半导体器件及其制造方法技术

一种半导体器件，包括：衬底，包括多个突出部、第一沟槽和第二沟槽，多个突出部从衬底的上表面突出并且沿彼此相交的第一方向和第二方向二维布置，第一沟槽沿第一方向设置在突出部之间，第二沟槽沿第二方向设置在突出部之间；第一器件隔离层，填充第一沟槽；栅极图案，设置在沿第二方向的突出部上，突出部的上表面分别在栅极图案的两侧暴露；以及第二器件隔离层，填充在第二方向上的栅极图案之间的空间和第二沟槽，并且每个栅极图案具有与第二沟槽相邻并且与第二沟槽的内壁对齐的第一侧壁。

【技术实现步骤摘要】

示例实施例涉及一种半导体器件和/或其制造方法。

技术介绍

1、主要用作存储设备的半导体存储器件包括易失性存储器(比如，dram和/或sram)以及非易失性存储器(比如，eeprom、fram、pram、mram和闪存)。

2、最近，使用非易失性存储器的设备正在增加。例如，mp3播放器、数码相机、手机、摄像机、闪存卡和固态硬盘(ssd)使用非易失性存储器作为存储设备。

3、在非易失性存储器中，闪存具有一次一个单元地电擦除数据的功能，现在作为存储设备比硬盘更广泛地使用。最近，鉴于对增加存储容量的需求或期望，需要一种更有效地使用闪存的存储空间的方法。因此，代替使用平面晶体管结构，已经开发了具有竖直晶体管结构的非易失性存储器件。

技术实现思路

1、一些示例实施例提供了具有改善的电特性的高度集成的半导体器件。

2、然而，示例实施例不限于以上内容，本领域的普通技术人员将从下面的描述中清楚地理解未提及的其他特征。

3、根据各种示例实施例的半导体器件，包括：衬底，包括从衬底的上本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟槽的底表面距所述第一器件隔离层的上端的深度与所述第二沟槽的底表面距所述第二器件隔离层的上端的深度不同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述间隔物沿所述第二方向延伸，并且与所述第二器件隔离层连接，在所述间隔物与所述第二器件隔离层之间没有界面。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二器件隔...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一沟槽的底表面距所述第一器件隔离层的上端的深度与所述第二沟槽的底表面距所述第二器件隔离层的上端的深度不同。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述间隔物沿所述第二方向延伸，并且与所述第二器件隔离层连接，在所述间隔物与所述第二器件隔离层之间没有界面。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

6.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，

7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二器件隔离层沿所述第一方向延伸，并且所述第二器件隔离层的下表面具有凹凸结构。

8.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述第二器件隔离层包括：

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中，所述第一部分的水平与所述第三部分的水平彼此相同。

10.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：<...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵柱盛，朴庆训，白在馥，张东爀，韩智勋，洪兑允，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：