三五族化合物半导体组件的铜金属连接线制造技术

一种三五族化合物半导体组件的铜金属连接线，包含一金属接触层以及一含铜金属层；其中该金属接触层位于该含铜金属层下方，由选自下列材料组成的群组所构成：钛/钯/铜(Ti/Pd/Cu)、钛/镍钒/铜(Ti/NiV/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/铜(TiW/TiWN/TiW/Cu)、钛钨/氮化钛钨/钛钨/金(TiW/TiWN/TiW/Au)、钛钨/铜(TiW/Cu)以及钛钨/金(TiW/Au)；该含铜金属层还包含一金属保护层，覆盖于该含铜金属层的上方，用以防止含铜金属层的氧化；该金属保护层的材料为镍/金(Ni/Au)、镍/钯/金(Ni/Pd/Au)或焊接剂(solder)。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种三五族化合物半导体组件的铜金属连接线，其特征在于，供使用于三五族化合物半导体组件，所述铜金属连接线包含一金属接触层以及一位于所述金属接触层上方的含铜金属层，其中所述金属接触层由选自下列材料组成的群组所构成：钛/钯/铜、钛/镍钒/铜、钛钨/氮化钛钨/钛钨/铜、钛钨/氮化钛钨/钛钨/金、钛钨/铜以及钛钨/金。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：花长煌，朱文慧，
申请(专利权)人：稳懋半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：