本发明提供了一种机械手偏移监测系统，机械手包括被驱动体、驱动器、定位件、检测装置和控制装置，被驱动体包括用于承载基片的机械手指和用于连接机械手指和驱动器的机械手臂；驱动器用于驱动被驱动体移动；定位件设置在被驱动体上；检测装置在机械手位于...

本发明提供一种基片校准装置及半导体加工设备。基片校准装置用于校准传输装置和位于其上基片之间的相对位置，其边缘检测机构包括距离传感器和控制器，距离传感器设置在基片边缘外侧，其检测位置对应在基片边缘上；在距离传感器的检测路径上或其延长线上设...

本发明提供一种二氧化硅基片的刻蚀方法，该刻蚀方法包括：S1、在所述基片表面形成掩膜图形，所述掩膜图形包括第一槽；S2、对所述基片进行降温，并向工艺腔内通入沉积工艺气体，以在所述第一槽的侧壁和底部形成钝化层；S3、对所述基片进行升温，并向...

本发明提供一种斜孔刻蚀方法，其用于在硅片表面上刻蚀斜孔，将整个刻蚀过程分为两个步骤，分别为：第一刻蚀步骤，采用碳氟类气体作为刻蚀气体，用于去除在所述硅片表面上形成的自然氧化层；第二刻蚀步骤，采用SF6作为刻蚀气体、O2作为保护气体、HB...

本发明提供了一种压环、承载装置及半导体加工设备。该压环与卡盘配合使用，用以将基片固定在卡盘上，压环包括压环本体和采用绝缘材料制成的辅助件，辅助件包括第一部分和第二部分，其中，第一部分用于叠压基片上表面的边缘区域，且第一部分的靠近基片的中...

本发明提供的刻蚀用掩膜组及应用其的衬底刻蚀方法，其通过采用至少两次光刻工艺在衬底的表面上制作而成，且形成所需的图形，以控制衬底刻蚀后获得的图形的刻蚀倾角。并且，该刻蚀用掩膜组包括相互叠置的第一掩膜层和第二掩膜层，其中，第一掩膜层采用光刻...

本发明提供了一种用于图形化衬底的掩膜。该图形化衬底的掩膜上刻有图形化衬底用的图形，以实现掩膜被划分成多个微单元，每个微单元的倾斜角度为锐角，以降低图形化衬底工艺过程中侧壁上拐角的最高高度，其中，倾斜角度是指微单元的侧壁和底面之间的夹角。...

本发明提供一种半导体加工设备，包括等离子体产生腔，等离子体产生腔由侧壁、顶盖和底板限定而成，且在侧壁外侧环绕设置有法拉第屏蔽件，该法拉第屏蔽件包括具有开缝的导电环体，在导电环体的上端设置有沿其周向间隔设置的多个可产生弹性变形的弹性件，每...

本发明提供一种反应腔室的上盖结构，包括线圈盒、隔板、盖板、多个开盖挂钩和与多个开盖挂钩一一对应的盖板挂钩，所述开盖挂钩在对正位时与所述盖板挂钩对正，在脱离位时与所述盖板挂钩相错开，所述开盖挂钩包括第一钩持部，所述盖板挂钩包括第二钩持部，...

本发明提供一种基片承载装置，包括托盘和盖板，所述托盘用于承载多个基片，所述盖板用于将所述多个基片固定在所述托盘上，其中，所述基片承载装置设置为当多个所述基片设置在所述基片承载装置中时，多个所述基片的上表面高度不同，以使得工艺时腔室内的多...

本发明提供了一种基片的加热设备及加热方法，涉及半导体技术领域，能够缩短基片的平均加热去气时长。其中基片的加热设备包括：加热腔室及位于加热腔室内的第一承载装置、第一加热装置、第二承载装置和第二加热装置；第一承载装置承载未加热的基片，第一加...

本发明提供一种压印模板的制作方法，其包括以下步骤：掩膜光刻步骤，在采用硅材料制作的母版上涂平一层光刻胶掩膜，并采用光刻工艺在光刻胶掩膜上形成所需的图形；图形修饰步骤，用于减小图形的顶宽；母版刻蚀步骤，将图形复制在母版上；模板制作步骤，利...

本发明提供了一种卡盘及承载装置。本发明提供的卡盘，用于与压环配合实现固定基片，其包括基体，所述基体的上表面上设置有用于承载基片的凸台，所述基体和所述凸台均采用导电材料制成，且与偏压电源电联接，用于向所述基片提供负偏压，还包括采用导电材料...

本发明提供的晶片传输系统及晶片传输方法，其包括依次设置的反应腔室、传输腔室和装载腔室，在各个腔室之间设置有门阀，其中，在传输腔室内设置有机械手，用于在反应腔室与装载腔室之间传输承载晶片的托盘；在装载腔室上设置有密封门；装载腔室包括片盒和...

本发明公开了一种反应腔室及半导体加工设备，其背吹供气系统包括分别向上背吹空腔和下背吹空腔供给背吹气体的上背吹气路和下背吹气路，二者分别具有上背吹抽气旁路和下背吹抽气旁路，其中，上背吹抽气旁路与所述反应腔室连接，用以将上背吹气路中多余的背...

本发明提供了一种承载装置及半导体加工设备。该承载装置包括静电卡盘、辅助件和辅助件驱动器，静电卡盘上设置有用于承载基片的承载位，辅助件沿承载位的周向设置，且辅助件的内径小于基片的外径，在静电卡盘的上表面上设置有容纳辅助件的第一凹部，并且，...

本发明提供一种高深宽比的浅沟槽隔离刻蚀方法，其包括刻蚀步骤，该刻蚀步骤包括多个子步骤，其中，各个子步骤所采用的可改变反应副产物的沉积物堆积量的工艺参数数值按可使反应副产物的沉积物堆积量递减的第一规则变化；或者，各个子步骤所采用的可改变反...

本发明提供的硅深孔刻蚀方法，其包括以下步骤：沉积步骤，用于在硅孔侧壁沉积一层聚合物；刻蚀过渡步骤，用于排出硅孔内的沉积气体及反应生成物；刻蚀步骤，用于刻蚀硅孔底部的聚合物，同时增加刻蚀深度；沉积过渡步骤，用于排出硅孔内的刻蚀气体及反应生...

本发明提出一种工艺数据的处理方法和装置。其中，该方法包括：获取采集的多个工艺数据，其中，多个工艺数据中包括多个采集时间点a0-an以及多个采集时间点a0-an对应的多个工艺参数值b0-bn；根据多个采集时间点生成多个插值区间；获取插值点...

本发明提供一种半导体加工设备。该半导体加工设备包括下电极系统，下电极系统包括背吹管路和卡盘，背吹管路与热交换媒介源相连通，热交换媒介源用于提供热交换媒介，卡盘用于承载基片，背吹管路用于向卡盘和基片之间输送热交换媒介，在背吹管路上设置有加...