一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，解决传统接触孔工艺后的光刻胶固化、颗粒残留、工艺时间延长、设备维护周期缩短的问题。该方法包括形成第一走线、第一绝缘层、第一、第二金属层和光刻胶层；在第一走线上方形成光刻胶保留图案；在光刻胶保留图案下方形成第二、第一金属层保留图案；第一金属层的刻蚀速率大于第二金属层的刻蚀速率；去除光刻胶保留图案；形成第二绝缘层，其厚度小于或等于第一、第二金属层的厚度之和；第二绝缘层在覆盖第一绝缘层与覆盖第二金属层保留图案的交界处具有断裂区域；采用湿法刻蚀工艺去除第一、第二金属层保留图案，以露出第一绝缘层；形成露出第一走线的接触孔。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
干法刻蚀(DryEtch)是利用高能等离子体撞击薄膜表面，达到刻蚀薄膜的目的，广泛应用于半导体、平板显示的制造领域。现有的显示面板制备领域均涉及到在绝缘层上形成接触孔(全称为contact，缩写为CNT)的工艺，主要步骤为在绝缘层上形成具有一定图案的光刻胶层；对光刻胶暴露出的绝缘层的区域进行刻蚀，以在所需的区域形成过孔。刻蚀目标通常为氧化物和/或氮化物(例如硅氧化物SiOx和/或硅氮化物SiNy)，在对光刻胶暴露出的绝缘层的区域进行刻蚀时，由于需刻蚀的膜层厚度较大(厚度一般在400nm以上)，所需的刻蚀时间较长，导致光刻胶保留的部分受到干法刻蚀中等离子长时间的轰击易造成PRBurning(全称为PhotoresistBurning，即光刻胶固化)，后续采用湿法刻蚀剥离(WetStrip)绝缘层其余区域上保留的光刻胶时，绝缘层上会残留较多无法strip(剥离)掉的FloatingParticle(即光刻胶固化后的残留颗粒)；同时还会造成干法刻蚀设备的tacttime(即工艺时间)延长、设备腔室所需的PM(全称为PeriodicMaintenance)周期缩短等一些列不良影响。
技术实现思路
鉴于此，为解决现有技术的问题，本专利技术的实施例提供一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置，通过优化接触孔的形成工艺，解决传统接触孔刻蚀工艺后出现的光刻胶固化、光刻胶固化产物颗粒残留，刻蚀设备腔室工艺时间延长、维护周期缩短的问题。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面、本专利技术实施例提供了一种显示基板的制备方法，所述制备方法包括，在衬底基板上依次形成第一走线、第一绝缘层、第一金属层、第二金属层和光刻胶层；图案化所述光刻胶层，以在所述第一走线上方形成光刻胶保留图案；去除所述光刻胶保留图案露出的所述第二金属层和所述第一金属层，形成位于所述光刻胶保留图案下方的第二金属层保留图案和第一金属层保留图案；其中，所述第一金属层的刻蚀速率大于所述第二金属层在同一刻蚀工艺下的刻蚀速率；去除所述光刻胶保留图案；在所述衬底基板上方形成第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层的厚度小于或等于所述第一金属层与所述第二金属层的厚度之和；以使所述第二绝缘层在覆盖所述第一绝缘层与覆盖所述第二金属层保留图案的交界处形成断裂区域；采用湿法刻蚀工艺去除所述第一金属层保留图案和所述第二金属层保留图案，以露出所述第一绝缘层；去除露出的所述第一绝缘层的区域，以形成露出所述第一走线的所述接触孔。可选的，形成的所述第一绝缘层的厚度为100～150nm。可选的，在所述刻蚀去除所述光刻胶保留图案露出的所述第二金属层和下方的所述第一金属层，形成位于所述光刻胶保留图案下方的第一金属层保留图案和第二金属层保留图案的步骤中，所述第一金属层的材料为钼单质，所述第二金属层的材料为铝单质；所述刻蚀的工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括硝酸、磷酸、盐酸和醋酸。可选的，在所述衬底基板上形成所述第一走线的步骤还包括，形成与所述第一走线同层设置的栅极和栅线。优选的，所述第二绝缘层为栅绝缘层；所述在所述衬底基板上方形成第二绝缘层；其中，以使所述第二绝缘层在覆盖所述第一绝缘层与覆盖所述第二金属层保留图案的交界处形成断裂区域的步骤，包括，在所述衬底基板上方形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层覆盖所述栅极的区域形成有源层；在所述栅绝缘层和所述有源层上方形成刻蚀阻挡层；其中，所述栅绝缘层和所述刻蚀阻挡层在覆盖所述第一绝缘层与覆盖所述第二金属层保留图案的交界处均具有断裂区域。优选的，所述制备方法还包括，对所述刻蚀阻挡层进行构图工艺处理，以形成露出所述刻蚀阻挡层下方的所述有源层的第一过孔和第二过孔。优选的，所述制备方法还包括，在所述衬底基板上方形成第二走线；其中，所述第二走线通过所述接触孔与所述第一走线电性连接。优选的，所述在所述衬底基板上方形成第二走线的步骤还包括，形成与所述第二走线同层设置的源极、漏极以及与所述源极相连的数据线；其中，所述源极、所述漏极分别通过所述第一过孔、所述第二过孔与所述有源层相接触。可选的，形成的所述第一金属层的厚度为100～150nm；形成的所述第二金属层的厚度为100～150nm；形成的所述第二绝缘层的厚度为200～300nm。可选的，所述第一绝缘层的材料为氮化硅和/或氧化硅。第二方面、本专利技术实施例还提供了一种阵列基板，所述阵列基板采用上述任一项所述的制备方法制备。第三方面、本专利技术实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括上述所述的阵列基板。基于此，通过本专利技术实施例提供的上述显示基板的制备方法，利用刻蚀速率不同的第一金属层与第二金属层在第一绝缘层待形成接触孔的区域上巧妙地形成了一个倒锥型的金属保留图案层叠结构。