对应的信号,并且输出输入...
  • 提供一种用于电子设备的功耗控制方法及设备。所述功耗控制方法包括:当网络模式为第一网络模式时,确定所述电子设备的运行状态信息是否满足预设回退条件;当确定满足预设回退条件时,将网络模式设置为第二网络模式;其中,第一网络模式至少包括第一网络的...
  • 公开了一种网络存储器的固件升级方法以及网络存储器。所述固件升级方法包括:由网络存储器通过网络向固件升级平台查询所述网络存储器的最新固件版本;基于最新固件版本与所述网络存储器的当前固件版本不一致,由网络存储器通过所述网络从所述固件升级平台...
  • 提供存储装置的访问方法和虚拟装置。所述存储装置支持单根输入输出虚拟化(SR
  • 非易失性存储器(NVM)器件包括数据引脚、控制引脚、片内终结(ODT)引脚以及共同连接到所述数据引脚和所述控制引脚的多个NVM存储器芯片。所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT电路。所述第一NVM芯片基于通过所述控制引脚接收的控制信...
  • 本公开涉及提供用于支持诸如长期演进(LTE)之类的第四代(4G)通信系统之外的更高数据速率的第五代(5G)前或5G通信系统。提供了用于多流传输的方法和装置。用户设备(UE)包括收发器,其被配置为接收包括至少一个码块(CB)的L层数据传输...
  • 非易失性存储器(NVM)器件包括数据引脚、控制引脚、片内终结(ODT)引脚以及共同连接到所述数据引脚和所述控制引脚的多个NVM存储器芯片。所述NVM芯片中的第一NVM芯片包括ODT电路。所述第一NVM芯片基于通过所述控制引脚接收的控制信...
  • 本公开涉及一种用于将第五代(5G)通信系统与物联网(IoT)技术融合的通信方法和系统,所述5G通信系统用于支持超过第四代(4G)系统的更高的数据速率。提供了一种基站的方法。所述方法包括:将关于第一带宽部分(BWP)和第二BWP的配置信息...
  • 本公开涉及一种通信方法和系统,其用于将用于支持超出第四代(4G)系统的较高数据速率的第5代(5G)通信系统与用于物联网(IoT)的技术融合。本公开可以应用于基于5G通信技术和关于IoT的技术的智能服务,比如智能家庭、智能建筑、智能城市、...
  • 一种反射结构包括:包括彼此相对的第一表面和第二表面的基板;设置在基板上的反射柱;以及覆盖基板的第一表面的第一光阻挡层,其中,第一光阻挡层包括暴露基板的第一表面的开口,并且从垂直于基板的第一表面的第一方向被观看,反射柱和开口沿平行于基板的...
  • 根据各种实施例,一种电子装置包括:通信电路;以及至少一个处理器,所述至少一个处理器可操作地连接到所述通信电路,其中,所述至少一个处理器能够:借助于所述通信电路建立与显示装置的通信连接;确认已建立有所述通信连接的第一信道的信道信息;确认在...
  • 公开了一种真空清洁器,该真空清洁器具有防止被引入到抽吸头中的异物在抽吸头向前或向后移动时被分离到抽吸头外部的结构。向后移动时被分离到抽吸头外部的结构。向后移动时被分离到抽吸头外部的结构。
  • 一种图像传感器包括:包括多个像素区的半导体基板;在半导体基板上的抗反射层;提供在抗反射层上和像素区中的滤色器;以及设置在滤色器中的相邻滤色器之间的栅栏结构,其中栅栏结构包括:穿透抗反射层的下部;在抗反射层上的上部;以及在下部与上部之间的...
  • 一种磁性存储器件可以包括堆叠在基板上的被钉扎磁性图案和自由磁性图案、在被钉扎磁性图案和自由磁性图案之间的隧道势垒图案、在自由磁性图案上的覆盖图案、以及在自由磁性图案和覆盖图案之间的非磁性图案。自由磁性图案可以在隧道势垒图案和覆盖图案之间...
  • 提供了包括沟道结构和贯穿电极的半导体装置以及电子系统。所述半导体装置包括包含下布线的下结构。水平布线层设置在下结构上,同时包括水平导电层和延伸穿过水平导电层的水平绝缘层。堆叠结构设置在水平布线层上。提供在延伸穿过堆叠结构的同时延伸到水平...
  • 本申请提供了半导体器件、半导体封装件及其制造方法。一种半导体封装件,包括:第一半导体芯片,其具有第一衬底、位于第一衬底上的第一绝缘层和位于第一绝缘层上的多个第一接合焊盘,并且具有由第一绝缘层的上表面和多个第一接合焊盘的上表面构成的平坦的...
  • 公开了图像处理设备及其操作方法。所述图像处理设备包括:预处理器,被配置为:从图像传感器接收输入图像数据,输入图像数据包括与图像传感器的滤色器阵列对应的图案,并且通过基于与图像传感器的多个像素中的每个对应的相位信息对输入图像数据进行重构,...
  • 一种劣化检测设备,包括:存储器,包括第一电流路径和第二电流路径,并且被配置为使得电流被施加到第一电流路径和第二电流路径;存储器输入控制单元,被配置为在第一操作模式下将存储器件的内部操作条件与目标条件进行比较,并基于比较的结果来选择存储器...