【技术实现步骤摘要】
各种示例实施例涉及一种三维半导体存储器装置和/或包括该三维半导体存储器装置的电子系统，具体地，涉及一种包括垂直沟道结构的非易失性三维半导体存储器装置、制造该非易失性三维半导体存储器装置的方法以及包括该非易失性三维半导体存储器装置的电子系统。
技术介绍
1、需要能够存储大量数据的半导体装置作为电子系统的数据存储设备。需要或期望更高集成度的半导体装置以满足消费者对大的数据存储容量、优异的性能和/或低廉价格的需要或期望。在二维半导体装置或平面半导体装置的情况下，由于它们的集成度主要由单位存储器单元所占据的面积决定，因此集成度很大程度上受到精细图案形成技术的水平的影响。然而，提高图案精细度所需或使用的极其昂贵的工艺设备会对提高二维半导体装置或平面半导体装置的集成度设置实际的限制。因此，最近已经提出了包括三维布置的存储器单元的三维半导体存储器装置。
技术实现思路
1、各种示例实施例提供了一种具有改善的电特性和/或可靠性特性的三维半导体存储器装置和/或一种在制造三维半导体存储器装置的工艺中降低工艺成本
【技术保护点】
1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，第一接合垫接地到第一基底。
3.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，
4.根据权利要求3所述的三维半导体存储器装置，其中，
5.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，
6.根据权利要求5所述的三维半导体存储器装置，其中，虚设插塞仅通过一条电路径连接到第一基底。
7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，
8.根据权利要求1所述的三维半导体存储
【技术特征摘要】
1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：
2.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，第一接合垫接地到第一基底。
3.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，
4.根据权利要求3所述的三维半导体存储器装置，其中，
5.根据权利要求2所述的三维半导体存储器装置，其中，
6.根据权利要求5所述的三维半导体存储器装置，其中，虚设插塞仅通过一条电路径连接到第一基底。
7.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，
8.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，
9.根据权利要求8所述的三维半导体存储器装置，其中，
10.根据权利要求1所述的三维半导体存储器装置，其中，
【专利技术属性】
技术研发人员：权俊瑛，金志荣，梁宇成，成锡江，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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