有源矩阵有机电致发光器件阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及显示技术领域，公开了一种有源矩阵有机电致发光器件阵列基板和一种显示装置，以提高显示装置的像素开口率，提升显示品质。阵列基板包括阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括基板和位于基板上且阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管、有机电致发光器件和存储电容下极板，其中：存储电容下极板与薄膜晶体管的栅极电连接；有机电致发光器件的顶电极位于存储电容下极板的上方且与存储电容下极板之间通过像素界定层间隔，有机电致发光器件的顶电极与存储电容下极板位置相对的部分作为存储电容上极板。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵有机电致发光器件阵列基板和显示装置
本技术涉及显示
，特别是涉及一种有源矩阵有机电致发光器件阵列 基板和一种显示装置。
技术介绍
OLED (Organic Light-Emitting Diode,有机电致发光器件，简称 0LED)显示屏由 于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电 压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发 展前景的下一代显示技术。 0LED依据驱动方式的不同，可分为无源矩阵驱动（Passive Matrix，简称PM) PM0LED与有源矩阵驱动（Active Matrix，简称AM)AM0LED两种。其中，PM0LED以阴极、阳 极构成矩阵状，以扫描方式点亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间 高亮度发光，其结构简单，可以有效降低制造成本，但其驱动电压较高，不适合应用在大尺 寸、高分辨率的显示面板中。AM0LED则是采用独立的薄膜晶体管（Thin Film Transistor， 简称TFT)去控制每个像素，每个像素皆可以连续且独立的驱动发光，AM0LED的驱动电压较 低，寿命较长，可应用于大尺寸平板显示，但其制作工艺较为复杂，成本相对较高。AM0LED依 据出光方式的不同可分为顶发射型（光从上基板射出）和底发射型（光从下基板射出）两 种。 对于电压驱动的AM0LED，从一帧的数据写入到下一帧的数据写入，薄膜晶体管的 栅极电压由存储电容来维持。由于薄膜晶体管漏电流的存在，存储电容所存储的电压会逐 渐减小，造成薄膜晶体管的栅极电位改变，进而影响到流过像素的电流和像素的发光亮度， 为解决此问题，通常将存储电容的面积设计得足够大来增加电压的持续时间。 如图1和图2所示，传统AM0LED阵列基板的结构中，存储电容100设计在薄膜晶 体管30的栅极2与源极3之间，栅极2与源极3位置相对的部分充当存储电容100的两个 极板，栅极绝缘层6充当电介质。由于栅极2与源极3材质的不透光性，大面积的存储电容 1〇〇占用了很大的发光面积，从而致使像素的开口率较低（像素开口率指像素可发光面积 占像素面积的比率）；其次，存储电容100的极板与栅线或数据线位于同一层，其间会产生 很大的寄生电容，从而影响到数据信号的传输及准确性；再次，由于存储电容100的极板与 薄膜晶体管30的源极3连接，源极3的电位与流过薄膜晶体管30的电流有关，薄膜晶体管 30电流的变化也会引起源极3电位的变化，因此，极易造成数据信号的写入失真，AM0LED显 示屏在点亮后会出现亮度跳变，像素的亮度不能满足灰阶信号所要求的亮度，显示效果不 够理想。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种有源矩阵有机电致发光器件阵列基板和一种显示 装置，以提高显示装置的像素开口率，提升显示品质。 本技术实施例提供的有源矩阵有机电致发光器件阵列基板，包括阵列排布的 多个像素单元，每个像素单元包括基板和位于基板上且阵列排布的多个像素单元，每个所 述像素单元包括薄膜晶体管、有机电致发光器件和存储电容下极板，其中： 所述存储电容下极板与所述薄膜晶体管的栅极电连接； 所述有机电致发光器件的顶电极位于所述存储电容下极板的上方且与所述存储 电容下极板之间通过像素界定层间隔，所述有机电致发光器件的顶电极与所述存储电容下 极板位置相对的部分作为存储电容上极板。 在本技术技术方案中，存储电容上、下极板之间通过像素界定层间隔，像素界 定层位于存储电容上、下极板之间的部分充当存储电容的电介质，由于像素界定层本身已 占用一定的发光面积，存储电容的上、下极板设置在像素界定层的两侧无需另外再占用发 光面积，因此，相比于现有技术，不透光的栅极和源极的面积可以设计的相对较小，大大提 高了显示装置的像素开口率；此外，存储电容的上、下极板与薄膜晶体管的源极无电性连 接，数据传输的稳定性较好，更有利于显示装置显示输入信号所要求的亮度，显示品质进一 步提升。 