本发明关于一种三族氮化物高电子迁移率晶体管(HEMT)。该三族氮化物高电子迁移率晶体管依序包含一基板、一氮化镓缓冲层、一氮化镓通道层、一氮化铝间隔层、一阻障层、一氮化镓覆盖层、以及一介于阻障层及氮化铝间隔层之间的单原子掺杂层。本发明的高...

一种太阳能电池软板模块结构及其制造方法，其中该太阳能电池软板模块结构包括一基板、一第一导电层、一第二导电层、一太阳能电池芯片、至少一第一导电线及至少一第二导电线，其中该太阳能电池芯片的面积小于第一导电层的面积，其下层电极与该第一导电层连...

一种三五族化合物半导体组件的铜金属连接线，包含一金属接触层以及一含铜金属层；其中该金属接触层位于该含铜金属层下方，由选自下列材料组成的群组所构成：钛/钯/铜(Ti/Pd/Cu)、钛/镍钒/铜(Ti/NiV/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/...

本发明是有关一种具有三维元件的复合物半导体集成电路，如一种将焊垫或电感以三维方式设置于电子元件上方的复合物半导体集成电路。在焊垫或电感与电子元件间插入的介电层其厚度为介于10到30微米之间，因此能有效降低此结构对元件性能造成的影响。可设...

本发明是一种高抗折强度半导体晶元改良结构及其制造方法，其中前述改良结构包括有一基板、一主动层、一金属层；其中该主动层，形成于该基板正面，且该主动层包含有至少一集成电路；而其中该金属层形成于该基板背面，且该金属层完整覆盖住该基板背面相对于...

一种提升金属凸块结构表面熔接金属的共面性的制程方法，适用于半导体晶片的覆晶式凸块熔接技术，且当元件表面具有不同尺寸的金属凸块时，可消除或减少因凸块大小不同所造成的熔接金属经高温处理后高度不均匀的问题，藉此改善下游测试与封装的困难度。为达...

一种无电解电镀设备与方法，适用于对至少一晶圆进行无电解电镀处理；前述设备包括有槽体单元、晶圆承载单元、无电解电镀液供应单元以及超声波震荡单元；其中，前述槽体单元设有至少一入水口，用于承装一无电解电镀液；前述晶圆承载单元结合于前述槽体单元...

本发明涉及一种用激光切割半导体晶圆的制作方法，可以有效避免半导体晶粒上的组件在激光切割后因后续制作过程所产生的蚀刻底切现象，包含以下步骤：将保护层覆盖于晶圆表面；对晶圆进行激光切割并分离各晶粒单元；以湿蚀刻去除晶粒上组件的激光切割残余物...

本发明涉及一种异质结构场效晶体管及其制作方法，其中所述晶体管的改良结构包括有基板、通道层、间格层、δ掺杂层、萧基层、高能隙萧基覆盖层、穿隧层、第一蚀刻终止层以及第一n型掺杂覆盖层。所述制作方法则包括以下步骤：使用第一蚀刻制程对n型掺杂覆...

一种变形异质接面双极性晶体管，特别是有关于一种具有适用于低成本生产于大尺寸砷化镓晶圆的材料结构的变形异质接面双极性晶体管。本发明材料结构包括有：一半绝缘的伸化镓基板；一未掺杂的砷锑化铝镓或砷化铝铟镓或其他形式的变形缓冲层；一高掺杂的ｎ－...

本发明公开了一种异质接面双极晶体管（ＨＢＴ）的功率晶体管，其结合使用压舱电阻（ｂａｌｌａｓｔｉｎｇ　　ｒｅｓｉｓｔｏｒ），耦合电容，以及特殊的晶体管单元布局，可以有效的避免晶体管的热溃散（ｔｈｅｒｍａｌ　　ｒｕｎａｗａｙ）问题，同时亦保...