【技术实现步骤摘要】
本申请涉及半导体领域，具体涉及一种封装装置。
技术介绍
1、裸片(die)容易发生翘曲(warpage)且封装前的裸片本身高度通常较小，这会带来一些加工过程中的问题。一方面，在植球制程中，裸片的翘曲会导致良品率下降。图1示出了一种现有技术的封装装置的顶部裸片(top die)向下弯曲的示意图；图2示出了一种现有技术的封装装置的顶部裸片向上弯曲的示意图。如图1和图2所示，采用质量回流(mr，massreflow)工艺时，裸片组件101无论发生两端向下或者两端向上的弯曲都会造成其底部的焊球102无法对准凸块103，使两者无法正确对准焊接，导致未焊(non-joint)问题的发生。
2、另一方面，除了批量回流工艺，现有技术还使用激光辅助键合(lab)和热压键合(tcb)工艺对顶部裸片进行封装。在使用这两种工艺时，由于现有的顶部裸片的高度较低，这也造成了一些问题。图3示出了一种现有技术的封装装置使用激光辅助键合的方式封装顶部裸片的示意图，如图3所示，在使用激光辅助键合时，由于导电柱104高于顶部裸片101安装后的高度，这导致石英板105无法向顶部裸片101施加压力，进而使作业无法完成。图4示出了一种现有技术的封装装置使用热压键合的方式封装顶部裸片的示意图。如图4所示，由于导电柱104高于顶部裸片101安装后的高度且顶部裸片101与两侧的导电柱104之间的间距较小，这导致对热压头106的精度要求较高，且热压头106在下压时容易与顶部裸片101两侧的导电柱104发生接触，进而造成产品良率的下降。
3、综上所述，本领域
技术实现思路
1、本申请提供了一种封装装置，其能够解决磁场对封装装置包覆性不足的问题。本申请的目的通过以下技术方案得以实现。
2、本申请的一个实施方式提供了一种封装装置，其包括:基板组件；裸片组件，裸片组件包括裸片，裸片组件倒装键合在基板组件上，裸片包含位于与基板组件相对一侧的第一表面；第一模封层，第一模封层包覆在第一表面上。
3、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中裸片组件包括第一导体，第一导体设置于裸片的第一表面上，第一模封层包覆第一导体，第一导体的顶端从第一模封层露出。
4、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中裸片组件还包括位于与第一表面相对的裸片的另一侧的凸块和焊材，焊材通过凸块与裸片连接。
5、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中基板组件包括导电柱、重布线层、连接柱和基板，连接柱包括依次设置的连接层、第三模封层和下凸块，下凸块的底部与重布线层连接，导电柱设置在多个连接柱的两侧，导电柱的底端与重布线层连接，基板设置在重布线层上与导电柱相对的另一侧，焊材与连接层的顶部连接。
6、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第一模封层的上表面与第一导体的上表面平齐。
7、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第一模封层的上表面和第一导体的上表面具有沟槽结构。
8、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中封装装置还包括第二模封层，第二模封层的上表面与第一模封层的上表面平齐。
9、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中裸片的边缘位于第一模封层的边缘之内。
10、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第一模封层包覆裸片的边缘。
11、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第二模封层包覆裸片的侧面。
12、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第二模封层包覆裸片的侧面的面积大于第一模封层包覆裸片的侧面的面积。
13、在一些可选的实施方式中，根据本申请的上述一个实施方式提供的封装装置，其中第二模封层和裸片在连接处形成阶梯结构。
14、根据本申请实施方式封装装置的优点在于：通过背部载板增加了顶部裸片的强度，顶部裸片不会在加工过程中发生翘曲，从而避免顶部裸片因翘曲而发生焊接问题，提高了使用质量回流进行封装的良品率；通过背部载板增加的顶部裸片的高度，提高了使用激光辅助键合进行封装的良品率。
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1.一种封装装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述第一模封层的上表面和所述第一导体的上表面具有沟槽结构。
3.根据权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述封装装置还包括第二模封层，所述第二模封层的上表面与所述第一模封层的上表面平齐。
4.根据权利要求3所述的封装装置，其特征在于，所述裸片的边缘位于所述第一模封层的边缘之内。
5.根据权利要求4所述的封装装置，其特征在于，所述第一模封层包覆所述裸片的边缘。
6.根据权利要求5所述的封装装置，其特征在于，所述第二模封层包覆所述裸片的侧面。
7.根据权利要求6所述的封装装置，其特征在于，所述第二模封层包覆所述裸片的侧面的面积大于所述第一模封层包覆所述裸片的侧面的面积。
8.根据权利要求5所述的封装装置，其特征在于，所述第一模封层、所述第二模封层和所述裸片组件在连接处形成阶梯结构。
9.根据权利要求3所述的封装装置，其特征在于，所述基板组件包括导电柱，所述第二模封层包覆所述导电柱。
10.根据
...【技术特征摘要】
1.一种封装装置，其特征在于，包括：
2.根据权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述第一模封层的上表面和所述第一导体的上表面具有沟槽结构。
3.根据权利要求1所述的封装装置，其特征在于，所述封装装置还包括第二模封层，所述第二模封层的上表面与所述第一模封层的上表面平齐。
4.根据权利要求3所述的封装装置，其特征在于，所述裸片的边缘位于所述第一模封层的边缘之内。
5.根据权利要求4所述的封装装置，其特征在于，所述第一模封层包覆所述裸片的边缘。
6.根据权利要求5所述的封装装...
【专利技术属性】
技术研发人员：林晏慈，方绪南，郑世仁，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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