一种阵列基板及制备方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种阵列基板及制备方法、显示装置，该阵列基板包括：沟道层；栅极绝缘层，包括并排连接的第一部分和第二部分，设置于所述沟道层上，并且暴露出所述沟道层上的源极和漏极接触区，所述栅极绝缘层的第二部分位于所述栅极绝缘层的第一部分两侧；栅极层，设置于所述栅极绝缘层的第一部分；源极和漏极，与所述沟道层的所述源极和漏极接触区分别对应连接。本发明专利技术的阵列基板，解决因沟道层进行离子注入使其导体化导致阵列基板漏电的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及制备方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及制备方法、显示装置。
技术介绍
目前，IGZO(铟镓锌氧化物)材料逐渐成为新一代阵列基板技术中的沟道层材料，IGZO的载流子迁移率是非晶硅的20～30倍，可以大大提高阵列基板中薄膜晶体管对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，实现更快的刷新率，同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率。现有技术中，在对IGZO阵列基板中的沟道层进行离子注入使其导体化处理的过程中，会造成导体化区出现氧空位，并且导体化的沟道层中的氧空位容易向沟道区迁移，从而导致阵列基板出现漏电的问题。
技术实现思路
本专利技术主要提供一种阵列基板及制备方法、显示装置，旨在解决因对阵列基板中的沟道层进行离子注入使其导体化处理的过程中，氧空位向沟道区迁移导致的阵列基板漏电的问题。为解决上述技术问题，本专利技术采用的一个技术方案是：提供一种阵列基板，包括：沟道层；栅极绝缘层，包括并排连接的第一部分和第二部分，设置于所述沟道层上，并且暴露出所述沟道层上的源极和漏极接触区，所述栅极绝缘层的第二部分位于所述栅极绝缘层的第一部分两侧；栅极层，设置于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，包括：沟道层；栅极绝缘层，包括并排连接的第一部分和第二部分，设置于所述沟道层上，并且暴露出所述沟道层上的源极和漏极接触区，所述栅极绝缘层的第二部分位于所述栅极绝缘层的第一部分两侧；栅极层，设置于所述栅极绝缘层的第一部分；源极和漏极，与所述沟道层的所述源极和漏极接触区分别对应连接。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：沟道层；栅极绝缘层，包括并排连接的第一部分和第二部分，设置于所述沟道层上，并且暴露出所述沟道层上的源极和漏极接触区，所述栅极绝缘层的第二部分位于所述栅极绝缘层的第一部分两侧；栅极层，设置于所述栅极绝缘层的第一部分；源极和漏极，与所述沟道层的所述源极和漏极接触区分别对应连接。2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，未被所述栅极层覆盖的所述栅极绝缘层的第二部分在所述沟道层上的垂直投影长度为1-10微米。3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层的第二部分延伸至所述源极和漏极。4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层的第二部分与所述源极和所述漏极互相接触。5.如权利要求或2所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极绝缘层为硅氧化物层。6.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，所述方法包括：形成沟道层；在所述沟道层上依次形成栅极绝缘层和栅极层，所述栅极绝缘层包括并排连接的第一部分和第二部分，并且暴露出所述沟道层上的源极和漏极接触区，所述栅极绝缘层的第二部分位于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李松杉，徐源竣，刘兆松，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44