【技术实现步骤摘要】
本专利技术构思涉及一种图像传感器。
技术介绍
1、通常，图像传感器(诸如接收光并产生电信号的基于半导体的传感器)可以包括具有多个像素的像素阵列以及用于驱动像素阵列并用于生成图像的外围电路。每个像素可以包括光电二极管和将光电二极管产生的电荷转换成电信号的像素电路。随着图像传感器中包括的像素的数量增加以及每个像素的尺寸减小，越来越需要并且正在开发用于形成设置在每个像素中以提供像素电路的晶体管的方法。
技术实现思路
1、根据本专利技术构思的一示例实施方式，一种图像传感器包括：像素阵列，包括多个像素，其中所述多个像素中的每个包括第一光电二极管、第二光电二极管、第一传输栅极、第二传输栅极以及多个有源区域；以及外围电路，配置为控制所述多个像素，其中像素阵列中的多个像素组中的每个包括所述多个像素当中的第一像素和第二像素，第一像素和第二像素在第一方向上彼此相邻，其中第一像素和第二像素的每个中的所述多个有源区域包括第一有源区域和第二有源区域，其中第一有源区域与第一传输栅极相邻，第二有源区域与第二传输栅极相邻，以及其中在所述多个像素组的每个中，多个源极跟随器晶体管分别具有连接到第一像素的第一有源区域和第二有源区域并且连接到第二像素的第一有源区域和第二有源区域的栅极，其中所述多个源极跟随器晶体管设置在第一像素中，并且多个开关晶体管设置在第二像素中。
2、根据本专利技术构思的一示例实施方式，一种图像传感器包括：像素阵列，包括多个像素组，所述多个像素组中的每个包括在第一方向上彼此相邻的第一像素和
3、根据本专利技术构思的一示例实施方式，一种图像传感器包括：基板，包括多个像素区域；多个像素，分别设置在所述多个像素区域中，其中所述多个像素中的每个包括第一光电二极管、第二光电二极管、第一传输栅极、第二传输栅极和多个有源区域；以及外围电路，连接到所述多个像素，其中所述多个像素提供多个像素组，其中所述多个像素组中的每个包括在第一方向上彼此相邻的第一像素和第二像素，第一像素和第二像素中的每个包括多个晶体管，所述多个晶体管包括所述多个有源区域的一部分和栅极结构，其中栅极结构不同于第一传输栅极和第二传输栅极，以及在所述多个像素组的每个中，设置在第一像素中的所述多个晶体管的数量不同于设置在第二像素中的所述多个晶体管的数量。
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1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个源极跟随器晶体管中的每个的面积大于所述多个开关晶体管中的每个的面积。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个像素组的每个中，设置在所述第二像素中的所述多个开关晶体管的数量是设置在所述第一像素中的所述多个源极跟随器晶体管的数量的两倍。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个有源区域当中，包括在所述多个源极跟随器晶体管的每个中的有源区域在所述第一方向上布置。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，在所述多个有源区域当中，包括在所述多个开关晶体管的每个中的有源区域在与所述第一方向相交的第二方向上布置。
6.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，在所述多个有源区域当中，包括在所述多个开关晶体管的每个中的有源区域当中的一个有源区域在所述第一方向上延伸，并且包括在所述多个开关晶体管的每个中的所述有源区域当中的另一个有源区域在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。
7.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，在所述多个有
8.根据权利要求4所述的图像传感器，其中
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中与所述第二像素的所述第一光电二极管重叠的所述多个开关晶体管的栅极结构在与所述第一对角方向相交的第二对角方向上彼此面对。
10.根据权利要求1所述的图像传感器，其中
11.根据权利要求1所述的图像传感器，其中
12.根据权利要求1所述的图像传感器，其中
13.一种图像传感器，包括：
14.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，当外部照度水平高于预定参考照度水平时，所述外围电路配置为使包括在所述第二像素组中的所述第一复位晶体管关断并使所述第二像素组中的所述第二复位晶体管和所述第三复位晶体管导通以降低所述第一像素组的转换增益。
15.根据权利要求13所述的图像传感器，其中，当外部照度水平低于预定参考照度水平时，所述外围电路配置为使包括在所述第二像素组中的所述第一复位晶体管至所述第三复位晶体管关断以增大所述第一像素组的转换增益。
16.根据权利要求13所述的图像传感器，其中
17.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述多个源极跟随器晶体管中的每个的面积大于所述多个开关晶体管中的每个的面积。
18.根据权利要求13所述的图像传感器，其中
19.根据权利要求13所述的图像传感器，其中所述多个开关晶体管中的每个的形状不同于所述多个源极跟随器晶体管中的每个的形状。
20.一种图像传感器，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种图像传感器，包括：
2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个源极跟随器晶体管中的每个的面积大于所述多个开关晶体管中的每个的面积。
3.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个像素组的每个中，设置在所述第二像素中的所述多个开关晶体管的数量是设置在所述第一像素中的所述多个源极跟随器晶体管的数量的两倍。
4.根据权利要求1所述的图像传感器，其中，在所述多个有源区域当中，包括在所述多个源极跟随器晶体管的每个中的有源区域在所述第一方向上布置。
5.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，在所述多个有源区域当中，包括在所述多个开关晶体管的每个中的有源区域在与所述第一方向相交的第二方向上布置。
6.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，在所述多个有源区域当中，包括在所述多个开关晶体管的每个中的有源区域当中的一个有源区域在所述第一方向上延伸，并且包括在所述多个开关晶体管的每个中的所述有源区域当中的另一个有源区域在与所述第一方向相交的第二方向上延伸。
7.根据权利要求4所述的图像传感器，其中，在所述多个有源区域当中，包括在所述多个开关晶体管的每个中的有源区域在所述第一方向上布置。
8.根据权利要求4所述的图像传感器，其中
9.根据权利要求8所述的图像传感器，其中与所述第二像素的所述第一光电...
【专利技术属性】
技术研发人员：朴主恩，文祥赫，金世永，李宰昊，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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