【技术实现步骤摘要】
电子结构及其制造方法
[0001]本专利技术有关于一种电子结构，特别是有关于一种于凸块下具有金属保护层的电子结构及其制造方法
。
技术介绍
[0002]在传统的声波元件中，由于金属导线
(
例如，铝
、
金
、
或铜
)
未以保护层覆盖，因此，在回流过程中，可能发生锡凸块的流失，导致锡凸块太薄而无法用于后续工艺，例如，芯片倒装焊封装
。
技术实现思路
[0003]在一实施例中，提供一种电子结构
。
该电子结构包括一基板
、
一第一导体
、
一第二导体
、
一绝缘子
、
一保护层
、
以及一凸块结构
。
该第一导体设置于该基板上，且该第一导体具有一第一上表面与一第一侧表面
。
该第二导体电连接该第一导体，且该第二导体具有一第二上表面与一第二侧表面
。
该绝缘子覆盖该第一导体的该第一上表面与该第一侧表面
。
该保护层覆盖该第二导体的该第二上表面，露出该第二导体的该第二侧表面
。
该凸块结构设置于该第二导体上
。
该保护层包括一金属材料
。
[0004]在一实施例中，提供一种电子结构
。
该电子结构包括一基板
、
多个导体
、
一凸块结构
、
以及一保护层
【技术保护点】
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.
一种电子结构，其特征在于，包括：一基板；一第一导体，设置于所述基板上，所述第一导体具有一第一上表面与一第一侧表面；一第二导体，电连接所述第一导体，所述第二导体具有一第二上表面与一第二侧表面；一绝缘子，覆盖所述第一导体的所述第一上表面与所述第一侧表面；一保护层，覆盖所述第二导体的所述第二上表面，露出所述第二导体的所述第二侧表面；以及一凸块结构，设置于所述第二导体上，其中所述保护层包括一金属材料
。2.
如权利要求1所述的电子结构，其特征在于，所述第二导体为一重分布层
。3.
如权利要求1所述的电子结构，其特征在于，所述第一导体与所述第二导体接触
。4.
如权利要求1所述的电子结构，其特征在于，所述绝缘子覆盖所述第一上表面的一第一部分，露出所述第一上表面的一第二部分
。5.
如权利要求1所述的电子结构，其特征在于，所述凸块结构包括一柱状导体与一凸块，所述凸块设置于所述柱状导体上
。6.
如权利要求5所述的电子结构，其特征在于，所述保护层与所述凸块的合金温度大于
500℃。7.
如权利要求6所述的电子结构，其特征在于，所述保护层的材料包括：钛
、
钛钨
、
或铂
。8.
如权利要求5所述的电子结构，其特征在于，所述第二导体的一顶部的材料与所述凸块的合金温度小于
500℃。9.
如权利要求1所述的电子结构，其特征在于，于一上视图中，所述凸块结构的面积与所述第二上表面的比例介于5％至
60
％的范围内
。10.
一种电子结构，其特征在于，包括：一基板；多个导体，设置于所述基板上；一凸块结构，设置于所述导体的至少其中一个上；以及一保护层，设置于所述导体上，露出所述导体之间的一区域
。11.
如权利要求
10
技术研发人员：张家达，丁柏玮，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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