像素结构及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一种像素结构及其制造方法，该像素结构包括薄膜晶体管及像素电极。薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层及栅极。半导体层位于源极与漏极上且具有设置于源极与漏极之间的通道。栅极包括主要部及辅助部。主要部与源极、漏极和通道重迭设置。辅助部位于主要部外且与主要部电性连接。主要部与辅助部之间具有间隙。像素电极与漏极电性连接。上述像素结构的制造方法也被提出。

【技术实现步骤摘要】
像素结构及其制造方法
本专利技术是有关于一种半导体结构及其制造方法，且特别是有关于一种像素结构及其制造方法。
技术介绍
近年来，显示面板广泛地运用在消费性电子产品上，例如：电视、电脑、手机、数字相机等。显示面板包括主动元件阵列基板、对向基板以及配置于主动元件阵列基板与对向基板之间的显示介质。主动元件阵列基板具有多个像素结构。每一像素结构包括薄膜晶体管以及与薄膜晶体管电性连接的像素电极。薄膜晶体管用以控制像素结构的开关。薄膜晶体管的性能优劣对显示面板的品质具有关键性的影响。薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极以及做为通道的半导体图案。一般而言，当栅极的尺寸缩小时，栅极的边缘与半导体图案的边缘接近，而薄膜晶体管的漏极电流与栅极电压的特性曲线出现驼峰现象(Humpphenomenon)，不利于显示面板的品质。
技术实现思路
本专利技术提供一种像素结构，性能佳。本专利技术提供一种像素结构的制造方法，能降低像素结构的制造成本。本专利技术的像素结构包括薄膜晶体管及像素电极。薄膜晶体管包括源极、漏极、半导体层及栅极。半导体层位于源极与漏极上且具有设置于源极与漏极之间的通道。栅极包括主要部及辅助部。主要部与源本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素结构，其特征在于，包括：一薄膜晶体管，包括：一源极与一漏极；一半导体层，位于该源极与该漏极上且具有一通道，该通道设置于该源极与该漏极之间；以及一栅极，包括：一主要部，与该源极、该漏极以及该通道重迭设置；以及一辅助部，位于该主要部外且与该主要部电性连接，其中该主要部与该辅助部之间具有一间隙；以及一像素电极，与该薄膜晶体管的该漏极电性连接。

【技术特征摘要】
2017.01.25 TW 1061030261.一种像素结构，其特征在于，包括：一薄膜晶体管，包括：一源极与一漏极；一半导体层，位于该源极与该漏极上且具有一通道，该通道设置于该源极与该漏极之间；以及一栅极，包括：一主要部，与该源极、该漏极以及该通道重迭设置；以及一辅助部，位于该主要部外且与该主要部电性连接，其中该主要部与该辅助部之间具有一间隙；以及一像素电极，与该薄膜晶体管的该漏极电性连接。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：一数据线，与该薄膜晶体管的该源极电性连接；以及一扫描线，与该薄膜晶体管的该栅极电性连接，其中至少部份的该辅助部位于该扫描线与该主要部之间且与该扫描线彼此隔开。3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，还包括：一扫描线，与该薄膜晶体管的该栅极电性连接，其中该辅助部包括多个第一辅助子部，分别位于该主要部的相对两侧且与该主要部之间存在该间隙，该些第一辅助子部与该主要部在一第一方向上排列，该第一方向与该扫描线的长度方向交错；以及至少一连接部，电性连接于该些第一辅助子部与该主要部之间。4.如权利要求3所述的像素结构，其特征在于，该辅助部还包括多个第二辅助子部，分别位于该主要部的另外相对两侧，该些第二辅助子部与该主要部在垂直于该第一方向的一第二方向上排列。5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该辅助部具有一环型结构，设置于该主要部的周边。6.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该半导体层的该通道具有一通道宽度延伸方向，该像素结构还包括：一扫描线，与该薄膜晶体管的该栅极电性连接，其中该辅助部包括至少一第一辅助子部，位于该通道宽度延伸方向上且位于该主要部的至少一侧，该至少一第一辅助子部与该主要部之间存在该间隙；以及至少一连接部，电性连接于该至少一第一辅助子部与该主要部之间。7.如权利要求6所述的像素结构，其特征在于，该辅助部还包括一第二辅助子部，位于该主要部的另一侧，该第二辅助子部与该主要部在垂直于该通道宽度延伸方向上排列。8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，该半导体层的该通道具有一通道宽度延伸方向，该源极于该通道宽度延伸方向上具有相对的两边缘，该漏极于该通道宽度延伸方向上具有相对的两边缘，...

【专利技术属性】
技术研发人员：许世华，蔡佳宏，刘冠显，陈维翰，吴安茹，涂峻豪，刘竹育，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71