有源矩阵有机发光二极管阵列基板和显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及显示技术领域，公开了一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板和一种显示装置，以提高阵列基板的像素开口率，提升显示装置的显示品质，降低显示装置的能耗并延长其使用寿命。阵列基板包括基板和位于基板上且阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极，其中：第一透明电极位于基板之上且与薄膜晶体管的栅极电连接；第二透明电极与薄膜晶体管的漏极电连接，第一透明电极与第二透明电极位置相对。

【技术实现步骤摘要】
有源矩阵有机发光二极管阵列基板和显示装置
本技术涉及显示
，特别是涉及一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板和一种显示装置。
技术介绍
OLED (Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管，简称 0LED)显示屏由于具有薄、轻、宽视角、主动发光、发光颜色连续可调、成本低、响应速度快、能耗小、驱动电压低、工作温度范围宽、生产工艺简单、发光效率高及可柔性显示等优点，已被列为极具发展前景的下一代显示技术。OLED依据驱动方式的不同，可分为无源矩阵驱动(Passive Matrix，简称PM)PMOLED与有源矩阵驱动(Active Matrix，简称AM) AMOLED两种。其中，PMOLED以阴极、阳极构成矩阵状，以扫描方式点亮阵列中的像素，每个像素都是操作在短脉冲模式下，为瞬间高亮度发光，其结构简单，可以有效降低制造成本，但其驱动电压较高，不适合应用在大尺寸、高分辨率的显示面板中。AMOLED则是采用独立的薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)去控制每个像素，每个像素皆可以连续且独立的驱动发光，AMOLED的驱动电压较低，寿命较长，可应用于大尺寸平板显示，但其制作工艺较为复杂，成本相对较高。AMOLED依据出光方式的不同可分为顶发射型(光从上基板射出)和底发射型(光从下基板射出)两种。图1为现有底发射型AMOLED阵列基板的一个像素单元在TFT处的截面结构示意图，包括:基板1、位于基板I之上的栅极22、覆盖栅极22的栅极绝缘层4，位于栅极绝缘层4之上并与栅极22位置相对的有源层5，位于有源层5之上且相对而置的源极6和漏极7，位于源极6和漏极7之上的第一绝缘层8，穿过第一绝缘层8的过孔9与漏极7连接的透明电极23。其中，栅极22的部分区域与漏极7位置相对并形成存储电容100。底发射型AMOLED的阵列基板上设置有TFT和金属配线，这些结构阻挡了部分光线，成为影响像素开口率(开口率指像素可发光面积占像素面积的比率)的重要因素。尤其是，当前很多公司及研究单位为了改善因像素间差异性而导致的显示画面品质不均匀问题，纷纷提出了电路补偿方式的像素结构，其像素单元包含两个或者两个以上的TFT，这对于底发射型结构而言，TFT和金属配线占用的像素面积更多，像素开口率更小，所需发光强度也相应提高，因此势必造成显示装置的功耗增加，使用寿命缩短。因此，如何提高像素开口率已成为当前亟待解决的技术问题之一。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板和一种显示装置，以提高阵列基板的像素开口率，提升显示装置的显示品质，降低显示装置的能耗并延长其使用寿命。本技术实施例提供的有源矩阵有机发光二极管阵列基板，包括基板和位于基板上且阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极，其中:所述第一透明电极位于基板之上且与所述薄膜晶体管的栅极电连接；所述第二透明电极与所述薄膜晶体管的漏极电连接，所述第一透明电极与第二透明电极位置相对。在本技术技术方案中，不透光的栅极和漏极的面积可以设计的相对较小，具有高透过率的第一透明电极与第二透明电极位置相对且面积较大，两者之间形成存储电容，因此，相比于现有技术，像素开口率大大增加，包含该阵列基板的显示装置的显示品质提升，并且能耗较低，使用寿命延长。优选的，所述第一透明电极与第二透明电极图形相同。第一透明电极的构图工艺和第二透明电极的构图工艺可以采用同一张掩模板，该方案可以在不增加掩模板数量的前提下增大像素的开口率，因此，大大节约了制造成本。优选的，所述第一透明电极搭接于栅极的上表面。第一透明电极与栅极之间能够可靠地电连接，且第一透明电极的制作精度要求相对较低，因此能够进一步节约制造成本。