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一种半导体器件，包括：衬底，包括多个突出部、第一沟槽和第二沟槽，多个突出部从衬底的上表面突出并且沿彼此相交的第一方向和第二方向二维布置，第一沟槽沿第一方向设置在突出部之间，第二沟槽沿第二方向设置在突出部之间；第一器件隔离层，填充第一沟槽；栅...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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