异质接面双极性电晶体制造技术

本发明专利技术异质接面双极性电晶体，其包括：一长条形基极平台、一长条形基极电极、两个长条形射极、一个长条形集极以及两个长条形集极电极，其中前述之长条形基极电极系沿前述之基极平台之长轴设置于前述之基极平台之上，且前述之基极电极之中央处或邻近中央处设有一基极导孔；前述之两个长条形射极系分别位于前述基极平台上、前述基极电极之两侧，且前述之射极区中的每一个其上方设有一长条形射极电极；前述之集极系位于前述基极平台之下；而前述之两个长条形集极电极系分别位于前述集极之上、前述基极平台相对之两侧。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种异质接面双极性电晶体，尤指一种具有较高的射极对基极面积比，以提高电晶体功率增益的异质接面双极性电晶体。
技术介绍
近年来，随着行动装置产业的蓬勃发展，对高功率、高功率增益、高功率增益效率的需求日益增加。由于化合物半导体异质接面双极性电晶体积体电路具有高功率、高功率增益、高线性度等优点，常被应用于制作行动装置中的功率放大器等元件，因此，若能改进化合物半导体异质接面双极性电晶体布局，将能有效提升功率增益及功率增益效率，提高产品竞争力。
技术实现思路
本专利技术提供一种异质接面双极性电晶体，其通过提高射极对基极面积比，从而有效缩小集极电容，达到提高输出功率增益的目的。本专利技术提供一种异质接面双极性电晶体，包括：一个长条形基极平台；一个长条形基极电极，沿该基极平台的长轴设置于该基极平台之上，且该基极电极的中央处或邻近中央处设有一个基极导孔；两个长条形射极，分别位于该基极平台上、该基极电极之两侧，且该射极区中的每一个其上方设有一个长条形射极电极；一个长条形集极，位于该基极平台之下；以及两个长条形集极电极，分别位于该集极之上、该基极平台相对之两侧。优选地，该基极电极沿该基极平台的长轴，设置于该基极平台上、该基极平台的短轴中央处或邻近中央处。优选地，该长条形基极平台之长宽比范围为1.2:1至15:1。优选地，该基极平台、该射极电极及该集极电极皆为长方形。优选地，该基极平台、该射极以及该集极为弯折的长条形，该弯折处位于长条形的中央处或邻近中央处。优选地，该基极平台、该射极以及该集极为弯折的长条形，该弯折处位于长条形之中央处或邻近中央处，且弯折的角度为90°。本专利技术提供还一种异质接面双极性电晶体，包括：一个长条形基极平台；一个工字形射极，位于该基极平台上，其于工字形之两侧分别设有凹陷部，且该工字形射极区上设有一个工字形射极电极；两个基极电极，分别设于该基极平台上、该工字形射极两侧的凹陷部内，且每一个基极电极，于其邻近基极平台中央处的一端设有一个基极导孔；一个长条形集极，位于该基极平台之下；以及两个长条形集极电极，分别位于该集极之上、该基极平台相对之两侧。优选地，该工字形射极的凹陷部设于该基极平台的短轴中央处或邻近中央处。优选地，该长条形基极平台的长宽比范围为1.2:1至15:1。优选地，该基极平台及该集极电极皆为长方形。与现有技术相比，本专利技术具有以下突出的实质性特点和显著的进步性：1．具有较高的射极对基极面积比(EA/BA)，有效提高了异质接面双极性电晶体的功率增益；2.具有较小的集极电阻，有效提高了异质接面双极性电晶体的功率增益效率；3.具有较佳的射极电流分布，有效增进异质接面双极性电晶体的高功率运作能力。附图说明图1为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1的俯视示意图。图2为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1的俯视示意图。图3为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1沿A-A’线的剖面结构示意图。图4为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1沿B-B’线的剖面结构示意图。图5为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例2的俯视示意图。图6为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例2的俯视示意图。图7为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1的其它方案俯视示意图。图8为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例2的其它方案俯视示意图。图9为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1的其它方案俯视示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术作进一步地详细描述。