优选的，所述存储电容下极板与所述有机电致发光器件的底电极材质相同且位于 同层。存储电容下极板与有机电致发光器件的底电极可以通过同一次构图工艺形成，不增 加制造成本。 优选的，所述存储电容下极板与所述薄膜晶体管的栅极通过第一绝缘层过孔电连 接。该方案可实现存储电容下极板与栅极之间的可靠连接。进一步，存储电容的上、下极板 与栅线和数据线均不同层，大大降低了寄生电容，提高了数据信号传输的准确性。 较佳的，所述像素界定层中，位于存储电容下极板与存储电容上极板之间的部分 厚度最小。该方案可在满足产品电气性能要求的前提下减小存储电容所占用的面积，有利 于结构的进一步优化。 可选的，所述像素界定层材质包括有机树脂或二氧化硅。 本技术实施例还提供了一种显示装置，包括前述任一技术方案所述的有源矩 阵有机电致发光器件阵列基板。该显示装置的像素开口率较高，显示品质较佳。 【附图说明】 图1为现有AM0LED阵列基板的一个像素单元的截面结构示意图； 图2为现有AM0LED阵列基板的存储电容连接结构电路图； 图3为本技术AM0LED阵列基板的一个像素单元的截面结构示意图； 图4为本技术AM0LED阵列基板的存储电容连接结构电路图； 图5为本技术AM0LED阵列基板的制作方法流程示意图。 附图标记： 30-薄膜晶体管；50-有机电致发光器件；100,100' -存储电容； 1-基板；2_栅极；3_源极；4_漏极；5_有源层；6_栅极绝缘层； 7_纯化层；8_平坦层；9a_存储电容下极板；9b_存储电容上极板； 10a_有机电致发光器件的底电极；10b_有机电致发光器件的顶电极； 11-像素界定层；12-彩色光阻；13-第一绝缘层过孔；14-第二绝缘层过孔。 【具体实施方式】 为了提高显示装置的像素开口率，提升显示品质，本技术实施例提供了一种 有源矩阵有机电致发光器件（以下简称AM0LED)阵列基板及制作方法和一种显示装置。在 本技术阵列基板的技术方案中，存储电容上、下极板之间通过像素界定层间隔，像素界 定层位于存储电容上、下极板之间的部分充当存储电容的电介质，由于像素界定层本身已 占用一定的发光面积，存储电容的上、下极板设置在像素界定层的两侧无需另外再占用发 光面积，因此，相比于现有技术，不透光的栅极和源极的面积可以设计的相对较小，大大提 高了显示装置的像素开口率。 为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本技术 作进一步详细说明。 如图3和图4所示，本技术实施例提供的AM0LED阵列基板，包括阵列排布的 多个像素单元，每个像素单元包括基板1和位于基板1上且阵列排布的多个像素单元，每个 像素单元包括薄膜晶体管30、有机电致发光器件50和存储电容下极板9a，其中： 存储电容下极板9a与薄膜晶体管30的栅极2电连接； 有机电致发光器件的顶电极10b位于存储电容下极板9a的上方且与存储电容下 极板9a之间通过像素界定层11间隔，有机本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵有机电致发光器件阵列基板，其特征在于，包括基板和位于基板上且阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括薄膜晶体管、有机电致发光器件和存储电容下极板，其中：所述存储电容下极板与所述薄膜晶体管的栅极电连接；所述有机电致发光器件的顶电极位于所述存储电容下极板的上方且与所述存储电容下极板之间通过像素界定层间隔，所述有机电致发光器件的顶电极与所述存储电容下极板位置相对的部分作为存储电容上极板。

【技术特征摘要】
1. 一种有源矩阵有机电致发光器件阵列基板，其特征在于，包括基板和位于基板上且 阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括薄膜晶体管、有机电致发光器件和存储 电容下极板，其中： 所述存储电容下极板与所述薄膜晶体管的栅极电连接； 所述有机电致发光器件的顶电极位于所述存储电容下极板的上方且与所述存储电容 下极板之间通过像素界定层间隔，所述有机电致发光器件的顶电极与所述存储电容下极板 位置相对的部分作为存储电容上极板。2. 如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述存储电容下极板...

【专利技术属性】
技术研发人员：王继亮，李重君，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11