三星电子株式会社专利技术

三星电子株式会社共有52393项专利

  • 一种半导体器件,包括第一器件和第二器件,第一器件包括第一有源区、以及在其上的第一结构至第三结构,第二器件包括第二有源区、与第二有源区相交的栅结构、以及源/漏区,该源/漏区包括在第二有源区上的具有第一类型导电性的下源/漏区、在下源/漏区上...
  • 公开了一种可穿戴装置。一个实施例包括:电机;电机驱动器电路;存储器,用于存储阻力产生设置信息,其中,所述阻力产生设置信息指示参考角度与每个关节角度之间的差以及各个占空比之间的对应关系;传感器;以及处理器,通过使用所述传感器获得用户的关节...
  • 本公开涉及一种用于支持比诸如长期演进(LTE)的第四代(4G)通信系统数据速率更高的第五代(5G)通信系统或第六代(6G)通信系统。非陆地网络(NTN)节点发送配置信息,该配置信息包括对用于物理上行链路共享信道(PUSCH)传输或物理下...
  • 本公开涉及用于将IoT技术与用于支持比诸如长期演进(LTE)的第四代(4G)通信系统更高的数据传输速率的第5代(5G)或预5G通信系统结合的通信技术及其系统。基于5G通信技术和IoT相关技术,本公开可以应用于智能服务,例如,智能家居、智...
  • 提供了一种静电放电(ESD)器件以及包括该静电放电器件的显示驱动芯片。所述ESD器件可以包括半导体衬底,所述半导体衬底包括第一区、第二区和器件隔离结构。所述第一区可以包括具有第一导电类型的第一杂质区、具有与所述第一导电类型相反的第二导电...
  • 一种片上系统(SoC)的操作方法,该SoC包括具有第一核心和动态电压频率调节(DVFS)模块的处理器以及时钟管理单元(CMU),CMU用于向第一核心供应操作时钟,该操作方法包括:获得第一核心的所需性能;找到满足所需性能的可用频率;获得用...
  • 提供制造光刻掩模的方法和准备掩模数据的方法。制造光刻掩模的方法包括对掩模流片(MTO)设计布局执行掩模工艺校正(MPC)。执行MPC可包括识别多个单位单元(各自在MTO设计布局中迭代并且包括多个曲线图案),并且对多个单位单元中的至少一个...
  • 提供了扫描电子显微镜(SEM)装置和半导体制造装置。该SEM装置包括:电子束源,其被配置为发射电子束;透镜单元,其设置在电子束源与被配置为安置包括具有图案的结构的物体的台之间,并且包括扫描线圈和像散调节器,扫描线圈被配置为生成电磁场以提...
  • 一种图像传感器,包括:感测单元,被配置为针对同一对象生成具有不同曝光时间的多个图像;预处理器,被配置为通过合并多个图像来生成合并图像;接口电路,被配置为将多个图像中的至少一个和/或合并图像输出到外部处理器;以及控制器,被配置为控制预处理...
  • 一种制造半导体芯片的方法,包括:设计针对半导体芯片的布局;对布局执行光学邻近校正(OPC);在执行OPC之后,制造掩模;以及使用掩模制造半导体芯片,其中,与掩模的矩形图案相对应的多个OPC形状被包括在掩模中,并且多个OPC形状中的至少一...
  • 提供了存储设备及操作存储设备的方法。所述操作存储设备的方法包括:接收设置新参数的学习请求;评估关于当前参数的工作负载的性能;响应于所述学习请求使用多个学习模型以及根据所述工作负载的性能评估的性能评估信息来执行机器学习,以推断参数和对应的...
  • 提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括:第一有源图案,在基底上在第一方向上延伸;第二有源图案,在基底上在第一方向上延伸,并且在第二方向上与第一有源图案间隔开;场绝缘层,在基底上位于第一有源图案与第二有源图案...
  • 可提供一种去耦集成电路,包括:衬底,其包括在第一方向上延伸并且在与第一方向交叉的第二方向上彼此间隔开的第一有源区和第二有源区;第一电力轨,其被配置为接收第一电源,并且包括在第二方向上与第一有源区间隔开并且在第一方向上延伸的第一水平延伸部...
  • 提供了一种图像传感器,包括:光感测元件,其位于衬底中;多个传输栅极(TG),其在基本平行于衬底的表面的水平方向上彼此间隔开,多个TG中的每一个延伸穿过衬底的一部分,并且接触光感测元件;以及浮置扩散(FD)区域,其位于衬底的与多个TG相邻...
  • 一种半导体封装包括第一半导体芯片,第一半导体芯片包括第一半导体基板和穿透第一半导体基板的至少一部分的多个第一贯通电极。多个第二半导体包括第二半导体基板,所述多个第二半导体芯片堆叠在第一半导体芯片上。多个接合焊盘布置在第一半导体芯片和所述...
  • 提供了降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法、非易失性存储装置以及测试非易失性存储装置的方法。在降低非易失性存储装置的可靠性劣化的方法中,提供具有初始阈值电压分布的初始数据被存储在与所述多条字线连接的所述多个存储单元中的所述非易失性存储...
  • 公开了一种用于估计电池状态的电子装置及其操作方法。所述电子装置包括:温度传感器,被配置为测量电池的温度;电流传感器,被配置为测量电池的电流;电压传感器,被配置为测量电池的电压;以及处理器,被配置为:基于电池的温度、电池的电流以及电池模型...
  • 一种用于极紫外(EUV)光发生器的聚光镜,包括:第一镜,在容器中,该容器被配置为接收用于生成EUV光的材料和激光束;第二镜,围绕第一镜;以及可拆卸的第三镜,在第一镜和第二镜之间,第三镜具有不小于第一镜的外径的内径和不大于第二镜的内径的外...
  • 提供了一种存储设备及其操作方法。所述存储设备包括:存储器,被配置为存储用作神经网络中的输入的参数数据。所述存储设备还包括:存储控制器,被配置为从主机接收请求信号。所述存储控制器还被配置为:基于所述参数数据在神经网络中对日志数据进行编码,...
  • 本申请实施例提供了一种信息处理方法、装置、电子设备、计算机可读存储介质及计算机程序产品,涉及人工智能技术领域。其中,信息处理方法包括:针对目标信息的输入序列中的至少两个目标向量进行基于快速傅里叶变换的特征交叉处理,得到目标信息的输出序列...