【技术实现步骤摘要】
本技术实施例涉及一种半导体封装。
技术介绍
1、半导体集成电路(integrated circuit，ic)行业已经历快速增长。ic材料及设计的技术进步已生成几代ic，其中每一代相较于上一代具有更小且更复杂的电路。在ic演进过程中，功能密度(即，每芯片面积的内连装置的数目)一般而言已增大，而几何大小(即，可使用制作制程形成的最小组件(或线))已减小。此种按比例缩小制程一般而言藉由提高生产效率及降低相关联的成本来提供益处。然而，此种按比例缩放亦给半导体封装引入了高热量密度及不良的散热效能。三维系统中增大的热量密度可能会导致电迁移及可靠性问题。
技术实现思路
1、根据本技术的一实施例，一种半导体封装包括：第一管芯，设置于第一重布线结构上且电性耦合至所述第一重布线结构；第二管芯，设置于所述第一管芯之上且被第二绝缘包封体在侧向上覆盖；第二重布线结构，插入于所述第一管芯与所述第二管芯之间且电性耦合至所述第一管芯及所述第二管芯；第三重布线结构，设置于所述第二管芯上且与所述第二重布线结构相对；以及至少一个散热特征。所述第一管芯被第一绝缘包封体在侧向上覆盖，且所述第一管芯的衬底穿孔在实体上连接至所述第二重布线结构或所述第一重布线结构。所述第三重布线结构包括嵌入于介电层中的图案化导电层，所述散热特征嵌入于所述第三重布线结构的所述介电层中且经由所述第三重布线结构的所述介电层而与所述图案化导电层电性隔离，且所述散热特征热耦合至所述第二管芯的后表面。
2、根据本技术的一实施例，一种半导体封装包
3、根据本技术的一实施例，一种半导体封装包括：第一绝缘包封体，在第一重布线结构上，以覆盖耦合至所述第一重布线结构的第一管芯；第二重布线结构，在所述第一绝缘包封体及所述第一管芯上；第二管芯，耦合至所述第二重布线结构；第二绝缘包封体，在所述第二重布线结构上以覆盖所述第二管芯；第三重布线结构，在所述第二绝缘包封体及所述第二管芯上；以及至少一个散热特征，其中所述至少一个散热特征嵌入于所述第三重布线结构的介电层中且与所述第三重布线结构的图案化导电层电性隔离，且所述至少一个散热特征热耦合至所述第二管芯的后表面。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体封装，其特征在于包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个散热特征包括：
3.如权利要求2所述的半导体封装，其中所述至少一个散热特征更包括：
4.如权利要求2所述的半导体封装，其中所述散热图案的底表面连接至所述散热通孔，且所述散热图案的顶表面及侧壁被所述第三重布线结构的所述介电层覆盖。
5.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个散热特征包括：
6.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个散热特征是设置于所述第二管芯的所述后表面上的金属块，所述金属块的顶表面及底表面分别与所述第三重布线结构的所述介电层的顶表面及底表面齐平。
7.一种半导体封装，其特征在于包括：
8.如权利要求7所述的半导体封装，其中所述至少一个散热特征包括：
9.一种半导体封装，其特征在于包括：
10.如权利要求9所述的半导体封装，其中所述至少一个散热特征包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装，其特征在于包括：
2.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个散热特征包括：
3.如权利要求2所述的半导体封装，其中所述至少一个散热特征更包括：
4.如权利要求2所述的半导体封装，其中所述散热图案的底表面连接至所述散热通孔，且所述散热图案的顶表面及侧壁被所述第三重布线结构的所述介电层覆盖。
5.如权利要求1所述的半导体封装，其中所述至少一个散热特征包括：
...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘醇鸿，蔡豪益，庄立朴，潘信瑜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。