本发明提供了一种点对点通信设备的监控装置和具有其的监控系统，装置包括：第一设备接口，与第一通信设备的通信接口相连；第二设备接口，分别与第一设备接口和第二通信设备的通信接口相连；数据采样模块，采样第一设备接口和第二设备接口之间的通信数据；...

本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，包括托盘和盖板，在该托盘的上表面设置有第一凸台，且在该第一凸台的上表面设置有第二凸台，该第二凸台的上表面用于承载晶片；在盖板上，且与第二凸台相对应的位置处设置有通孔，第一凸台和第二凸台位于该通孔中...

本发明提供了一种测温装置、基座和反应腔室。测温装置安装在基座上，其包括测温体、安装体和信号线，测温体的一端设置有测温电极，另一端固定在基座上的与测温电极的预设测温位置对应的位置处；安装体固定在基座上的预设安装位置处；信号线连接测温电极和...

本发明提供了一种日志文件的分析方法和系统，以解决日志文件的定位查找、搜索效率不高的问题。其中，一种日志文件的分析方法包括：建立数据库，所述数据库包括流程关键词和/或对象关键词；接收待分析的日志文件，从所述日志文件中依次按行提取待分析的文...

本发明实施例提供了一种设备模拟运行控制方法及装置。该设备模拟运行控制方法包括：接收对第一对象的控制指令，所述控制指令包括进入模拟状态或进入非模拟状态；查找所述第一对象对应的配置文件；其中，所述配置文件包括与至少两个对象对应的公共配置文件...

本发明提供一种用于物理气相沉积的沉积环和物理气相沉积设备。所述沉积环的内周表面上具有环形的内凸台，所述内凸台具有用于承接基片的承接面，所述内凸台上方的内周表面为沿着向上的方向渐开的锥形面。本发明提供的沉积环采用了锥形面和内凸台相结合的设...

本发明提供了一种晶圆的刻蚀装置及刻蚀方法，涉及半导体技术领域，用以提高晶圆的刻蚀均匀性，进而提高集成电路的良率。其中所述晶圆的刻蚀装置包括刻蚀腔体，及设置于所述刻蚀腔体内且可旋转的放置台，所述放置台用于承载晶圆，且在晶圆的刻蚀过程中，所...

本发明提供一种承载装置及半导体加工设备，其包括托盘和盖板，该托盘包括相互平行的承载面和安装面，其中，承载面用于承载晶片，且在承载面上设置有密封圈，该密封圈的顶端高于承载面，以在晶片的下表面与承载面之间形成密封空间；安装面低于承载面，盖板...

本发明提供一种检测托盘是否搭边的方法，其包括以下步骤：在片盒上升的过程中，扫描片盒的各个槽位，并发出方波信号，该方波信号在探测到托盘时为高电平，在未探测到托盘时为低电平；检测方波信号高电平持续的时长，并判断该时长是否超出预设的阈值范围，...

本发明实施例提供了一种工艺参数的处理方法和装置，其中的方法包括：在检测到Recipe模板的第一配置文件发生改变时，依据所述第一配置文件中记录的已有Recipe的第二配置文件标识，查找得到与所述Recipe模板对应的已有Recipe的第二...

本发明提供了一种刻蚀方法和装置，其中，所述方法包括：调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；若否，则按照所述工艺配方中对当前工...

本发明提供一种立体线圈、反应腔室及半导体加工设备，其包括输入端和输出端，输入端和输出端在立体线圈的径向上相对设置，以形成防止输入端和输出端打火的安全距离。本发明提供的立体线圈，其可以在保证立体线圈的输入端与输出端之间具有安全距离的前提下...

本发明提供一种上电极组件及反应腔室，包括介质桶、环绕在该介质桶周围的线圈以及用于冷却介质桶的冷却机构，该冷却机构包括冷却通道，该冷却通道位于线圈的内侧，通过向冷却通道内通入冷却介质，来冷却介质桶；并且冷却通道被设置为：使通入其内的冷却介...

本申请涉及溅射装置及其操作方法。本发明实施例提供一种溅射设备，其包括：磁控管结构体，被配置为按照预定的侵蚀率分布侵蚀标靶，所述预定的侵蚀率分布以所述磁控管结构体的中心轴为对称轴对称分布，并且包括：所述中心轴附近的第一峰值；和位于距离所述...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，包括基座、卡环、检测装置和调节装置，其中，基座用于承载晶片，且基座在进行工艺时被施加有负偏压；卡环压住晶片上表面的边缘区域；检测装置用于实时检测基座的负偏压，并将其发送至调节装置；调节装置用于根据...

本发明提供一种顶针机构及半导体加工设备，包括顶针、中心轴和用于连接二者的固定组件，该固定组件包括夹紧变形件和锁紧螺帽，其中，夹紧变形件设置在中心轴的顶部，且套设在顶针的下部；锁紧螺帽套设在夹紧变形件上，且与之螺纹配合；分别在夹紧变形件和...

本发明提供了一种调整电源输出电流的方法和装置。其中，方法包括：在确定调整电源向负载的输出电流后，确定每次调整电源的输出电流时对应的第一调整电流；其中第一调整电流小于能够导致电源启动过电压保护的电流阈值；每隔设定的时间间隔获取电源的当前输...

本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，属于半导体制造的技术领域，其可解决现有的半导体加工设备中颗粒容易返回反应腔室中造成二次污染的问题。本发明的反应腔室包括设置在所述反应腔室底部的出气口，还包括颗粒阻挡板，在所述颗粒阻挡板上设置有可供...

本发明提供了一种压环装置，所述压环装置用于对待进行磁控溅射的晶片进行固定，所述压环装置包括：第一压环和用于改变所述压环装置的内直径的第二压环；所述第二压环安装于所述第一压环的第一表面上，其中，所述第一表面为所述第一压环安装完成后面向地面...

本发明公开了一种离化率检测装置及方法，涉及微电子加工技术领域，能够准确检测溅射粒子的离化率。该离化率检测装置包括检测晶片和第一直流电源，所述检测晶片上设置有测试孔，所述测试孔底部设置有导电箔，所述导电箔连接所述第一直流电源的负极，所述第...