沉积组件及半导体加工设备制造技术

本发明专利技术提供的沉积组件及半导体加工设备，用于将晶片传递并固定在基座上，该基座通过作升降运动上升至工艺位置，或者下降至装卸位置；沉积组件包括沉积环、卡环和至少三个顶针，其中，至少三个顶针沿基座的周向分布，且在基座位于装卸位置时，至少三个顶针通过作升降运动贯穿沉积环，而使至少三个顶针的顶端所在平面高于或低于基座上表面；并且，在每个顶针的用于支撑晶片的承载面上设置有定位凸部，定位凸部用于在顶针支撑所述晶片时，阻挡该晶片沿其径向移动。本发明专利技术提供的沉积组件，其不仅可以限定晶片在顶针上的径向位置，而且还可以降低基座的加工难度，并避免因在基座上加工通孔而对基座冷却晶片的均匀性产生的不良影响。

【技术实现步骤摘要】
沉积组件及半导体加工设备
本专利技术属于半导体设备制造
，具体涉及一种沉积组件及等离子体加工设备。
技术介绍
在集成电路、液晶显示器、薄膜太阳能和LED的制造领域，通常采用物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition，以下简称PVD)技术进行在晶片上沉积金属层等材料的沉积工艺。在进行工艺的过程中，通常需要在反应腔室内设置承载装置(例如静电卡盘或者机械卡盘)来承载晶片，并利用顶针装置将晶片传递至静电卡盘或者机械卡盘上，然后利卡环固定晶片。图1A为现有的沉积组件在处于工艺位置时的剖视图。图1B为现有的沉积组件在处于装卸位置时的剖视图。如图1A和图1B所示，沉积组件包括沉积环11、卡环12和顶针13。其中，基座10用于承载晶片14，并且基座10通过作升降运动，可上升至用于对晶片14进行工艺的工艺位置，或者下降至用于对晶片14完成取片/放片的装卸位置；沉积环11套制在基座10的外周壁上，用以保护基座10的外周壁不会被沉积金属等的靶材材料；卡环12用于在基座10位于工艺位置时，利用自身重力压住晶片14的边缘区域，如图1A所示；当基座10离开工艺位置时，卡环12与基座10相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积组件，用于将晶片传递并固定在基座上，所述基座通过作升降运动上升至工艺位置或者下降至装卸位置；所述沉积组件包括沉积环、卡环和至少三个顶针，其特征在于，所述至少三个顶针沿所述基座的周向分布，且在所述基座位于所述装卸位置时，所述至少三个顶针通过作升降运动贯穿所述沉积环，而使所述至少三个顶针的顶端所在平面高于或低于所述基座上表面；并且，在每个顶针的用于支撑所述晶片的承载面上设置有定位凸部，所述定位凸部用于在所述顶针支撑所述晶片时，阻挡该晶片沿其径向移动。

【技术特征摘要】
1.一种沉积组件，用于将晶片传递并固定在基座上，所述基座通过作升降运动上升至工艺位置或者下降至装卸位置；所述沉积组件包括沉积环、卡环和至少三个顶针，其特征在于，所述至少三个顶针沿所述基座的周向分布，且在所述基座位于所述装卸位置时，所述至少三个顶针通过作升降运动贯穿所述沉积环，而使所述至少三个顶针的顶端所在平面高于或低于所述基座上表面；并且，在每个顶针的用于支撑所述晶片的承载面上设置有定位凸部，所述定位凸部用于在所述顶针支撑所述晶片时，阻挡该晶片沿其径向移动。2.如权利要求1所述的沉积组件，其特征在于，每个所述定位凸部包括朝向所述基座的轴线方向的垂直定位面，所述垂直定位面用于在所述晶片被置于所述承载面上时，将该晶片限制在预设的标准位置。3.如权利要求2所述的沉积组件，其特征在于，每个所述定位凸部包括朝向所述基座的轴线方向的倾斜导向面，所述倾斜导向面与所述垂直定位面相交，且位于其上方，并且相对于所述垂直定位面朝远离所述基座的轴线方向倾斜；所述倾斜导向面用于在所述顶针上升至高于所述基座上表面的过程中，使所述晶片沿所述倾斜导向面下移至所述标准位置。4.如权利要求3所述的沉积组件，其特征在于，所述倾斜导向面与所述垂直定位面之间的夹角的取值范围在15°～20°。5.如权利要求3所述的沉积组件，其特征在于，在所述垂直定位面和所述倾斜导向面之间设置有圆角。6.如权利要求3所述的沉积组件，其特征在于，所述垂直定位面和所述倾斜导向面的粗糙度值小于Ra1.6μm。7.如权利要求2所述的沉积组件，其特征在于，所述垂直定位面在所述基座的轴向上的长度大于所述晶片的厚度，且二者之差在0.3mm以上。8.如权利要求2所述的沉积组件，其特征在于，所述垂直定位面与所述晶片边缘之间的径...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭浩，侯珏，郑金果，杨敬山，赵梦欣，陈鹏，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11