并且由于在后形成的第二绝缘层的厚度小于或等于两个金属层的厚度之和，故第二绝缘层在成膜过程中无法均匀地覆盖住倒锥型结构的段差边缘处，不需要通过额外的构图工艺处理即在第二绝缘层覆盖第一绝缘层与覆盖第二金属层保留图案的交界处形成了一个断裂区域，即在倒锥型结构的上方形成了孤立的第二绝缘层部分。后续利用湿法刻蚀工艺去除金属倒锥型结构的同时即可一并去除其上方残留的孤立的第二绝缘层部分，从而露出了第一绝缘层待形成接触孔的区域。由于仅露出了接触孔的区域，对这一区域直接进行刻蚀即可形成露出第一走线的接触孔，而无需通过额外的利用光刻胶遮挡构图的现有技术。由于在第一绝缘层上形成上述接触孔的过程不涉及到光刻胶的图案化工艺，即不存在现有技术中利用光刻胶遮挡构图时存在的光刻胶固化、光刻胶固化产物颗粒残留，较深的过孔内副产物堆积造成刻蚀工艺不得不中断、以及刻蚀设备腔室工艺时间延长、维护周期缩短等一系列与光刻胶构图有关的弊端，优化了接触孔的形成工艺，提高了工艺效率。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种显示基板的制备方法流程示意图；图2为图1中制备方法的分步结构示意图一；图3为图1中制备方法的分步结构示意图二；图4为图1中制备方法的分步结构示意图三；图5为图1中制备方法的分步结构示意图四；图6为图1中制备方法的分步结构示意图五；图7为图1中制备方法的分步结构示意图六；图8为本专利技术具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图一；图9为本专利技术具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图二；图10为本专利技术具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图三；图11为本专利技术具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图四；图12为本专利技术具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图五；图13为本专利技术具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法分步结构示意图六；图14为本专利技术具体实施例提供的一种阵列基板的制备方法步结构示意图七。附图说明：01-显示基板；10-衬底基板；20-第一走线；21-本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，在衬底基板上依次形成第一走线、第一绝缘层、第一金属层、第二金属层和光刻胶层；图案化所述光刻胶层，以在所述第一走线上方形成光刻胶保留图案；去除所述光刻胶保留图案露出的所述第二金属层和所述第一金属层，形成位于所述光刻胶保留图案下方的第二金属层保留图案和第一金属层保留图案；其中，所述第一金属层的刻蚀速率大于所述第二金属层在同一刻蚀工艺下的刻蚀速率；去除所述光刻胶保留图案；在所述衬底基板上方形成第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层的厚度小于或等于所述第一金属层与所述第二金属层的厚度之和；以使所述第二绝缘层在覆盖所述第一绝缘层与覆盖所述第二金属层保留图案的交界处形成断裂区域；采用湿法刻蚀工艺去除所述第一金属层保留图案和所述第二金属层保留图案，以露出所述第一绝缘层；去除露出的所述第一绝缘层的区域，以形成露出所述第一走线的所述接触孔。

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，在衬底基板上依次形成第一走线、第一绝缘层、第一金属层、第二金属层和光刻胶层；图案化所述光刻胶层，以在所述第一走线上方形成光刻胶保留图案；去除所述光刻胶保留图案露出的所述第二金属层和所述第一金属层，形成位于所述光刻胶保留图案下方的第二金属层保留图案和第一金属层保留图案；其中，所述第一金属层的刻蚀速率大于所述第二金属层在同一刻蚀工艺下的刻蚀速率；去除所述光刻胶保留图案；在所述衬底基板上方形成第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层的厚度小于或等于所述第一金属层与所述第二金属层的厚度之和；以使所述第二绝缘层在覆盖所述第一绝缘层与覆盖所述第二金属层保留图案的交界处形成断裂区域；采用湿法刻蚀工艺去除所述第一金属层保留图案和所述第二金属层保留图案，以露出所述第一绝缘层；去除露出的所述第一绝缘层的区域，以形成露出所述第一走线的所述接触孔。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成的所述第一绝缘层的厚度为100～150nm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀去除所述光刻胶保留图案露出的所述第二金属层和下方的所述第一金属层，形成位于所述光刻胶保留图案下方的第一金属层保留图案和第二金属层保留图案的步骤中，所述第一金属层的材料为钼单质，所述第二金属层的材料为铝单质；所述刻蚀的工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括硝酸、磷酸、盐酸和醋酸。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成所述第一走线的步骤还包括，形成与所述第一走线同层设置的栅极和栅线。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，王明，汪军，周斌，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34