阵列基板和阵列基板的制作方法技术

本申请公开了一种阵列基板和阵列基板的制作方法。阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、第一电极、栅绝缘层、钝化层和第二电极；栅极包括第一透明电极和第一金属电极，第一电极包括第三透明电极，第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧，第一透明电极和第三透明电极位于同一层，栅绝缘层覆盖栅极并且与第一电极不交叠，栅极与第一电极彼此绝缘；钝化层位于第一电极和第二电极之间，漏极与第一电极或第二电极电连接。按照本申请的方案，通过设置栅绝缘层与第一电极不交叠，从而减少了第一电极和第二电极之间的绝缘层数量，增强了两电极之间的横向电场强度。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板和阵列基板的制作方法
本申请一般涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板和阵列基板的制作方法。
技术介绍
液晶显示器是目前使用最广泛的一种平板显示器，可为各种电子设备如移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机以及计算机等提供具有高分辨率彩色屏幕。其中，边缘场开关技术(FringeFieldSwitching，FFS)模式的液晶显示器以其观看视角广以及开口率高等特点受到广大用户的喜爱。FFS模式的阵列基板一般可包括栅极、栅绝缘层、半导体层、源漏极、像素电极、公共电极和钝化层。为了降低制作成本，FFS阵列基板的制作方法已经从最初的7张掩膜版(7mask)技术发展为目前的4张掩膜版(4mask)技术，4张掩膜版分别用于：形成图案化的栅极和像素电极、形成图案化的半导体层/源漏极、形成图案化的钝化层以及形成图案化的公共电极。虽然4mask制作的阵列基板能够降低生产成本，但是经过4mask生产的阵列基板应用于显示装置时存在亮度不足的现象。如果通过增加像素电极和公共电极之间的电压差的方式提升显示装置的亮度，则会产生较大的功耗。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供一种阵列基板和阵列基板的制作方法，以期解决现有技术中存在的技术问题。根据本申请的一个方面，提供了一种阵列基板，包括设置在衬底基板上的栅极、扫描线、第一电极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极、钝化层、连接电极和第二电极。其中，栅极包括第一透明电极和第一金属电极，扫描线包括第二透明电极和第二金属电极，第一电极包括第三透明电极，栅绝缘层在衬底基板上的正投影与栅极和扫描线在衬底基板上的正投影彼此重叠并且栅绝缘层在衬底基板上的正投影与第一电极在衬底基板上的正投影不交叠，第一金属电极位于第一透明电极远离衬底基板的一侧，第一透明电极、第二透明电极和第三透明电极位于同一层，第一金属电极和第二金属电极位于同一层，栅极和扫描线彼此电连接并且均与第一电极彼此绝缘；钝化层覆盖源极、漏极和第一电极，第二电极位于钝化层远离衬底基板的一侧，钝化层包括暴露漏极的一部分的第一接触孔；以及连接电极将漏极电连接至第一电极或第二电极。根据本申请的另一方面还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：在衬底基板上依次沉积第一透明导电层、第一金属导电层、第一绝缘层和第一光刻胶层；使用第一掩膜版使第一透明导电层和第一金属导电层形成栅极、扫描线和第一电极，使第一绝缘层形成栅绝缘层，栅绝缘层在衬底基板上的正投影与栅极和扫描线在衬底基板上的正投影彼此重叠并且栅绝缘层在衬底基板上的正投影与第一电极在衬底基板上的正投影不交叠；在栅绝缘层和第一电极上依次沉积本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、第二金属导电层和第二光刻胶层；使用第二掩膜版使本征非晶硅层和掺杂非晶硅层形成半导体层，使第二金属导电层形成源极和漏极；在源极、漏极和第一电极上依次沉积第二绝缘层和第三光刻胶层；使用第三掩膜版使第二绝缘层形成钝化层，钝化层包括暴露漏极的一部分的第一接触孔；在钝化层上依次沉积第二透明导电层和第四光刻胶层；以及使用第四掩膜版使第二透明导电层形成连接电极和第二电极，连接电极将漏极电连接至第一电极或第二电极。本申请提供的阵列基板，通过设置栅绝缘层与第一电极不相交叠，从而减少了第一电极与第二电极之间的绝缘层数量，增强了第一电极与第二电极之间的横向电场强度，当阵列基板应用于显示装置时，能够在不增加功耗的情况下提升显示亮度。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1示出了本申请第一实施例的阵列基板的示意图；图2A～图2D示出了本申请第一实施例的阵列基板的制作工艺的俯视图；图3A～图3N示出了本申请第一实施例的阵列基板的制作工艺的截面图；图4示出了本申请第二实施例的阵列基板的示意图；图5示出了第二实施例的阵列基板中第一电极的示意图；图6示出了本申请第三实施例的阵列基板的俯视图；图7为图6沿线EF的截面图；图8示出了本申请第四实施例的阵列基板的俯视图；图9为图8沿线GH的截面图；图10示出了本申请阵列基板的制作方法的一个实施例的示意性流程图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。在FFS阵列基板的制作过程中，专利技术人发现：现有的4mask技术虽然降低了生产成本，却增加了公共电极与像素电极之间的绝缘层的数量，例如，至少可包括栅绝缘层和钝化层等，从而使得公共电极与像素电极之间的横向电场强度变弱。基于此，本专利技术提出下述实施例以实现在不增加功耗的情况下提升阵列基板应用于显示装置时的显示亮度。图1示出了本申请第一实施例的阵列基板的示意图。如图1所示，阵列基板可包括设置在衬底基板101上的栅极111、扫描线121、第一电极112、栅绝缘层114、半导体层、源极117a、漏极117b、钝化层118、第二电极119b和连接电极119a。其中，栅极111可包括第一透明电极102a和第一金属电极103a，扫描线121可包括第二透明电极102b和第二金属电极103b，第一电极112可包括第三透明电极102c，第一金属电极103a可位于第一透明电极102a远离衬底基板101的一侧，第一透明电极102a、第二透明电极102b和第三透明电极102c可位于同一层，第一金属电极103a和第二金属电极103b可位于同一层。栅极111与扫描线121可彼此电连接，并且均与第一电极112彼此绝缘。半导体层125可包括有源层115，有源层115在与源极117a和漏极117b接触的区域形成欧姆接触116，而在源极117a和漏极117b之间的区域形成沟道区。