本发明提供一种电子结构及其制造方法

本发明公开了一种晶体管装置及栅极结构，晶体管装置包含衬底和栅极结构。栅极结构设置于衬底上且包含第一金属层以及设置于第一金属层上的耐火金属层，其中第一金属层是断开的且耐火金属层是断开的。且耐火金属层是断开的。且耐火金属层是断开的。

本发明公开了一种III

本申请提供一种异质结双极性晶体管及功率放大器，所述异质结双极性晶体管包括：基底；以及基极台面，设置于基底上。基极台面包括集极层和基极层，基极层设置于集极层上，基极层包括第一边和第二边，第二边相对于第一边。异质结双极性晶体管更包括：射极层...

一种测试系统、测试发光元件以及移动发光元件的方法，其中移动发光元件的方法，包括：借由移动组件将发光元件移动至预定位置，以及将至少一真空孔抽真空以吸引发光元件。预定位置与至少一真空孔相隔一距离，且距离大于发光元件的一半宽度。件的一半宽度。...

本发明公开了一种半导体装置及功率放大器，所述半导体装置包括：衬底；沟道层，设置于衬底上，其中沟道层是以氮化镓形成；阻挡层，设置于沟道层上，其中阻挡层是以氮化铝镓Al

本发明公开了一种高电子迁移率晶体管及其形成方法，该高电子迁移率晶体管包括：化合物半导体基板、栅极电极、源极电极、漏极电极、第一金属柱、第二金属柱、介电层及金属层。栅极电极，位于化合物半导体基板之上。源极电极，位于化合物半导体基板之上栅极...

一种垂直腔面射型激光及其形成方法，所述激光包括：主动区、内沟槽、外沟槽、第一注入区域。主动区包括第一镜、主动区域、第二镜、刻蚀停止层。第一镜形成于基板之上。主动区域形成于第一镜之上。第二镜形成于主动区域之上。具有孔隙的刻蚀停止层形成于主...

一种半导体结构，包括一基板、设置于前述基板的上方的一主动装置以及一被动装置。前述主动装置设置于前述基板的第一区域中，前述被动装置设置于前述基板的第二区域中。此半导体结构还包括一保护层覆盖前述被动装置的顶面。前述保护层具有一开口，此开口暴...

本申请提供一种垂直腔面发射激光器及其形成方法，所述垂直腔面发射激光器包括：基板、第一镜、主动层、氧化层、孔隙、第二镜、高对比度光栅、钝化层。第一镜，位于基板之上。主动层，位于第一镜之上。氧化层，位于主动层之上。孔隙，位于主动层之上，孔隙...

本申请公开了一种半导体结构与其形成方法。半导体结构包含基板，基板具有正面和与正面相对的背面。半导体结构也包含第一接触金属层，第一接触金属层设置于基板的正面之上。半导体结构更包含III

本发明实施例提供一种体声波共振器及其形成方法。前述体声波共振器的形成方法包括：形成牺牲结构在基板上，形成晶种层在牺牲结构上，形成底电极在晶种层上，形成压电层在底电极上，形成顶电极在压电层上，移除牺牲结构以形成空腔，经由空腔刻蚀晶种层。本...

本发明涉及一种调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器，形成体声波共振器的空腔的方法，包括以下步骤：形成一牺牲磊晶结构台面于一化合物半导体基板之上；形成一绝缘层于牺牲磊晶结构台面以及化合物半导体基板之上；以一化学机械平坦化制程研...

一种具有假晶高电子迁移率晶体管的单晶集成电路元件，其包括一低夹止电压pHEMT和一高夹止电压pHEMT。在多层结构中的一萧基层包含至少三个半导体材料的层叠区域，其中两个相邻的层叠区域的每一者与另一者的材料不同且两者之间设有一层叠区域接面...

一种门极沉降假晶高电子迁移率晶体管，包括一化合物半导体基板及形成于其上的一外延结构。该外延结构依序包括一缓冲层、一通道层、一肖特基层和一第一覆盖层。该肖特基层从下到上包括至少两个半导体材料的层叠区域，其中两相邻层叠区域之每一者与另一者之...

本发明提供一种化合物半导体集成电路的电路布局方法，包括：划定在一重叠区域相重叠的一第一电路布局及一第二电路布局在一化合物半导体基板的上表面；一邻近跨接区域包含重叠区域及其周围邻近区域；划定一第一介电区域于邻近跨接区域内且与至少部分重叠区...

本发明涉及一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：一接触金属层、至少一应力平衡层以及一晶粒粘着层。其中接触金属层形成于一化合物半导体晶圆的一下表面；至少一应力平衡层形成于接触金属层的一下表面，其中至少一应力平衡层为至少一导电材...

本发明涉及一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：接触金属层、至少一应力平衡层、复数个应力平衡层通孔以及晶粒粘着层。其中接触金属层形成于化合物半导体晶圆的一下表面；至少一应力平衡层形成于接触金属层的下表面，其中至少一应力平衡层...

本发明公开了一种抗电浆胶带以及半导体封装的制程方法，抗电浆胶带包含有一基材以及形成于该基材上的一黏着层，其中该黏着层选自由丙烯酸黏合剂、光固化树脂与光起始剂所构成的群组的其中之一。于一电浆清洗制程前，该抗电浆胶带黏贴于该半导体封装的一导...

本发明涉及一种调谐共振器的方法、形成共振器的空腔的方法及滤波器，形成体声波共振器的空腔的方法，包括以下步骤：形成一牺牲磊晶结构台面于一化合物半导体基板之上；形成一绝缘层于牺牲磊晶结构台面以及化合物半导体基板之上；以一化学机械平坦化制程研...