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一种基于碳纳米管的相控阵列制造技术

技术编号:40803410 阅读:30 留言:0更新日期:2024-03-28 19:28
本发明专利技术涉及一种基于碳纳米管的相控阵列,属于相控阵列技术领域,该相控阵列包括:在相控阵列的左右两侧对称且上下两侧对称的多个射频信号传输支路;设置在各个射频信号传输支路上的功率分配器;与功率分配器的输出端连接的功率放大器;与功率放大器的输出端连接的多级延迟电路;与多级延迟电路的输出端连接的天线。本申请提供的相控阵列,通过对各个功率放大器均采用碳纳米管CMOS器件,可以实现相控阵列工作在高频频段;可进行功率平衡分布,使得相控阵列的左右两侧对称且上下两侧对称度较高,相控阵列的左右两侧相对应的输出端口参数相同;可以实现各个天线通过不同的转向角来控制各个天线组成的天线阵列的输出信号的等效全向辐射功率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及相控阵列,尤其涉及一种基于碳纳米管的相控阵列


技术介绍

1、相控阵系统是一种通过控制阵列天线中每个元素的相位和幅度来改变波束指向和形状的雷达或无线通信系统。随着无线移动通信技术的发展,相控阵系统已成为现代军用和商用雷达和无线通信系统的关键部件。为了进一步提升相控阵系统的性能,需要半导体具备高截止频率以及半导体同质在片数字和射频混合集成。然而,si半导体的载流子迁移率较低,限制了器件的运行速度,最高截止频率只达到500ghz;三五族半导体无法制作pmos器件,因此无法实现同质数字和射频的混合集成;由于石墨烯没有带隙,因此在器件层面关态性能很差,输出特性很难饱和。

2、此外,在实际应用中,在相控阵系统中,每个天线元素都需要一个独立的馈电网络,如果馈电网络不平衡,这可能会导致系统性能下降,甚至产生自干扰,而现有技术中实现天线的平衡馈电可能会非常复杂和困难,尤其是在大型相控阵系统中;在相控阵系统中,波束的指向是由阵列中每个天线元素的相位和幅度决定的,在现有技术中,要实现不同的转向角,可能需要改变每个天线元素的相位和幅度,这可能会非常复杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,所述相控阵列包括:

2.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,多级延迟电路中的各级延迟电路包括两个开关。

3.根据权利要求2所述的基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,在两个开关中,其中一个开关的输出端连接移相器,且与另一个开关并联。

4.根据权利要求3所述的基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,在闭合连接移相器的开关时,移相器控制经过功率放大器进行放大处理后的射频信号的相位偏移。

5.根据权利要求3所述的基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,所述移相器采用加载线型移相器、开关线型移相...

【技术特征摘要】

1.一种基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,所述相控阵列包括:

2.根据权利要求1所述的基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,多级延迟电路中的各级延迟电路包括两个开关。

3.根据权利要求2所述的基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,在两个开关中,其中一个开关的输出端连接移相器,且与另一个开关并联。

4.根据权利要求3所述的基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,在闭合连接移相器的开关时,移相器控制经过功率放大器进行放大处理后的射频信号的相位偏移。

5.根据权利要求3所述的基于碳纳米管的相控阵列,其特征在于,所述移相器采用加载线型移相器、开关线型移相器或低通滤波器型移相器。<...

【专利技术属性】
技术研发人员:仝其瑞丁力
申请(专利权)人:湘潭大学
类型:发明
国别省市:

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