【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术公开了一种增强背面反射的异质结电池,包括至少两片相邻的电池片，所述电池片包括主体硅层，所述主体硅层边缘设有延伸层，主体硅层下表面设置第一溅射层，第一溅射层下表面设有第二溅射层，延伸层与第一溅射层、第二溅射层适配。采用本技术的设计，能够使得无论阳光从何种角度射入，都可以发生至少2次发射，增强了光能转化效率。【专利说明】一种增强背面反射的异质结电池
本技术涉及一种异质结电池，特别是一种增强背面反射的异质结电池。
技术介绍
晶体硅太阳能电池在迅速发展的光伏发电
中一直占据着主导地位，单晶硅太阳能电池和多晶硅太阳能电池更被作为了太阳能电池的主流产品，但由于价格昂贵和材料短缺，已不能满足经济社会快速发展的需求。目前，第二代薄膜型硅太阳能电池逐渐成为硅太阳能电池应用和发展的主流，然而非晶硅薄膜、多晶硅薄膜、微晶硅薄膜等太阳能电池均存在不同程度的光致衰退效应且转换效率远不如晶体硅太阳能电池，为减少晶体硅太阳能电池同时保持高效率状态，今年来HIT太阳能电池得到了迅速的发展。在太阳能电池制备工艺上，HIT太阳能电池结合了薄膜太阳能电池低温制造的优点，避免了晶体硅高温扩散工艺获得p-n结的方法，从而节约了制造成本。 但从目前来看，传统的HIT电池当光能照射在电池表面后，部分光能发生了反射产生流失，而部分光能发生折射产生流失，造成了大量能源不能有效利用的问题。
技术实现思路
专利技术目的:本技术的目的在于解决现有的异质结太阳能电池光能流失严重、反射次数少的问题。 技术方案:本技术提供以下技术方案:一种增强背面反射的...
【技术保护点】
一种增强背面反射的异质结电池,其特征在于：包括至少两片相邻的电池片，所述电池片包括主体硅层，所述主体硅层边缘设有延伸层，主体硅层下表面设置第一溅射层，第一溅射层下表面设有第二溅射层，延伸层与第一溅射层、第二溅射层适配。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：李玮，
申请(专利权)人：国电光伏有限公司，国电新能源技术研究院，
类型：新型
国别省市：江苏;32
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