栅绝缘层114在衬底基板101上的正投影可与栅极111和扫描线121两者在衬底基板101上的正投影彼此重叠，并且栅绝缘层114、栅极111和扫描线121三者在衬底基板101上的正投影可与第一电极112在衬底基板101上的正投影不交叠。钝化层118可覆盖源极117a、漏极117b和第一电极112，第二电极119b可位于钝化层118远离衬底基板101的一侧，钝化层118包括暴露漏极117b的一部分的第一接触孔K1，连接电极119a可将漏极117b电连接至第一电极112或第二电极119b。本实施例中，由于栅绝缘层与第一电极不交叠，第一电极和第二电极之间的绝缘层可仅包括钝化层，使得第一电极和第二电极之间的间距(相当于形成两电极之间的横向电场的极板间距)变小，从而增强了第一电极与第二电极之间的横向电场强度。可选地，第一电极112为像素电极，第二电极119b为公共电极。钝化层118还包括暴露第一电极112的一部分的第二接触孔K2，连接电极119a通过第一接触孔K1与漏极117b电连接，并通过第二接触孔K2与第一电极112电连接，从而将漏极117b和第一电极112(即，像素电极)电连接在一起。阵列基板还包括数据线122，数据线122与扫描线121绝缘交叉，形成包括多行像素和多列像素本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、扫描线、第一电极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极、钝化层、连接电极和第二电极；其中：所述栅极包括第一透明电极和第一金属电极，所述扫描线包括第二透明电极和第二金属电极，所述第一电极包括第三透明电极，所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极和所述扫描线在所述衬底基板上的正投影彼此重叠并且所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述第一金属电极位于所述第一透明电极远离所述衬底基板的一侧，所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极位于同一层，所述第一金属电极和所述第二金属电极位于同一层，所述栅极和所述扫描线彼此电连接并且均与所述第一电极彼此绝缘；所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极和所述第一电极，所述第二电极位于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层包括暴露所述漏极的一部分的第一接触孔；以及所述连接电极将所述漏极电连接至所述第一电极或所述第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括设置在衬底基板上的栅极、扫描线、第一电极、栅绝缘层、半导体层、源极、漏极、钝化层、连接电极和第二电极；其中：所述栅极包括第一透明电极和第一金属电极，所述扫描线包括第二透明电极和第二金属电极，所述第一电极包括第三透明电极，所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极和所述扫描线在所述衬底基板上的正投影彼此重叠并且所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影不交叠，所述第一金属电极位于所述第一透明电极远离所述衬底基板的一侧，所述第一透明电极、所述第二透明电极和所述第三透明电极位于同一层，所述第一金属电极和所述第二金属电极位于同一层，所述栅极和所述扫描线彼此电连接并且均与所述第一电极彼此绝缘；所述钝化层覆盖所述源极、所述漏极和所述第一电极，所述第二电极位于所述钝化层远离所述衬底基板的一侧，所述钝化层包括暴露所述漏极的一部分的第一接触孔；以及所述连接电极将所述漏极电连接至所述第一电极或所述第二电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述栅极、所述扫描线、所述第一电极和所述栅绝缘层通过一次光刻形成。3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为像素电极，所述第二电极为公共电极；所述钝化层还包括暴露所述第一电极的一部分的第二接触孔，所述连接电极通过所述第一接触孔与所述漏极电连接并通过所述第二接触孔与所述第一电极电连接。4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；所述连接电极与所述第二电极电连接，并通过所述第一接触孔与所述漏极电连接。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极在相邻的两条所述扫描线之间为长条状。6.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极线，所述公共电极线包括第四透明电极和第四金属电极，所述第四透明电极与所述第一透明电极位于同一层，所述第四金属电极和所述第一金属电极位于同一层；所述公共电极线与所述第一电极或所述第二电极电连接。7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层通过对透明金属氧化物半导体进行离子掺杂而形成。8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第二电极在像素区域具有多个长条状的开口。9.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：在衬底基板上依次沉积第一透明导电层、第一金属导电层、第一绝缘层和第一光刻胶层；使用第一掩膜版使所述第一透明导电层和所述第一金属导电层形成栅极、扫描线和第一电极，使所述第一绝缘层形成栅绝缘层，所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极和所述扫描线在所述衬底基板上的正投影彼此重叠并且所述栅绝缘层在所述衬底基板上的正投影与所述第一电极在所述衬底基板上的正投影不交叠；在所述栅绝缘层和所述第一电极上依次沉积本征非晶硅层、掺杂非晶硅层、第二金属导电层和第二光刻胶层；使用第二掩膜版使所述本征非晶硅层和所述掺杂非晶硅层形成半导体层，使所述第二金属导电层形成源极和漏极；在所述源极、所述漏极和所述第一电极上依次沉积第二绝缘层和第三光刻胶层；使用第三掩膜版使所述第二绝缘层形成钝化层，所述钝化层包括暴露所述漏极...

【专利技术属性】
技术研发人员：毛琼琴，
申请(专利权)人：上海天马微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31