实施例1：图1为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1的俯视示意图；图2为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1的俯视示意图；图3为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1沿A-A’线的剖面结构示意图；图4为本专利技术异质接面双极性电晶体实施例1沿B-B’线的剖面结构示意图。请参照图1至图4所示，本专利技术所提供的一种I型异质接面双极性电晶体100，其包括：一个长方形基极平台110、一个长方形基极电极111、两个长方形射极120a、120b、一个长条形集极130以及两个长方形集极电极131a、131b，其中长方形基极电极111沿基极平台110的长轴Y设置于基极平台110之上，且基极电极111的中央处或邻近中央处设有一个基极导孔112；两个长方形射极120a、120b分别位于基极平台110之上、基极电极111的两侧，且射极区120a、120b中的每一个其上方设有一长方形射极电极121a、121b；集极130位于基极平台110之下；而两个长方形集极电极131a、131b分别位于集极130之上、基极平台110相对之两侧。于实施时，上述的基极电极111、射极电极121以及集极电极131a、131b分别电性连接于由第一金属层所形成的金属导线(140a~140e)，再透过第一金属层电性连接于由第二金属层所形成的金属导线150，借助第一和/或第二金属层与其他电子元件连接以构成所需电路。I型异质接面双极性电晶体100与第一金属层之间无电性连接的部份以至少一层保护层隔离(如160a)，而第一金属层与第二金属层之间无电性连接的部份亦以至少一层保护层隔离(如160b、160c)，保护层的材料必须具有电绝缘性，同时必需能防止金属层或其他结构的材料扩散进入异质接面双极性电晶体，在本实施例中，所述至少一层保护层可以氮化硅(SiN)、聚酰亚胺(polyimide)等隔绝性佳的材料构成。集极与射极间电阻(RCE)与集极与射极相邻周长的长度相关，集极与射极相邻周长长度越长，则RCE越低。本专利技术所提供的异质接面双极性电晶体中，集极位于射极之两侧的设计可增加集极与射极相邻周长的长度，因此能降低集极电阻RCE，进而提供异质接面双极性电晶体的功率增益效率。此外，本专利技术中，电晶体运作时是从第一金属层通过基极导孔向电晶体输入讯号，由于基极导孔是位于电晶体的中央处，使得射极电流的分布为对称或接近对称，因此能增进异质接面双极性电晶体的高功率运作能力。在本实施例中，为达到最佳的射极对基极的面积比，前述的长方形基极平台的长宽比范围可为1.2:1至15:1中的任意值，例如2:1、3:1、4:1、5:1、6:1、7:1、8:1、9:1、10:1、11:1、12:1、13:1、14:1或15:1，其中以2:1至12:1为较佳，3:1至12:1为更佳为，或甚至4:1至10:1为更佳。需要说明的是，前述的基极、射极、集极及设于其上的基极、射极、集极电极亦可为其他任意长条形的形状，例如椭圆形，只要长条形的长轴彼此保持平行即可，如图7所示。还需要说明的是，前述之基极、射极、集极及设于其上之基极、射极、集极电极亦可为任意弯折的长条形，其可具有一或多个弯折处，如图9所示为具有一个弯折处的L形异质接面双极性电晶体300，其基极平台310、两个射极320a、32本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种异质接面双极性电晶体，其特征在于，包括：一个长条形基极平台；一个长条形基极电极，沿该基极平台的长轴设置于该基极平台之上，且该基极电极的中央处或邻近中央处设有一个基极导孔；两个长条形射极，分别位于该基极平台上、该基极电极之两侧，且该射极区中的每一个其上方设有一个长条形射极电极； 一个长条形集极，位于该基极平台之下；以及两个长条形集极电极，分别位于该集极之上、该基极平台相对之两侧。

【技术特征摘要】
1.一种异质接面双极性电晶体，其特征在于，包括：
一个长条形基极平台；
一个长条形基极电极，沿该基极平台的长轴设置于该基极平台之上，且该基极电极的中央处或邻近中央处设有一个基极导孔；
两个长条形射极，分别位于该基极平台上、该基极电极之两侧，且该射极区中的每一个其上方设有一个长条形射极电极；
一个长条形集极，位于该基极平台之下；以及
两个长条形集极电极，分别位于该集极之上、该基极平台相对之两侧。
2.如权利要求1所述的异质接面双极性电晶体，其特征在于，该基极电极沿该基极平台的长轴，设置于该基极平台上、该基极平台的短轴中央处或邻近中央处。
3.如权利要求1所述的异质接面双极性电晶体，其特征在于，该长条形基极平台之长宽比范围为1.2:1至15:1。
4.如权利要求1、2或3所述的异质接面双极性电晶体，其特征在于，该基极平台、该射极电极及该集极电极皆为长方形。
5.如权利要求1、2或3所述的异质接面双极性电晶体，其特征在于，该基极平台、该射极以及该集极为弯折的长条形，该弯折处位于长条形的中央处或邻近中央处。
6.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱瑞斌，蔡绪孝，许龙豪，林正国，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71