本发明提供一种磁性薄膜沉积腔室及薄膜沉积设备，包括腔室主体和偏置磁场装置，在腔室主体内设置有基座，用以承载待加工工件。偏置磁场装置用于在基座上方形成水平磁场，该水平磁场用于在待加工工件上沉积具有面内各向异性的磁性膜层。本发明提供的薄膜沉...

本发明公开了一种升降装置及具有其的半导体设备，升降装置包括：机架、推杆电机、焊接波纹管和移动杆，推杆电机设在机架内且与机架的底壁相连。焊接波纹管固定在机架的顶壁上。移动杆的下端与推杆电机的推杆相连，移动杆的上端穿过机架的顶壁伸入焊接波纹...

本发明公开一种衬底处理系统，包括去气腔和远程加热单元，其中去气腔包括位于腔内的支撑件以及位于腔壁上的气体输入口；远程加热单元包括用于接收气体的输入口以及与去气腔的气体输入口封闭相连的一个或多个输出口；远程加热单元对接收到的气体进行加热，...

本发明提供一种冷却腔室及半导体加工设备，其在冷却腔室的腔室壁内设置有第一冷却通道，通过向该第一冷却通道内通入冷却媒介，来冷却腔室壁；并且，在冷却腔室内设置有用于承载托盘的托架，托盘用于承载被加工工件，并且，在冷却腔室的腔室壁的至少部分内...

本发明公开了一种反应腔室的清洗方法，涉及半导体技术领域，能够有效清除反应腔室中的副产物。该反应腔室的清洗方法采用清洗气体在射频电源作用下起辉以实现清除沉积在反应腔室内壁上的副产物，该反应腔室的清洗方法包括对所述反应腔室内壁的不同区域进行...

本发明实施例提供了一种PSS图形化衬底刻蚀方法，所述方法包括：对衬底进行主刻蚀；其中，所述主刻蚀包括第一步刻蚀和第二步刻蚀；以第一工艺气压、第一刻蚀气体流量、第一上电极射频功率、以及第一下电极射频功率，对衬底进行第一步刻蚀；判断光刻胶是...

本发明公开了一种基座和反应腔室，该基座包括贯穿其的通孔，及设置在所述通孔内的顶针，所述顶针和所述基座可以在竖直方向上相对移动，以使所述顶针的顶端伸出所述通孔，或位于所述通孔内，所述通孔内设置有第一绝缘件，用于使所述顶针与所述基座绝缘。本...

本发明提供了一种用于实现阻抗匹配和功率分配的装置及半导体加工设备。该装置包括一个输入端、至少两个输出端、功率分配电路和阻抗匹配电路，所述输入端用于与射频电源电连接；每个输出端包括用于与外接器件的两端相连的第一端口和第二端口，第二端口为接...

本发明提供一种机械手、半导体加工设备及机械手工作状态的检测方法，其包括手臂、设置在该手臂一端的手指和应变式传感器，其中，在手臂的内部设置有气体通路，且该气体通路的一端延伸至手指的下表面，通过对气体通路抽真空而使晶片被吸附在手指的下表面，...

本发明公开了一种反应腔室，包括用于承载晶片的基座，用于将晶片固定在基座上的压环，用于包围至少部分腔室壁的上屏蔽件和下屏蔽件；基座可升降，当基座下降至低位时，压环与下屏蔽件接触，当基座上升至高位时，将压环从下屏蔽件上顶起，以使压环与晶片的...

本发明提供一种表面波等离子体装置，利用连接腔连接谐振腔和矩形波导，将螺钉探针经由矩形波导和连接腔伸入谐振腔内部，从而将微波能量馈入连接腔和谐振腔，通过在谐振腔的底壁设置多个石英窗口，使得微波在谐振腔内形成的驻波的电场能够通过各石英窗口耦...

本发明提供的磁控管及应用该磁控管的磁控溅射设备，其包括极性相反的外磁极和内磁极，其中，外磁极和内磁极的形状满足：使内磁极的总磁通量与外磁极的总磁通量的差值在预设范围内。本发明提供的磁控管，其不仅可以提高薄膜厚度的均匀性，而且可以降低靶材...

本发明提供一种晶片定位装置，叠置于静电卡盘以及基环上用于晶片的定位，所述晶片定位装置，包括第一聚焦环，第二聚焦环和升降机构，所述第一聚焦环和第二聚焦环均为环形结构，所述第一聚焦环套置于所述第二聚焦环外侧，所述升降机构与所述第一聚焦环连接...

本发明提供的预清洗腔室及半导体加工设备，包括腔体、设置在该腔体顶部的介质窗以及进气装置，在预清洗腔室内环绕设置有工艺组件，该工艺组件和介质窗共同限定的空间用作工艺子腔，腔体位于工艺组件下方的空间用作装卸子腔；进气装置包括相对于工艺组件的...

本发明提供一种均流装置，包括射频盖和喷淋盘，所述射频盖包括固定连接于一体的上下两部分，其上部为圆盘状的第一本体，其下部为环状的第一连接部，所述第一连接部的外径小于所述第一本体的直径，所述喷淋盘包括固定连接于一体的上下两部分，其上部为环形...

本发明提供一种磁控元件和磁控溅射装置。该磁控元件包括分别呈环状曲线的第一磁极和第二磁极，第一磁极和第二磁极极性相反，第一磁极和第二磁极相互嵌套且相互之间形成磁场，第一磁极和第二磁极之间形成的间隔区域的宽度为第一间距，第一间距能使沉积在基...

本发明提供一种反应腔室和基片加工设备，属于微电子技术领域，其可解决现有的反应腔室中，由于用于向晶片底部通入气体的气体引入单元位于基座内部，在基座维护时容易损坏，而且重新确认其位置也比较困难的问题。本发明的反应腔室，包括基座，基座用于支撑...

本发明公开了一种反应腔室和半导体设备，腔室的侧壁内覆盖有环形内衬，腔室下方设置有下电极，下电极包括卡盘和与卡盘连接的升降部，卡盘用于承载基片，升降部用于驱动卡盘升降，工艺时，升降部驱动卡盘上升到高位，使得基片被内衬环绕包围；腔室还包括屏...

本发明提供的斜孔刻蚀方法，其包括以下步骤：横向刻蚀步骤，以进行各向同性刻蚀为主，扩大斜孔顶部的开口，同时控制斜孔侧壁的倾斜角度范围；深度刻蚀步骤，以进行各向异性刻蚀为主，以在增加斜孔的深度的同时，微调斜孔侧壁的倾斜角度及粗糙度。本发明提...

本发明提供了一种拆卸静电卡盘的装置，涉及半导体技术领域，用于提高拆卸静电卡盘的效率。该装置包括多组杠杆结构、施力构件和基架，每组杠杆结构包括杠杆和提升件；其中，所述杠杆的施力端与所述施力构件铰接，所述杠杆的输力端与所述提升件连接，且所述...