【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体涉及一种封装结构。
技术介绍
1、随着半导体芯片制程的不断提升，芯片上电路之间的间距越来越小，甚至接近或达到了2nm等级。同时随着芯片尺寸的提升，芯片第一供电部件的尺寸也在相应变大。
2、现有技术的封装结构中，较大尺寸的第一供电部件容易对芯片上的电路造成干扰。图1示出了一个现有技术的封装结构的示意图。如图1所示，电路设置在芯片901的单侧，由于电路的线路902之间间距较小，如图1中标注为b的部分所示，第一供电部件903的宽度会大于线路902之间的间距，此时第一供电部件903就会同时连接相邻的线路902，对电路工作造成干扰。为了避免发生干扰，现有技术会采用硅通孔(tsv，through silicon via)技术，从芯片背面通过硅通孔连接供电部件以减少干扰的发生。
3、图2示出了另一个现有技术的封装结构的示意图。如图2所示，电路902设置在芯片901两侧，底侧的电路902通过硅通孔904与第一供电部件903导通。在这种设计的封装结构中，由于电路分布在芯片901两侧，单侧的电路的线路901密度降低，第一供电部件903不容易对线路902形成干扰。但是，由于使用硅通孔技术的芯片其成本会随着芯片厚度的增加而明显上升，因此使用硅通孔时通常会将芯片的厚度设计的较薄，这就导致芯片容易出现如图2中标注为c的部分所示的裂缝或破损。
4、综上所述，本领域需要提供一种封装结构，其能够克服现有技术的缺陷。
技术实现思路
1、本申请提供了一种封装
2、本申请的一个实施方式提供了一种封装结构，其包括芯片组件，芯片组件包括电路部件和第一供电部件且芯片组件包含第一表面和第二表面，第一表面和第二表面相对设置，电路部件设置于第一表面，电路部件设置于芯片组件内且电路部件与第一供电部件电连接；导电组件，导电组件包括第一导体线和第二导体线，第一导体线设置于芯片组件内，第二导体线设置于第二表面，第一导体线的一端与第二导体线电连接，第一导体线的另一端与第一供电部件电连接，第一导体线和第二导体线之间在剖视方向下形成非垂直的夹角a。
3、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中芯片组件还包括第一凹槽，第一凹槽位于芯片组件内且第一凹槽的开口位于第二表面，第一导体线沿第一凹槽的内壁设置。
4、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中第一凹槽沿着从第二表面向第一表面的方向渐缩，即第一凹槽沿着从第二表面向第一表面从最大面积过渡到最小面积。
5、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中芯片组件还包括第一介电层，第一介电层设置于第二表面且填充第一凹槽，第一介电层覆盖第一导体线和第二导体线。
6、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中夹角a的范围为90°<a<175°。
7、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括基板组件，基板组件中设有第二凹槽，芯片组件设置于第二凹槽内。
8、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中第二导体线从第二表面延伸至基板组件的表面。
9、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括第一重布线层，第一重布线层设置于芯片组件和基板组件上方，第一表面朝向第一重布线层。
10、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中基板组件包括第一导电层，第一重布线层包括第二导电层，第一导电层设置在基板组件内，第二导电层设置在第一重布线层内，第二导电层在第一重布线层内的分布密度大于第一导电层在基板组件的分布密度。
11、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装结构，其中封装结构还包括第二介电层，第二介电层设置在第一重布线层和基板组件之间、第一重布线层和芯片组件之间以及第二凹槽内，第二介电层包覆芯片组件。
12、根据本申请实施方式封装结构的优点在于：提供了一种芯片嵌入基板的背部供电的解决方案，封装尺寸小且性能好；能够避免芯片内的供电区域干扰芯片表面的电路设计；芯片嵌入基板中，不易发生芯片裂缝或破损。
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1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片组件还包括第一凹槽，所述第一凹槽位于芯片组件内且所述第一凹槽的开口位于所述第二表面，所述第一导体线沿所述第一凹槽的内壁设置。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一凹槽沿着从第二表面向所述第一表面的方向渐缩。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述芯片组件还包括第一介电层，所述第一介电层设置于所述第二表面且填充所述第一凹槽，所述第一介电层覆盖所述第一导体线和所述第二导体线。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述夹角A的范围为90°<A<175°。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括基板组件，所述基板组件中设有第二凹槽，所述芯片组件设置于第二凹槽内。
7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述第二导体线从所述第二表面延伸至所述基板组件的表面。
8.根据权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第一重布线层
9.根据权利要求8所述的封装结构，其特征在于，所述基板组件包括第一导电层，所述第一重布线层包括第二导电层，所述第一导电层设置在所述基板组件内，所述第二导电层在所述第一重布线层内的分布密度大于所述第一导电层在所述基板组件的分布密度。
10.根据权利要求9所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括第二介电层，所述第二介电层设置在所述第一重布线层和所述基板组件之间、所述第一重布线层和所述芯片组件之间以及所述第二凹槽内，所述第二介电层包覆所述芯片组件。
...【技术特征摘要】
1.一种封装结构，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述芯片组件还包括第一凹槽，所述第一凹槽位于芯片组件内且所述第一凹槽的开口位于所述第二表面，所述第一导体线沿所述第一凹槽的内壁设置。
3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第一凹槽沿着从第二表面向所述第一表面的方向渐缩。
4.根据权利要求3所述的封装结构，其特征在于，所述芯片组件还包括第一介电层，所述第一介电层设置于所述第二表面且填充所述第一凹槽，所述第一介电层覆盖所述第一导体线和所述第二导体线。
5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述夹角a的范围为90°<a<175°。
6.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括基板组件，所述基板组件中设有第二凹槽，所述芯片组件设置于第二...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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