本发明实施例提供了一种刻蚀设备及结束其自动任务的处理方法和处理装置，结束刻蚀设备自动任务的处理方法包括：接收用户发出的结束当前自动任务请求；判断当前自动任务需要加工的任务托盘是否离开CM；当任务托盘离开CM时，判断当前自动任务的剩余动作...

本发明提供一种上电极机构及半导体加工设备，其包括设置在反应腔室顶部的线圈、匹配器和线圈屏蔽组件，其中，线圈通过线圈连接件与匹配器电连接。线圈屏蔽组件用于将在匹配器与线圈连接件的连接处产生的水平干扰电场与由线圈产生的垂直电场隔离。本发明提...

本发明提供一种进气机构及反应腔室，包括喷嘴、楔形件、上密封组件和下密封组件，其中，喷嘴安装在腔室盖板的安装孔内，该喷嘴的外周壁下部环绕设置有第一楔形部，且在安装孔靠近腔室盖板的上表面处形成有第二楔形部。楔形件分别与第一楔形部和第二楔形部...

本发明提供了一种收放片方法。该收放片方法包括以下步骤：S1，在放片时实时存储腔室的状态信息，所述状态信息包括其内每个基片的当前位置和预设收片目标位置；在接收到收片命令后，执行以下步骤：S2，自动读取并解析所述状态信息，根据解析结果获取该...

本发明提供一种薄膜制备腔室及薄膜制备方法，用于在被加工工件的表面上制备薄膜，包括用于承载被加工工件的基座、光学传感器和控制单元，其中，光学传感器用于实时检测沉积在被加工工件上的当前薄膜厚度，并将其发送至控制单元；控制单元用于计算当前薄膜...

本发明提供了一种遮挡盘系统、反应腔室及半导体加工设备。该遮挡盘系统用于遮挡承载装置，包括遮挡盘、传送臂和固定件，固定件用于将所述遮挡盘固定在所述传送臂的下方，且所述遮挡盘与所述传送臂之间具有预设垂直间距，在向所述遮挡盘施加向上作用力时所...

本发明提供了一种晶片粘片处理方法和装置，其中所述方法，包括：确定当前晶片粘片后，自动调用粘片处理程序将粘片晶片从卡盘上脱离；判断所述脱离是否成功；若成功，则自动调用晶片传输程序将所述当前晶片从工艺腔室中传出。通过本发明，既能够节省人力又...

本发明实施例提供了一种机台设备的硬件测试方法和硬件测试系统，硬件测试方法包括以下步骤：根据测试需求分别配置每个待测试模块的信息和每个待测试模块的至少一个待测试服务的信息至配置文件；待测试模块的信息包括待测试模块的ID、测试优先级和对象路...

本发明提供了一种晶片粘片处理方法和装置，其中所述方法，包括：在抛出并显示用于指示当前晶片粘片的报警指示后，接收对粘片处理程序的调用指令；依据所述调用指令调用粘片处理程序，通过粘片处理程序将所述将粘片晶片从卡盘上脱离；判断所述脱离是否成功...

本发明提供一种制造图形化蓝宝石衬底的方法。所述方法包括：利用光刻工艺在蓝宝石衬底上形成掩膜图形；以第一下电极射频功率对所述掩膜图形和所述蓝宝石衬底执行第一刻蚀步骤；当所述掩膜图形的未刻蚀高度等于预定值时，以第二下电极射频功率对所述掩膜图...

本发明提供了一种硅片刻蚀方法。该硅片刻蚀方法用于刻蚀位于腔室内的硅片，包括氧化步骤和刻蚀步骤，其中，氧化步骤，使硅片的表面自氧化形成自氧化层；刻蚀步骤，采用自氧化层与硅片的刻蚀选择比较大的刻蚀工艺刻蚀掉自氧化层；重复上述氧化步骤和刻蚀步...

本发明提供了一种盖板、承载装置及等离子体加工设备，其盖板采用立方氮化硼制作。本发明提供的盖板，其具有良好的导热性能、较高的硬度且不与等离子体发生反应等优势，从而不仅可以减小盖板与托盘之间的温差，提高使用寿命，而且不会改变反应腔室内的等离...

本发明公开了一种深硅刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够改善侧壁的形貌。该深硅刻蚀方法包括深硅刻蚀初始阶段，所述深硅刻蚀初始阶段包括交替进行的多个第一沉积步骤和多个第一刻蚀步骤，多个所述第一沉积步骤的沉积时间呈递减趋势，多个所述第一刻蚀步...

本发明揭示一种加热模块、物理气相沉积腔室以及沉积设备。在物理气相沉积腔室中设置加热模块，该加热模块包括加热灯管，所述加热灯管经配置分布以构成加热区域，且所述加热区域于一投影方向上的投影覆盖所述基板的所述表面；所述加热灯管包括加热段以及非...

本发明提供了一种图形转移方法，用于将特征图形转移至衬底上，包括：S1，在衬底上形成光刻胶层，采用构图工艺将特征图形转移至光刻胶层上，形成光刻胶图形；S2，开启刻蚀腔室的激励电源和偏压电源，偏压电源为等离子体浸没离子注入工艺对应的第一偏压...

本发明了提供一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括承载装置、等离子体产生装置和金属板，承载装置用于承载基片，等离子体产生装置用于将反应腔室内的气体激发形成等离子体，承载装置设置在等离子体产生装置的下方；金属板横向设置在承载装置和等...

本发明提供一种半导体加工设备，包括反应腔室和设于所述反应腔室外侧的电磁装置，所述电磁装置包括电源和多个独立的电磁线圈，所述多个电磁线圈沿反应腔室的圆周方向间隔排列，所述电源为所述电磁线圈提供电能。该半导体加工设备不仅可实时调节不同半径处...

本发明提供一种反应腔室，其包括腔室侧壁和设置在腔室侧壁顶部的气体分配板，腔室侧壁的上表面与气体分配板的下表面相互间隔，且在二者之间设置有密封圈，该密封圈采用线接触的方式分别与腔室侧壁的上表面和气体分配板的下表面相接触，用以对二者之间的间...

本发明提供了一种耦合窗加热组件。该耦合窗加热组件在耦合窗上表面沿其周向设置有环形加热通道，环形加热通道用于向耦合窗上表面的位于环形加热通道内的部分输送热交换气体，在环形加热通道的内侧壁和/或外侧壁上设置有子通道，子通道用于向耦合窗上表面...

本发明提供一种微结构释放的方法及深硅刻蚀微结构，包括以下步骤：采用刻蚀工艺在被加工工件的被加工面获得微结构；在所述微结构的侧壁和底部沉积保护层；采用各向异性刻蚀工艺去除所述微结构的底部的所述保护层；采用各向异性刻蚀工艺刻蚀所述微结构的底...