半导体结构与其形成方法技术

本申请公开了一种半导体结构与其形成方法。半导体结构包含基板，基板具有正面和与正面相对的背面。半导体结构也包含第一接触金属层，第一接触金属层设置于基板的正面之上。半导体结构更包含III

【技术实现步骤摘要】
半导体结构与其形成方法


[0001]本申请实施例是有关于一种半导体结构与其形成方法，且特别是有关于一种包含III
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V族化合物半导体层的半导体结构与其形成方法。

技术介绍

[0002]III
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V族化合物半导体材料以其宽能隙(bandgap)特性(例如，氮化镓(GaN)的能隙可高达3.4eV)和高崩溃电压而著称。因此，III
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V族化合物半导体材料已成为用于高温和/或高功率应用的有利材料。近来，包含III
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V族化合物半导体材料的半导体已被用于制造高功率和高频装置，例如氮化镓高电子迁移率晶体管(high
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electron
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mobility transistor,HEMT)。
[0003]然而，当在传统的氮化镓高电子迁移率晶体管中形成背面通孔(back
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side via hole)时，应执行蚀刻工艺并停止于氮化镓层。另外，还需要对基板内部的背面通孔进行一清洁工艺。接着，应执行另一蚀刻工艺以将背面通孔的下方的氮本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，包括：一基板，具有一正面和与所述正面相对的一背面；一第一接触金属层，设置于所述基板的所述正面之上；一III
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V族化合物半导体层，设置于所述基板与所述第一接触金属层之间；以及一通孔，从所述基板的所述背面穿透所述基板与所述III
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V族化合物半导体层，其中所述通孔的一底部是由所述第一接触金属层所定义，且所述第一接触金属层包括如下之一或组合：钼、钨、铱、钯、铂、钴、钌、锇、铑、铼。2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触金属层包括如下之一或组合：硅化钼、硅化钨、硅化铱、硅化钯、硅化铂、硅化钴、硅化钌、硅化锇、硅化铑、硅化铼。3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一接触金属层的厚度大于或等于500埃。4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括：一第二接触金属层，设置于所述第一接触金属层之上，其中所述第一接触金属层设置于所述第二接触金属层与所述III
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V族化合物半导体层之间。5.如权利要求4所述的半导体结构，其特征在于，所述第二接触金属层包括如下之一或组合：钛、金、铂。6.如权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，更包括：一第三接触金属层，设置于所述第二接触金属层之上，其中所述第二接触金属层设置于所述第一接触金属层与所述第三接触金属层之间，且所述第三接触金属层包括如下之一或组合：钛、金、铂。7.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述III
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V族化合物半导体层包括如下之一或组合：氮化镓、氮化铝、氮化铝镓、氮化铝铟、氮化铝铟镓。8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，更包括一高电子迁移率晶体管，其中所述高电子迁移率晶体管的至少一部分是由所述III
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V族化合物半导体层的一部分制成。9.如权利要求8所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：花长煌，陈家豪，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：