优选的，所述第一透明电极为所述像素单元的存储电容的底电极，所述第二透明电极为所述像素单元的像素电极且同时为所述像素单元的存储电容的顶电极。优选的，所述薄膜晶体管上形成有第一绝缘层，所述第二透明电极通过第一绝缘层的过孔与所述薄膜晶体管的漏极电连接。本技术实施例还提供了一种显示装置，包括前述任一技术方案所述的有源矩阵有机发光二极管阵列基板。该显示装置的像素开口率较高，显示品质较佳，且能耗低，使用寿命长。【附图说明】图1为现有AMOLED阵列基板的一个像素单元在TFT处的截面结构示意图；图2为本技术一实施例AMOLED阵列基板的一个像素单元在TFT处的截面结构示意图；图3为本技术另一实施例AMOLED阵列基板的一个像素单元在TFT处的截面结构示意图；图4为本技术实施例AMOLED阵列基板的制作方法流程示意图。附图标记:1-基板； 2-栅极；3-第一透明电极；4-栅极绝缘层；5-有源层；6-源极； 7-漏极；8-第一绝缘层；9-过孔；10-第二透明电极；11-刻蚀阻挡层；100-存储电容 22-栅极(现有技术)23-透明电极。【具体实施方式】为了提高阵列基板的像素开口率，提升显示装置的显示品质，降低显示装置的能耗并延长其使用寿命，本技术实施例提供了一种有源矩阵有机发光二极管(以下简称AM0LED)阵列基板和一种显示装置。在本技术阵列基板的技术方案中，第一透明电极与栅极电连接，第二透明电极与第一透明电极位置相对，不透光的栅极和漏极的面积可以设计的相对较小，具有高透过率的第一透明电极与第二透明电极面积较大且两者之间形成存储电容，因此，相比于现有技术，阵列基板的像素开口率大大增加，包含该阵列基板的显示装置的显示品质提升，并且能耗较低，使用寿命延长。为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本技术作进一步详细说明。如图2所示，本技术实施例提供的AMOLED阵列基板，包括基板I和位于基板I上且阵列排布的多个像素单元，每个像素单元包括薄膜晶体管、第一透明电极3和第二透明电极10，其中:第一透明电极3位于基板I之上且与薄膜晶体管的栅极2电连接；第二透明电极10与薄膜晶体管的漏极7电连接，第一透明电极3与第二透明电极10位置相对(即第一透明电极3和第二透明电极10在垂直于基板方向有交叠)，为了获得大的交叠面积，优选的，第一透明电极3位于第二透明电极10的正下方。通过对比图1和图2可以看出，图1中，栅极22的部分区域需要与漏极7位置相对，以形成存储电容100，为使存储电容100值满足设计要求，该部分区域的面积通常较大，因此会影响到像素的开口率。而在图2中，不透光的栅极2和漏极7的面积可以设计的相对较小，具有高透过率的第一透明电极3与第二透明电极10位置相对且面积较大，两者之间形成存储电容100’，因此，相比于现有技术，阵列基板的像素开口率大大增加，包含该阵列基板的显示装置的显示品质提升，并且能耗较低，使用寿命延长。优选的，第一透明电极3与第二透明电极10图形相同。第一透明电极3的构图工艺和第二透明电极10的构图工艺可以采用同一张掩模板，该方案可以在不增加掩模板数量的前提下增大像素的开口率，因此，大大节约了制造成本。优选的，第一透明电极3为像素单元的存储电容100’的底电极，第二透明电极10为像素单元的像素电极(像素电极可作为OLED器件的阳极或本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括基板和位于基板上且阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极，其中，所述第一透明电极位于基板之上且与所述薄膜晶体管的栅极电连接；所述第二透明电极与薄膜晶体管的漏极电连接，所述第一透明电极与第二透明电极位置相对。

【技术特征摘要】
1.一种有源矩阵有机发光二极管阵列基板，其特征在于，包括基板和位于基板上且阵列排布的多个像素单元，每个所述像素单元包括薄膜晶体管、第一透明电极和第二透明电极，其中， 所述第一透明电极位于基板之上且与所述薄膜晶体管的栅极电连接；所述第二透明电极与薄膜晶体管的漏极电连接，所述第一透明电极与第二透明电极位置相对。2.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第一透明电极与第二透明电极图形相同。3.如权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管阵列基板，其特征在于，所述第一透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：盖翠丽，宋丹娜，张保侠，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11