半导体组件及其制造方法技术

本发明专利技术公开一种半导体组件及其制造方法，所述半导体组件包含一半导体基板及至少一钝化层，所述钝化层包含数个矩形单元、数个切割道及数个桥接部，所述矩形单元彼此间隔排列，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间，所述桥接部彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。通过在所述切割道横设有桥接部，使两相邻的矩形单元的表面能利用桥接部的接合，达到表面连续的效果，使后续电镀路径可连通所述钝化层的所有矩形单元，以提高电镀的良率。

【技术实现步骤摘要】
本申请是申请日为2013年8月5日，申请号为“201310336911.7”，而专利技术名称为“半导体组件及其制造方法”的申请的分案申请。
本专利技术是有关于一种半导体组件及其制造方法，特别是有关于一种切割道横跨有桥接部的半导体组件及其制造方法。
技术介绍
现有的直通硅穿孔(Through Silicon via,TSV)的技术，是将垂直电路设置在硅基板中，提供具有较高区域密度且无侧接线路的3D电路结构，在直通硅穿孔的制造过程中，硅基板先蚀刻穿孔，接着填入如铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)等金属导体，当直通硅穿孔形成之后，接着盖覆钝化层，以作为硅基板和导体之间的绝缘材料。随着半导体制程的微型化，直通硅穿孔所制作的开口越来越小，覆盖在所述硅基板上的钝化层也需相应修改，进而采用高解析度的钝化材料(High Resolution Passivation Material)，以盖覆在所述硅基板表面或数层的堆叠。所述钝化层成形之后，切割道两侧的钝化层的侧缘较容易形成陡坡，进而产生与钝化层顶面垂直的壁面，由于所述钝化层的表面因切割道而中断，且在通过溅射(sputtering)等物理沉积方式形成种子层(seed layer)时，种子层无法附着在所述垂直的壁面上，导致所述钝化层的表面在后续利用种子层进行电镀制作凸块底金属层(UBM)或重分布(RDL)电路时会有不连续的情形，即一晶圆上的部份芯片区无法成功形成种子层，因而影响在所述钝化层表面上电镀制作凸块底金属层或重分布电路的良率。故，有必要提供一种晶圆及其制成的半导体组件与制造方法，以解决现有技术所存在的问题。专利技术内容有鉴于此，本专利技术提供一种晶圆及其制成的半导体组件与制造方法，以解决现有在钝化层表面进行电镀会有不连续的问题。本专利技术的主要目的在于提供一种半导体组件，其可以通过在所述切割道横设有桥接部，提高同一晶圆上所有芯片区的电镀良率。本专利技术的次要目的在于提供另一种半导体组件，其可避免镀附在钝化层表面的种子层于切割道位置有不连续的情形。本专利技术的次要目的在于提供另一种半导体组件的制造方法，其可以通过在所述切割道横设有桥接部，使各芯片区的钝化层表面产生连续的效果。为达成本专利技术的前述目的，本专利技术一实施例提供一种半导体组件，其中所述半导体组件包含一半导体基板及至少一钝化层，所述半导体基板包含一有源表面、一背面及数个穿导孔，所述背面相反于所述有源表面，所述穿导孔自所述有源表面贯穿至所述背面，所述钝化层覆盖在所述背面上，所述钝化层包含数个矩形单元、数个切割道及数个桥接部，所述矩形单元彼此间隔排列，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间，所述桥接部彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。另外，本专利技术另一实施例提供一种半导体组件，其中所述半导体组件包含一半导体基板及至少一钝化层，所述半导体基板包含一有源表面、一背面、数个穿导孔及四个切割边，所述背面相反于所述有源表面，所述穿导孔自所述有源表面贯穿至所述背面，所述钝化层覆盖在所述背面上，所述钝化层包含一矩形单元、一环状的切割道、及数个桥接部残段，所述矩形单元具有四个侧边，所述切割道位于所述矩形单元的侧边与所述半导体基板的切割边之间，所述桥接部残段彼此间隔横跨位于所述切割道。再者，本专利技术又一实施例提供一种半导体组件的制造方法，其中所述制造方法包含步骤：备置一半导体晶圆，包含一半导体基板、一有源表面、一背面及数个穿导孔，所述背面相反于所述有源表面，所述穿导孔自所述有源表面贯穿至所述背面；及覆盖至少一钝化层在所述背面上，并且所述钝化层形成数个矩形单元、数个切割道及数个桥接部，所述矩形单元彼此间隔排列，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间，所述桥接部彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。如上所述，通过在所述切割道横设有桥接部，使两相邻的矩形单元的表面能利用桥接部的接合，达到表面连续的效果，使后续电镀路径可连通所述钝化层的所有矩形单元，以提高同一晶圆上所有芯片区的电镀良率。附图说明图1是本专利技术一实施例半导体组件(半导体晶圆)的示意图。图2是图1半导体组件的局部放大图。图3是图2半导体组件的A-A线剖视图。图4是图2半导体组件的B-B线剖视图。图5至6是本专利技术另一实施例半导体组件(半导体晶圆)的剖视图。图7至8是本专利技术再一实施例半导体组件(半导体晶圆)的剖视图。