本发明提供了一种控压方法和装置，其中，所述控压方法包括：确定控制真空传输腔室压力的抽气阀开启、且所述真空传输腔室压力小于第一设定压力值时，控制质量流量控制器以第一设定流量值向所述真空传输腔室充入气体；获取所述真空传输腔室的压力值；当获取...

本发明提供了一种承载装置及反应腔室。本发明提供的承载装置其包括托盘和盖板，托盘上设置有承载基片的凸台，盖板包括板体，板体上设置有与凸台一一对应且套置在凸台侧壁外侧的通孔，沿每个通孔周向上间隔设置的多个压爪，每个压爪用于叠压在基片的边缘区...

本发明提供一种高压LED芯片的钝化层沉积方法，包括以下步骤：钝化层沉积步骤，在完成隔离槽刻蚀工艺后获得的LED芯片的整个表面沉积一层SiO2钝化层；钝化层去除步骤，去除除了预设的非腐蚀区域之外的其余区域的SiO2钝化层；非腐蚀区域为隔离...

本发明提供了一种金属层的刻蚀方法，涉及半导体技术领域，能够实现对金属层较精细的刻蚀，提高刻蚀后金属层表面的平滑度和均匀度。该方法包括：步骤S1：采用氧化性气体对待刻蚀的金属层进行氧化，将金属层的表层氧化成金属氧化层；步骤S2：采用刻蚀气...

本发明提供一种反应腔室的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，向反应腔室内通入F基活性气体和氧气的混合气体，并开启上电极电源，以清除反应腔室内残留的非金属沉积物；S2，向反应腔室内通入金属去除气体，并开启上电极电源，以清除反应腔室内...

本发明提供的工艺腔室及半导体加工设备，其包括：加工子腔，其内设置有基座；存放子腔设置在加工子腔的一侧，具有与加工子腔相连通的通道；加热灯组件用于采用热辐射的方式加热晶片；顶针升降机构包括至少三个顶针和顶针升降装置；预清洗装置包括下电极板...

本发明提供了一种刻蚀工艺。该刻蚀工艺包括刻蚀步骤和沉积步骤，刻蚀步骤和沉积步骤交替循环，刻蚀步骤和沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低，当深宽比达到预设值时，则后续每次刻蚀步骤包括以下步骤：第一步骤，通入刻蚀气体，保...

本发明公开了一种膜层的刻蚀方法和GaN基LED的制作方法，涉及半导体技术领域，能够有效避免刻蚀造成的N型掺杂GaN层的粗糙度的减小，且保证N型掺杂GaN层的性能。该膜层的刻蚀方法包括：强轰击刻蚀步骤和常规刻蚀步骤，所述强轰击刻蚀步骤中刻...

本发明提供的反应腔室以及半导体加工设备，其包括工艺组件和设置在该工艺组件顶部的上电极，且在上电极与工艺组件之间还设置有用于隔绝二者的绝缘环，在工艺组件上，且位于绝缘环的周围设置有阻挡件，该阻挡件包括与绝缘环的外周壁相贴合的摩擦面，用于在...

本发明提供的升降装置及半导体加工设备，其包括提升轴、波纹管组件和直线轴承，其中，提升轴是可升降的，用以带动被提升件作升降运动；波纹管组件用于保证反应腔室的密封性；直线轴承与提升轴相配合，用以单独约束提升轴在其径向上的自由度；并且，直线轴...

本发明提供的承载装置以及半导体加工设备，包括卡盘和聚焦环，卡盘的上表面用于承载被加工工件；聚焦环环绕在卡盘的外围；并且，聚焦环在其周向上不同区域的介电常数值不同，以使被加工工件边缘各处的刻蚀速率趋于均匀。本发明提供的承载装置，其可以使被...

本发明提供了一种夹持装置及半导体加工设备，包括托盘、盖板和多个压爪组件，其中，在托盘的上表面设置有多个用于承载晶片的凸台，在盖板上设置有多个贯穿其厚度的通孔，且各个通孔一一对应地与各个凸台相互嵌套，并且盖板的上表面与每个凸台上晶片的上表...

本发明提供一种磁控管的传动机构及磁控溅射设备，包括旋转轴、套设在旋转轴上的轴承、用于固定轴承的轴承座、阻挡部件和排出通道，其中，阻挡部件设置在轴承座的内腔中轴承的下方，用以阻挡液体接触到轴承；排出通道设置在轴承座内阻挡部件的下方，用以排...

本发明提供了一种加热腔室及物理气相沉积设备，该加热腔室内沿其轴向间隔设置至少两个承载件，所述承载件用于承载被加工工件；并且，在加热腔室内，对应每个所述承载件至少设置一个加热元件，该加热元件用于加热与之对应的承载件上的被加工工件。本发明提...

本发明提供一种基座系统及半导体加工设备，基座系统包括基座和卡环，被加工的基片设于基座的承载面，所述卡环包括卡爪本体以及间隔设于所述卡爪本体的卡爪，所述卡环套置于基座顶端的外侧，并且所述卡爪压接所述基片的边缘，所述卡爪所在区域之外的所述卡...

本发明提供了一种阻抗匹配系统，阻抗匹配系统设置在射频电源和反应腔室之间，用以实现射频电源的输出阻抗和其负载阻抗匹配，其检测装置包括阻抗检测芯片、电压采集模块和电流采集模块，电压采集模块和电流采集模块分别采集射频电源和反应腔室之间的传输线...

本发明提供一种工艺腔室，该工艺腔室包括具有工艺腔的腔室主体和内衬，所述内衬环绕所述工艺腔的纵向轴线设置在所述工艺腔内，其特征在于，所述内衬与所述腔室主体的内壁之间形成有间隔，所述工艺腔室还包括设置在所述腔室主体的内壁与所述内衬之间的加热...

本发明提供一种半导体加工设备，其包括反应腔室、下电极和固定机构，其中，下电极由该固定机构固定在反应腔室内，且在该下电极底部设置有加热器，该固定机构包括至少三个支撑柱，且关于该下电极的轴向中心线对称分布；每个支撑柱的两端分别与加热器的底部...

本发明提供一种衬底刻蚀方法，其包括以下步骤：第一主刻蚀步骤，同时对各个衬底及其上的掩膜进行刻蚀，直至外部衬底上的掩膜完全被消耗；第二主刻蚀步骤，仅对内部衬底上的掩膜进行刻蚀，以减少该掩膜的剩余厚度；过刻蚀步骤，继续同时对各个衬底及内部衬...

本发明提供了一种反应腔室及半导体加工设备，该反应腔室包括压环、转盘、基座和移动环，压环内周壁上设置有多个压爪，压环的内径大于基片的外径；转盘上设置有通孔，压环、通孔和基座由上至下依次且同轴设置；移动环的内径小于基片的外径且其外径大于压环...