【技术实现步骤摘要】
本公开内容涉及包括二维材料的半导体器件和/或其制造方法。
技术介绍
1、随着小型化发展以提高半导体器件的集成度，由于3d块体材料的缩放(按比例缩放，scaling)所致的性能限制可出现。例如，在硅沟道的情况下，随着沟道厚度减小，迁移率可降低，并且阈值电压(vth)的漂移(dispersion)可增加。随着沟道长度减小，由于短沟道效应所致的性能劣化可增加。
2、为了克服这些缩放限制，正在使用二维半导体材料进行研究。由二维半导体材料制成的沟道不仅即使在1nm或更小的厚度下也呈现出改善的性能，而且还可具有比硅小的短沟道效应，从而克服硅的缩放限制。
技术实现思路
1、提供包括二维半导体材料的半导体器件和/或其制造方法。
2、额外的方面将部分地在随后的描述中阐明，并且部分地将从该描述明晰，或者可通过本公开内容的所呈现的实施方式来学习。
3、根据实例实施方式，半导体器件可包括：沟道层，其包括二维材料层和在二维材料层上的分子晶体层，二维材料层包括二维半导体材料；分别可...
【技术保护点】
1.半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
11.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
...【技术特征摘要】
1.半导体器件，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中
5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中
11.根据权利要求1...
【专利技术属性】
技术研发人员：薛珉洙，权俊荣，柳嬉堤，T·乔杜里，J·朴，C·梁，F·穆吉德，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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