半导体结构制造技术

一种半导体结构，包括一基板、设置于前述基板的上方的一主动装置以及一被动装置。前述主动装置设置于前述基板的第一区域中，前述被动装置设置于前述基板的第二区域中。此半导体结构还包括一保护层覆盖前述被动装置的顶面。前述保护层具有一开口，此开口暴露出前述主动装置。本发明专利技术使通常产生于主动装置的源极电极/漏极电极与栅极电极之间的寄生电容可以明显降低，并且可以改善主动装置的电子特性。并且可以改善主动装置的电子特性。并且可以改善主动装置的电子特性。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构


[0001]本揭露是有关于一种半导体结构，特别是有关于一种包含电子装置的半导体结构。

技术介绍

[0002]电子装置通常包括主动装置和被动装置，是整体的形成于一基板上。主动装置在许多方面例如其功能、能量性质、功率增益(power gain)能力等，都与被动装置不同。主动装置可包括二极管和晶体管。被动装置可包括电阻器、电容器和电感器。
[0003]对于基板上的主动装置和被动装置，必须具有足够的湿气耐受性以保护这些装置。
[0004]虽然半导体结构的主动装置和被动装置上的现有的抗湿气结构(moisture resistant structure)通常对于它们的预期目的而言是适当的，但是他们并非在各个方面都是令人完全满意的，仍有需要改进之处。

技术实现思路

[0005]本揭露提供一种半导体结构，包括一基板、设置于前述基板的上方的一主动装置以及一被动装置。前述主动装置是设置于前述基板的第一区域中，前述被动装置是设置于前述基板的第二区域中。此半导体结构还包括一保护层覆盖前述被动装置的顶面。前述保护层具有一开口，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板；一主动装置，设置于所述基板的上方且位于所述基板的一第一区域中；一被动装置，设置于所述基板的上方且位于所述基板的一第二区域中；以及一保护层，覆盖所述被动装置的一顶面，其中所述保护层具有一开口，所述开口暴露出所述主动装置。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，还包括一遮蔽结构在所述基板的上方，所述遮蔽结构是在所述保护层的所述开口的上方定义出一气腔。3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层是直接位于所述遮蔽结构的下方。4.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述气腔是与所述保护层的所述开口相连通。5.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述遮蔽结构以及所述保护层包括不同的材料。6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述遮蔽结构包括一聚合物材料。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述保护层包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧化铝、氧化铪、或前述材料的组合。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述主动装置包括一栅极电极，且所述开口是暴露出所述主动装置的所述栅极电极。9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述主动装置还包括：一源极结构以及一漏极结构，位于所述栅极电极的相对侧；其中所述开口还暴露出所述漏极结构。10.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述主动装置包括一化合物半导体层，且所述半导体结构还包括：一介电层，覆盖所述栅极电极以及覆盖所述化合物半导体层的一顶面。11.如权利要求9所述的半导体结构，其特征在于，所述源极结构包括：一第一覆盖部；以及一第一导电层的一第一导电部，所述第一导电部...

【专利技术属性】
技术研发人员：林儒贤，钟荣涛，蔡绪孝，林熙琮，谢镇安，陈奕涵，邵耀亭，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：