一种具有异质胶材的晶圆级扇出型封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术公开了一种具有异质胶材的晶圆级扇出型封装结构及其封装方法，该封装结构的芯片包覆

【技术实现步骤摘要】
一种具有异质胶材的晶圆级扇出型封装结构及其封装方法


[0001]本专利技术涉及半导体封装
，更具体涉及一种具有异质胶材的晶圆级扇出型封装结构及其封装方法
。

技术介绍

[0002]随着半导体
WLCSP
（晶圆片级芯片规模封装）先进封装技术的不断发展，最早的
Fan
‑
In
（扇入）封装形式不再能满足所有用户的需求，
Fan
‑
out
（扇出）封装形式应用得越来越广泛，芯片
Bump
（凸块）可以长到
Die
（芯片未封装前的晶粒）外面，封装后
IC
面积也较
die
面积大，
Fan
‑
out
（扇出）能实现多方面的先进封装，通过一些新材料及工艺来降低厚度，提高
I/O
（输入输出引脚）密度
、
节距
、
热性能及参数性能等
。
目前常用的一种扇出封装形式为
FO
‑...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种具有异质胶材的晶圆级扇出型封装结构，包括芯片，所述芯片的背面和四周侧面包覆有塑封层，所述塑封层的背面粘合有支撑硅层，其特征在于，所述塑封层选用
ABF
膜，所述塑封层和芯片的正面涂覆有
A
型光刻胶形成再钝化层一，所述再钝化层一覆盖待裁切的划片道，所述再钝化层一上设有与芯片互联的再布线金属层，所述再布线金属层上涂覆有
B
型光刻胶形成再钝化层二，所述再布线金属层的另一端设有凸点下金属层，所述凸点下金属层的端部裸露且与再钝化层二的正面齐平，所述凸点下金属层互联有锡球；所述
A
型光刻胶的抗拉强度为
70~90Mpa、
弹性模量为
2.0~3.0GPa、
延伸率为
3%~10%、
粘度为
200~500CP
；所述
B
型光刻胶的抗拉强度为
120~300 Mpa、
弹性模量为
3.1~4.1 GPa、
延伸率为
35%~60%、
粘度为
2000~50000CP。2.
根据权利要求1所述的具有异质胶材的晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，涂覆所述
B
型光刻胶形成的再钝化层二覆盖待裁切的划片道，或者待裁切的所述划片道内未覆盖所述再钝化层二
。3.
根据权利要求2所述的具有异质胶材的晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，所述支撑硅层的背面覆盖有背胶层
。4.
根据权利要求2所述的具有异质胶材的晶圆级扇出型封装结构，其特征在于，所述再钝化层一和再布线金属层可为多层设置
。5.
一种具有异质胶材的晶圆级扇出型封装结构的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1
：研磨来料晶圆背面；
S2
：将来料晶圆沿着划片槽切割成单颗芯片；
S3
：取载体晶圆并在载体晶圆上贴合临时键合膜，使用倒装设备，将来料晶圆上的各个芯片按照图谱逐个倒装在载体晶圆上；
S4
：用塑封材料进行塑封在载体晶圆上形成塑封层，所述塑封材料为
ABF
膜，塑封层填充各芯片之间的间隙，且塑封层覆盖芯片的背面和四周侧面，塑封层与芯片结合在一起；载体晶圆的正面依次叠有临时键合膜
、
芯片
、
塑封层，形成重构晶圆；
S5
：在塑封层上粘合支撑硅层；
S6
：通过解键合将载体晶圆和临时键合膜从重构晶圆上脱粘并剥离出来；
S7
：将
S6
中得到的无载体晶圆...

【专利技术属性】
技术研发人员：张亚文，赵玥，张玉，郭红红，张福森，程振，
申请(专利权)人：江苏芯德半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：