一种刻蚀工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种刻蚀工艺。该刻蚀工艺包括刻蚀步骤和沉积步骤，刻蚀步骤和沉积步骤交替循环，刻蚀步骤和沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低，当深宽比达到预设值时，则后续每次刻蚀步骤包括以下步骤：第一步骤，通入刻蚀气体，保持沉积功率继续加载第一预设时间，直至上一所述沉积步骤残留的沉积气体排出槽外；第二步骤，切换沉积功率为刻蚀功率，直至刻蚀步骤结束。本发明专利技术提供的刻蚀工艺，其可以实现更高的深宽比，如60:1甚至更高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于微电子加工
，具体涉及一种刻蚀工艺。
技术介绍
在刻蚀工艺中，深硅刻蚀工艺是指刻蚀深度要求一般为几十微米甚至达到上百微米的刻蚀工艺，而一般的硅刻蚀工艺是指刻蚀深度要求小于1微米的刻蚀工艺。目前，主流的刻蚀工艺为Bosch工艺，其通过刻蚀步骤与沉积步骤的交替循环直至实现所需的刻蚀深度。但是，采用该Bosch工艺在实际应用中发现：当深宽比升高至一定值(20:1)后，工艺气体难以进入槽底部，造成刻蚀停止，即出现EtchStop现象，因此，可实现的深宽比的最大值为20:1，不能满足实际需求。为此，针对上述Bosch工艺进行如下改进：设置刻蚀步骤和沉积步骤的工艺压强在一定范围内随着深宽比的提高逐渐降低，称之为“Ramp”方式，这是因为在低压下粒子的平均自由程较长，反应气体更容易进入槽底部且反应产物也更容易被排出，也就解决了粒子进入深槽的难易问题。典型的工艺配方为：沉积步骤，工艺压强Pressure为50RampTo15mT；激励功率SRF为1200W；偏压功率BRF为0W；工艺气体为C4F8，气流量为100sccm；工艺温度为20℃；工艺时间为2s。刻蚀步骤：工艺压强Pr本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种刻蚀工艺，其包括刻蚀步骤和沉积步骤，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤交替循环，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低，其特征在于，当深宽比达到预设值时，则后续每次所述刻蚀步骤包括以下步骤：第一步骤，通入刻蚀气体，保持沉积功率继续加载第一预设时间，直至上一所述沉积步骤残留的沉积气体排出槽外；第二步骤，切换沉积功率为刻蚀功率，直至所述刻蚀步骤结束。

【技术特征摘要】
1.一种刻蚀工艺，其包括刻蚀步骤和沉积步骤，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤交替循环，所述刻蚀步骤和所述沉积步骤的工艺压强均随着深宽比的提高在一定范围内逐渐降低，其特征在于，当深宽比达到预设值时，则后续每次所述刻蚀步骤包括以下步骤：第一步骤，通入刻蚀气体，保持沉积功率继续加载第一预设时间，直至上一所述沉积步骤残留的沉积气体排出槽外；第二步骤，切换沉积功率为刻蚀功率，直至所述刻蚀步骤结束。2.根据权利要求1所述的刻蚀工艺，其特征在于，后续每次所述沉积步骤包括以下步骤：第一步骤，通入沉积气体，保持刻蚀功率继续加载第二预设时间，直至上一所述刻蚀步骤残留的刻蚀气体排出槽外；第二步骤，切换刻蚀功率为沉积功率，直至所述沉积步骤结束。3.根据权利要求2所述的刻蚀工艺，其特征在于，所述第一预设时间和所述第二预设时间为随着后续所述深宽比的提高而增加的变量。4.根据权利要求3所述的刻蚀工艺，其特征在于，所述深宽比的预设值的取值范围为30:1～40:1。5.根据权利要求4所述的刻蚀工艺，其特征在于，所述深宽比的预设值为30:1，所述第一预设时间和所述第二预设时间自0.5s逐渐增加至0.8s。6.根据权利要求5所述的刻蚀工艺，其特征在于，所述刻蚀步骤的工艺压强自50mT逐渐降低至20m...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢秋实，
申请(专利权)人：北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司，
类型：发明
国别省市：北京;11