【技术实现步骤摘要】
本公开涉及一种功率半导体装置的实施例。特别地，本说明书涉及具有包括两个金属层的正面金属化的功率半导体装置的方面。
技术介绍
1、汽车、消费和工业应用中的现代装置的许多功能(诸如，转换电能和驱动电动机或电机)依赖于功率半导体装置。例如，绝缘栅双极晶体管(igbt)、金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)和二极管(举几例)已被用于各种应用，包括但不限于电源和功率转换器中的开关。
2、功率半导体装置通常包括半导体主体，半导体主体具有有源区，有源区被配置为沿着两个负载端子之间的负载电流路径传导负载电流。两个负载端子都可由相应金属化提供。在垂直功率半导体装置的情况下，半导体主体通常被夹在两个端子之间。对于受控功率半导体装置(例如，具有栅极或控制电极)，可能需要另外的端子，例如控制或栅极端子。对于每个端子，用于经由接合线连接的接合焊盘可被提供作为所述金属化的一部分。然而，与半导体装置的功能所需的芯片面积相比，用于栅极端子的接合焊盘消耗半导体主体的更大的芯片面积。
3、因此期望的是，减少由接合焊盘导致的有源区内的有源面积
【技术保护点】
1.一种功率半导体装置(1)，包括：
2.如权利要求1所述的功率半导体装置(1)，其中所述第一层(31)和所述第二层(33)都沿侧向被分割，所述第一层(31)包括作为所述第一负载端子结构(36)的一部分的第一段(31-1)和作为所述控制端子结构(38)的一部分的第二段(31-2)，并且所述第二层(33)包括作为所述第一负载端子结构(36)的一部分的第一段(33-1)和作为所述控制端子结构(38)的一部分的第二段(33-2)。
3.如前面权利要求中任何一项所述的功率半导体装置(1)，其中在重叠区域(302)中，所述第二层(33)的所述第二段(33...
【技术特征摘要】
1.一种功率半导体装置(1)，包括：
2.如权利要求1所述的功率半导体装置(1)，其中所述第一层(31)和所述第二层(33)都沿侧向被分割，所述第一层(31)包括作为所述第一负载端子结构(36)的一部分的第一段(31-1)和作为所述控制端子结构(38)的一部分的第二段(31-2)，并且所述第二层(33)包括作为所述第一负载端子结构(36)的一部分的第一段(33-1)和作为所述控制端子结构(38)的一部分的第二段(33-2)。
3.如前面权利要求中任何一项所述的功率半导体装置(1)，其中在重叠区域(302)中，所述第二层(33)的所述第二段(33-2)沿侧向与所述第一层(31)的所述第一段(31-1)重叠。
4.如前面权利要求中任何一项所述的功率半导体装置(1)，其中所述第二层(33)的所述第二段(33-2)沿侧向在至少两个相对的面上被所述第二层(33)的所述第一段(33-1)包围。
5.如前面权利要求之一所述的功率半导体装置(1)，其中所述第一层(31)的所述第二段(31-2)沿侧向在至少两个相对的面上被所述第一层(31)的所述第一段(31-1)包围。
6.功率半导体装置(1)，包括：
7.如前面权利要求中任何一项所述的功率半导体装置(1)，其中在侧向剖面中，与所述第二层(33)的所述第二段(33-2)相比，所述第一层(31)的所述第二段(31-2)具有更小的侧向延伸部。
8.如前面权利要求中任何一项所述的功率半导体装置(1)，其中所述正面金属化(3)包括至少在所述重叠区域中的所述第一层(31)和所述第二层(33)之间的介电结构(32)，所述第一层(31)和所述第二层(33)在所述重叠区域中通过所述介电结构(32)而电绝缘。
9.如权利要求8所述的功率半导体装置(1)，其中所述介电结构(32)还被布置在所述第一层(31)的所述第一段(31-1)和所述第二层(33)的所述第一段(33-1)之间/在所述第一层(31)的所述第一段(31-1)和所述第二层(33)的所述第一段(33-1)之间延伸，其中所述第一层(33-1)的第一段(31-1)和所述第二层(33)的所述第一段(33-1...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·科泽尼茨，A·莫德，C·艾伯特，J·齐尚，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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