图9是本专利技术又一实施例半导体组件(半导体芯片)的上视图。图10是图9半导体组件的C-C线剖视图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。再者，本专利技术所提到的方向用语，例如上、下、顶、底、前、后、左、右、内、外、侧面、周围、中央、水平、横向、垂直、纵向、轴向、径向、最上层或最下层等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。请参照图1、2所示，本专利技术一实施例的半导体组件100，其主要包含一半导体基板2及至少一钝化层3(Passivation)，如环氧树脂(epoxy)，苯环丁烯(BCB，benzocyclobutene)或聚亚酰胺(PI，polyimide)，所述半导体组件100为半导体晶圆(Wafer)，其是在所述半导体基板2上制作有一具集成电路的有源表面，本专利技术将于下文逐一详细说明上述各元件的细部构造、组装关系及其运作原理。请参照图2、3所示，所述半导体基板2例如为硅基板，其包含一有源表面21、一背面22及数个穿导孔23，所述背面22相反于所述有源表面21，所述穿导孔23自所述有源表面21贯穿至所述背面22。所述钝化层3在本实施例中是单一层，其覆盖在所述背面22上，以做为一重分布层(redistribution layer)的绝缘部份。所述钝化层3包含数个矩形单元31、数个切割道32(见图3)及数个桥接部33(见图4)，所述矩形单元31彼此间隔排列，每一切割道32分别位于两相邻矩形单元31之间，所述桥接部33彼此间隔横跨所述切割道32，并且连接两相邻矩形单元31，其中所述切割道32的宽度(两相邻矩形单元31之间的距离)为80微米至120微米，例如90、100或110微米；所述桥接部33的宽度(所述桥接部33延伸方向的两侧缘之间的距离)为10微米至200微米，例如20、30、50、75、100、120、150或180微米。所述桥接部33宽度的设计不仅可供电流通过，在后续晶圆切割时，也可避免造成所述钝化层3的剥落。另外，所述半导体组件100还包含数个导电凸块4(例如铜柱凸块(Copper Pillar)、锡凸块或金凸块)，分别位于所述有源表面21的凸块底金属层24(UBM)上，所述导电凸块4与凸块底金属层24对位于所述穿导孔23的底面；而且所述半导体组件100可再另于所述穿导孔23的顶面电镀形成另一凸块底金属层，以结合另一微凸块5(micro-bump)，以便所述半导体组件100后续结合一上芯片或上封装体的金属球或接垫(未绘示)。依据上述的结构，所述钝化层3通过在所述切割道32横设有桥接部33，使两相邻的矩形单元31的表面能利用桥接部33的接合，使所述钝化层3的表面产生连续的效果，而后续电镀的路径可通过所述桥接部33连通所述钝化层3的所有矩形单元31，进而避免在通过溅射(sputter本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含：一基板，包含：一有源表面；一背面，相反于所述有源表面；及数个穿导孔，自所述有源表面贯穿至所述背面，其中一凸块底金属层位于所述穿导孔的底面；及至少一钝化层，覆盖在所述背面上，所述钝化层包含：数个矩形单元，彼此间隔排列；数个切割道，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间；及数个桥接部，彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。

【技术特征摘要】
1.一种半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含：一基板，包含：一有源表面；一背面，相反于所述有源表面；及数个穿导孔，自所述有源表面贯穿至所述背面，其中一凸块底金属层位于所述穿导孔的底面；及至少一钝化层，覆盖在所述背面上，所述钝化层包含：数个矩形单元，彼此间隔排列；数个切割道，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间；及数个桥接部，彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。2.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含二层以上依序堆叠的所述钝化层，所述依序堆叠的钝化层在所述切割道处形成阶梯状。3.如权利要求1所述的半导体组件，其特征在于：较靠近所述背面的钝化层的桥接部的长度小于较远离所述背面的钝化层的桥接部的长度。4.一种半导体组件，其特征在于：所述半导体组件包含：一基板；数个矩形单元，设置于所述基板上且彼此间隔排列；数个切割道，每一切割道分别位于两相邻矩形单元之间，且所述每一切割道侧缘具有陡坡；及一种子层设置在所述数个矩形单元上；及数个桥接部，彼此间隔横跨所述切割道且连接两相邻矩形单元。5.如权利要求4所述的半导体组件，其特征在于：所述种子层系通过溅射(sputtering)所形成。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：郑斌宏，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71