一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置，涉及显示技术领域，解决传统接触孔工艺后的光刻胶固化、颗粒残留、工艺时间延长、设备维护周期缩短的问题。该方法包括形成第一走线、第一绝缘层、第一、第二金属层和光刻胶层；在第一走线上方形成光刻胶保留图案；在光刻胶保留图案下方形成第二、第一金属层保留图案；第一金属层的刻蚀速率大于第二金属层的刻蚀速率；去除光刻胶保留图案；形成第二绝缘层，其厚度小于或等于第一、第二金属层的厚度之和；第二绝缘层在覆盖第一绝缘层与覆盖第二金属层保留图案的交界处具有断裂区域；采用湿法刻蚀工艺去除第一、第二金属层保留图案，以露出第一绝缘层；形成露出第一走线的接触孔。

【技术实现步骤摘要】
一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种显示基板的制备方法、阵列基板及显示装置。
技术介绍
干法刻蚀(DryEtch)是利用高能等离子体撞击薄膜表面，达到刻蚀薄膜的目的，广泛应用于半导体、平板显示的制造领域。现有的显示面板制备领域均涉及到在绝缘层上形成接触孔(全称为contact，缩写为CNT)的工艺，主要步骤为在绝缘层上形成具有一定图案的光刻胶层；对光刻胶暴露出的绝缘层的区域进行刻蚀，以在所需的区域形成过孔。刻蚀目标通常为氧化物和/或氮化物(例如硅氧化物SiOx和/或硅氮化物SiNy)，在对光刻胶暴露出的绝缘层的区域进行刻蚀时，由于需刻蚀的膜层厚度较大(厚度一般在400nm以上)，所需的刻蚀时间较长，导致光刻胶保留的部分受到干法刻蚀中等离子长时间的轰击易造成PRBurning(全称为PhotoresistBurning，即光刻胶固化)，后续采用湿法刻蚀剥离(WetStrip)绝缘层其余区域上保留的光刻胶时，绝缘层上会残留较多无法strip(剥离)掉的FloatingParticle(即光刻胶固化后的残留颗粒)；同时还会造成干法刻蚀设备的t本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，在衬底基板上依次形成第一走线、第一绝缘层、第一金属层、第二金属层和光刻胶层；图案化所述光刻胶层，以在所述第一走线上方形成光刻胶保留图案；去除所述光刻胶保留图案露出的所述第二金属层和所述第一金属层，形成位于所述光刻胶保留图案下方的第二金属层保留图案和第一金属层保留图案；其中，所述第一金属层的刻蚀速率大于所述第二金属层在同一刻蚀工艺下的刻蚀速率；去除所述光刻胶保留图案；在所述衬底基板上方形成第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层的厚度小于或等于所述第一金属层与所述第二金属层的厚度之和；以使所述第二绝缘层在覆盖所述第一绝缘层与覆盖所述第二金属层保留图案...

【技术特征摘要】
1.一种显示基板的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括，在衬底基板上依次形成第一走线、第一绝缘层、第一金属层、第二金属层和光刻胶层；图案化所述光刻胶层，以在所述第一走线上方形成光刻胶保留图案；去除所述光刻胶保留图案露出的所述第二金属层和所述第一金属层，形成位于所述光刻胶保留图案下方的第二金属层保留图案和第一金属层保留图案；其中，所述第一金属层的刻蚀速率大于所述第二金属层在同一刻蚀工艺下的刻蚀速率；去除所述光刻胶保留图案；在所述衬底基板上方形成第二绝缘层；其中，所述第二绝缘层的厚度小于或等于所述第一金属层与所述第二金属层的厚度之和；以使所述第二绝缘层在覆盖所述第一绝缘层与覆盖所述第二金属层保留图案的交界处形成断裂区域；采用湿法刻蚀工艺去除所述第一金属层保留图案和所述第二金属层保留图案，以露出所述第一绝缘层；去除露出的所述第一绝缘层的区域，以形成露出所述第一走线的所述接触孔。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，形成的所述第一绝缘层的厚度为100～150nm。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述刻蚀去除所述光刻胶保留图案露出的所述第二金属层和下方的所述第一金属层，形成位于所述光刻胶保留图案下方的第一金属层保留图案和第二金属层保留图案的步骤中，所述第一金属层的材料为钼单质，所述第二金属层的材料为铝单质；所述刻蚀的工艺为湿法刻蚀，所述湿法刻蚀的刻蚀液包括硝酸、磷酸、盐酸和醋酸。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述衬底基板上形成所述第一走线的步骤还包括，形成与所述第一走线同层设置的栅极和栅线。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘军，王明，汪军，周斌，
申请(专利权)人：合肥鑫晟光电科技有限公司，京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34